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英飞凌携手Stellantis，推动下一代汽车架构的功率转换和分配创新
【2024年11月18日, 德国慕尼黑和阿姆斯特丹讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）和Stellantis N.V. 近日宣布，双方将共同开发Stellantis电动汽车的功率架构，助力Stellantis实现为大众提供环保、安全、经济实惠的出行方式这一远大目标。
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意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制
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采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理
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SiC上车提速，清纯半导体把握国产替代先机
综合自中汽协、EVvolumes.com的多方数据，新能源汽车行业增长势头强劲。我国2021、2022、2023年新能源汽车销量分别为350万辆、689万辆、950万辆，市场占有率31.6% 预计2024年产销量1200-1300万辆，市占率超过45%；约占全世界产销量60%。
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科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC™
全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”），被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. （以下简称“科索”）生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。强制风冷型“HFA系列”和传导散热型“HCA系列”均搭载了罗姆的SiC MOSFET和SiC SBD，从而实现了最大94%的工作效率。“HCA系列”于2023年开始量产和销售，“HFA系列”于2024年开始量产和销售。
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业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
数据中心、电动汽车基础设施和工业设备中高效电源解决方案的理想选择
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IGBT如何改善寄生电容，适合高频操作
在导通特性方面，IGBT的导通损耗由器件导通时的压降造成，其参数为Vce(sat)，随温度变化较小。而SiC MOSFET的导通特性表现得更像一个电阻输出特性，具有更小的导通损耗，特别是在电流较小的情况下2。
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软开关和 SiC 器件如何改善功率转换
效率和功率密度都是电源转换器设计中的重要因素。每个造成能量损失的因素都会产生热量，而这些热量需要通过昂贵且耗电的冷却系统来去除。软开关和碳化硅 (SiC) 技术的结合可以提高开关频率，从而可以减小临时存储能量的无源元件的尺寸和数量，并平滑开关模式转换器的输出。SiC 还为产生更少热量并利用更小散热器的转换器提供了基础。
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如何量化 SiC FET 的脉冲电流能力
宽带隙 (WBG) 半导体器件，例如碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET)，以其最小的静态和动态损耗而闻名。除了这些特性之外，该技术还可以承受高脉冲电流，在固态断路器等应用中特别有优势。本文深入探讨了 SiC FET 的特性，并与传统硅解决方案进行了比较分析。
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SiC 和 GaN 器件如何老化？
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 宽带隙 (WBG) 技术因其在许多高功率领域优于硅 (Si) 的性能而闻名，包括其高效率和高开关频率。然而，与单晶硅不同，SiC 和 GaN 具有独特的设计和应用问题，工程师在将这些技术用于设计时需要解决这些问题。
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芯动半导体与罗姆签署战略合作协议
通过开发车载功率模块，助力xEV技术创新
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电动压缩机设计-SiC模块篇
压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带动压缩机转动，实现空调的冷热交换功能。
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实现SiC器件与先进电机、电控系统的全方位优化、匹配，并促使逆变器更加“智能化”和“傻瓜化”
CISSOID与南京航空航天大学自动化学院电气工程系达成深度战略合作协议，建立联合电驱动实验室，共同开展相关前沿技术的研究开发
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低电压无功补偿投切电容器装置研究
切换电容器接触器、晶闸管投切电容器装置(Tsc)、复合开关投切电容器装置作为工业低压系统中常用的电容器投切装置 ,在可靠性、体积、能耗、寿命等方面各有不同的缺陷 。鉴于第三代半导体材料sic已在电力电子器件中大量使用 ,试图通过新型材料电力电子器件的选用和对交流接触器的适应性设计 ,提出新的电容器投切装置方案 ,并通过MATLAB仿真验证方案。
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提高 SiC 逆变器和其他应用中隔离偏置电源的共模瞬态电压抗扰度 (CMTI)
近年来，碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 在牵引逆变器设计中的使用显着增加。其主要原因是 SiC FET 可以在高开关频率下工作，从而在保持高效率的同时提高功率密度。另一方面，SiC 逆变器可以产生大于 100V/ns 的大瞬态电压 (dv/dt) 信号，引发人们对共模瞬态电压抗扰度 (CMTI) 的担忧。这在设计逆变器栅极驱动器的隔离偏置电源时提出了新的挑战。
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罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
全球知名半导体厂商罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）于近日与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下简称“UAES”）签署了SiC功率元器件的长期供货协议。
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罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
应用于主机逆变器，有助于延长续航里程，提升性能
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对SiC MOSFET进行栅极应力测试
了解半导体器件的故障模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键，这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行，并满足汽车和其他电源转换应用中要求的越来越严格的十亿分之一故障率。在本文中，我们将讨论对碳化硅 MOSFET 器件执行的栅极开关应力 (GSS) 测试。
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SiC功率器件生产规模效益扩大，英飞凌全球最大8英寸SiC晶圆厂正式进入生产营运
正在持续扩建的英飞凌居林工厂第三厂区已经获得了总价值约 50 亿欧元的设计订单，并且收到了来自新老客户约10亿欧元的预付款。值得一提的是，这些设计订单来自不同行业的客户，包括汽车行业的六家整车厂以及可再生能源和工业领域的客户。 随着居林工厂第三厂区的正式运营投产，英飞凌正在持续扩大其在SiC生产制造领域的规模优势，提升产能效益，同时将宽禁带功率器件带入到一个更为广阔且多元的应用版图，助力行业向更高效、更可持续的未来迈进。
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何谓碳化硅
近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是因为，为了应对全球共通的 “节能化”和“小型化”课题，需要高效率高性能的功率元器件。
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