英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》:GaN将在多个行业达到应用临界点,进一步提高能源效率
英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:开始交付首批产品
基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET提供卓越的栅极驱动器保护
非线性损耗建模可准确估计 SiC 转换器性能
SiC和GaN的可靠性
电力电子热管理的未来趋势
TrendForce集邦咨询: 3Q24中国电动车牵引逆变器装机量占全球61%,欧洲积极推进改革
英飞凌携手Stellantis,推动下一代汽车架构的功率转换和分配创新
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能