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基于DSP TMS 3 2 0F2 8 1 2的智能接口板设计
本文介绍了一种基于TI公司高性能DSP TMS320F2812的智能接口板设计，主要包括处理器及存储器电路设计、复位时钟电路设计、接口设计等内容。具有成本低、通用性强、设计难度低、开发周期短的优点，在数据处理系统设计中具有典型性和实用性。
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首战初胜：联邦法院批准华为临时禁止令要求
1月26日消息，据国外媒体报道，华为本星期赢得了与摩托罗拉法律斗争的第一轮胜利。伊利诺斯州联邦法院批准了华为要求的临时禁止令，禁止摩托罗拉解决方案把有关华为技术的机密信息泄露给诺基亚西门子网络（以下简称诺
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法官禁止摩托罗拉向诺西泄露华为机密信息
1月26日消息，据国外媒体报道，华为本星期赢得了与摩托罗拉法律斗争的第一轮胜利。伊利诺斯州联邦法院批准了华为要求的临时禁止令，禁止摩托罗拉解决方案把有关华为技术的机密信息泄露给诺基亚西门子网络(以下简称诺
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基于TMS32OLF2407A的教育机器人硬件系统设计
本文设计的以智能小车为载体的基于TMS320LF2407A教育机器人硬件平台，包括电源模块和电机驱动模块电路设计，并集成了红外和光敏传感器和无线数据传输模块，通过软件设计可实现寻迹、避障及寻迹避障相结合的功能，达到了理论课程学习与动手实践相结合的目的，巩固了知识并进一步提高了学习者的兴趣。
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基于TMS32OLF2407A的教育机器人硬件系统设计
基于TMS32OLF2407A的教育机器人硬件系统设计
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基于TMS32OLF24O7A的教育机器人硬件系统设计
摘要：本论文的主要目的就是设计一种基于DSP的模块化教育机器人硬件系统。该教育机器人是以智能小车为载体基于 TMS320LF2407A微控制器的嵌入式控制平台及编程环境的一款开放式的机器人控制系统，以各传感器模块设计应
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基于TMS32OLF24O7A的教育机器人硬件系统设计
摘要：本论文的主要目的就是设计一种基于DSP的模块化教育机器人硬件系统。该教育机器人是以智能小车为载体基于 TMS320LF2407A微控制器的嵌入式控制平台及编程环境的一款开放式的机器人控制系统，以各传感器模块设计应
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基于TMS37157的低频收发器MCU接口方案
TI公司的TMS37157把低频收发器接口和SPI接口与功率管理相结合，用于一个相连的微控制器。它是硬件配置、数据记录、传感器遥控应用的理想器件。可以通过SPI和LF访问收发器的内存，在低频应用中无需电池即可运行。低频
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基于TMS32OF2812的振动主动控制系统设计
摘要：本文主要介绍了以TMS320F2812为控制核心的小型多通道振动主动控制系统，对前置调理电路和运用MAX547实现的多通道D／A转换电路进行了讨论，并给出了软件设计流程。本系统在实际的振动主动控制中得到了成功应用。
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基于TMS32OF2812的振动主动控制系统设计
摘要：本文主要介绍了以TMS320F2812为控制核心的小型多通道振动主动控制系统，对前置调理电路和运用MAX547实现的多通道D／A转换电路进行了讨论，并给出了软件设计流程。本系统在实际的振动主动控制中得到了成功应用。
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基于TMS32OF2812的振动主动控制系统设计
摘要：本文主要介绍了以TMS320F2812为控制核心的小型多通道振动主动控制系统，对前置调理电路和运用MAX547实现的多通道D／A转换电路进行了讨论，并给出了软件设计流程。本系统在实际的振动主动控制中得到了成功应用
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基于TMS32OF2812的振动主动控制系统设计
摘要：本文主要介绍了以TMS320F2812为控制核心的小型多通道振动主动控制系统，对前置调理电路和运用MAX547实现的多通道D／A转换电路进行了讨论，并给出了软件设计流程。本系统在实际的振动主动控制中得到了成功应用
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基于TMS32OF2812 DSP的双足机器人样机设计
0 引言 双足机器人样机是研究双足行走的实验对象，为了研究的顺利进行，必须对机器人的自由度、驱动方式、重量、高度等进行合适的配置；这就需要自由度的分配简单合理、驱动方案可靠易用以及机械结构轻便结实。
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基于TMS32OF2812 DSP的双足机器人样机设计
基于TMS32OF2812 DSP的双足机器人样机设计
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Verizon高管：运营iPhone理所当然不足为奇
11月13日消息，据国外媒体报道，Verizon负责内容战略和并购事务的高级副总裁特里·丹森(Terry Denson)日前表示，如果Verizon将来与苹果合作提供iPhone服务，这并不足为奇。丹森的言论也许并不能说明任何问题，
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全新高密度沟槽MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供
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全新高密度沟槽MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供
