-
比NAND闪存更快千倍 40nm ReRAM在中芯国际投产
非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商Crossbar Inc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。
-
以存储为中心的片上系统与人工智能
当高性能、低功耗以存储器为中心的片上系统与物联网设备和云服务器相结合时，能够实现怎样的情形呢？
-
中芯国际与RRAM领军企业Crossbar达成战略合作协议
中芯国际集成电路制造有限公司，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路 晶圆代工企业，与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar，今日共同宣布双方就非易失性RRAM开发与
-
闪存技术撞墙了？RRAM有望接下下一棒
闪存技术撞墙了，如果不这个圈子里的人可能难以体会到。去年3D X-point技术不还刷屏朋友圈嘛?今年搭载这种新技术的SSD——“Optane”系列即将出货了。看起来似乎闪存技术的发展势头正猛，但圈内人其实早已忧心忡忡，因为他们知道，闪存技术的发展已经遇到了难以突破的瓶颈了。
-
RRAM领军者Crossbar正式进军中国存储市场
阻变式存储器(RRAM)技术的领导者Crossbar公司今日宣布正式进军中国市场，并在上海设立新的办事处。Crossbar公司首席执行官George Minassian博士表示：“中国是电子行业发展最快的市场，亦是绝大多数产品的制造
