英飞凌携手Stellantis,推动下一代汽车架构的功率转换和分配创新
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
SiC上车提速,清纯半导体把握国产替代先机
科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC™
业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
IGBT如何改善寄生电容,适合高频操作
软开关和 SiC 器件如何改善功率转换
如何量化 SiC FET 的脉冲电流能力
SiC 和 GaN 器件如何老化?