WBG的高频切换带来了与带宽和速度相关的挑战,这些挑战可以通过新的传感技术来解决。此外,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件对短路条件的耐受性和电流传感要求不同。
使用碳化硅和氮化镓来满足电动汽车设计要求,如今已成为促进可持续发展的下一代汽车设计标准。空气动力学线条或更轻的材料不足以保证电动汽车的效率。为了满足效率和功率密度要求,电力电子设计师必须着眼于新技术。
随着硅达到功率器件的理论性能限制,电力电子行业一直在向宽带隙材料(WBG) 过渡。基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓技术的 WBG 功率半导体器件提供的设计优势可提高应用性能,包括:低漏电流、显着降低的功率损耗、更高的功率密度、更高的工作频率以及耐受更高工作温度的能力. 使用比纯硅等效器件更小的器件尺寸,所有这些都是可能的。稳健性和更高的可靠性是其他重要属性,从而提高了设备的总预期寿命和运行稳定性。