-
ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
损耗比以往IGBT产品低67%，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗
-
安森美半导体的宽禁带方案、技术及仿真工具优化并加快您的设计
据市场调研机构IHS，从2016年到2027年SiC和GaN应用将激增，包括电动/混动汽车及充电桩基础设施、太阳能逆变器、电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)、军事/航空等应用领域，其中电动/混动汽车、太阳能逆变器、电源将是主要的应用市场。
-
美高森美新型30 kW三相Vienna PFC参考设计充分利用SiC二极管和MOSFET器件以提供高性能
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二极管和MOSFET器件的全新可扩展30 kW三相Vienna功率因数校正(PFC)拓扑参考设计。这款可扩展的用户友好解决方案由美高森美与北卡罗莱纳州立大学(NCSU)合作开发，非常适合快速电动车(EV)充电和其它大功率汽车和工业应用;此外，它亦可通过美高森美功能强大的SiC MOSFET和二极管，为客户提供更高
-
SiC器件终迎春天
在经过多年的疑虑和犹豫之后，SiC器件终于迎来了春天。
