-
7纳米以下FinFET接班人 IMEC看好GAA NWFET技术
比利时微电子(IMEC)在2016国际电子元件会议(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极(GAA)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFETs)的CMOS集成电路，其关键技术在于双功率金属闸极，使得n型和p型装置的临界电压得以相等，且针对7纳米以下技术候选人，IMEC看好环绕式闸极纳米线电晶体(GAA NWFET)会雀屏中选。 比利时微电子研究中心与全球许多半导体大厂、系统大厂均为先进制程和创新技术
