为了给人工智能和机器学习等新兴应用提供足够的内存带宽,HBM2E和GDDR6已经成为了设计者的两个首选方案。在进行这种高性能的内存系统设计时,其中的接口芯片(PHY)的性能、安全性和可靠性也是非常重要的器件。
当前,随着人工智能/机器学习(AI/ML)的极速兴起,智能技术正被广泛应用于制造业、交通、医疗、教育和金融等各个领域,人工智能将掀起下一次工业革命。
AMD及NVIDIA新一代显卡开始使用GDDR6显存,更高端的产品才有可能使用HBM显存,其带宽远高于GDDR技术。目前的HBM内存/显存主要是三星、SK海力士在生产,美光此前表态不会错过这个市场,5
7月2日消息 据外媒 prnewswire 今日报道,SK 海力士宣布,其已能够大规模批量生产新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。 IT之家了解到,去年 8 月 SK 海力士宣布成功研发出
不出意外的话,3月初的财务分析师会议会上AMD就会宣布RDNA2代GPU架构,不仅支持硬件光追,而且规模更大,传闻中big Navi大核心性能可超越RTX 2080 Ti,有可能命名为RX 5950
虽然封装不易,但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器,而这也是接续 Samsung 之后的第二家;不同于 Samsung 称为 Flashbolt,SK海力士方面只用 HBM2E 来称呼它。
SK海力士8月12日宣布,公司开发出了业界处理速度最快的新一代存储芯片HBM新产品“HBM2E”(见照片)。HBM是高带宽存储器(High Bandwidth Memory)的缩写,数据处理速度比传统的DRAM有了革命性提升。