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SiC成本问题的两服解药
碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，具有更高频、高效、耐高压、耐高温等特点。与Si器件相比，SiC被认为是一种超越Si极限的功率器件材料，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的...
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使用SiC技术攻克汽车挑战
在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牵头，20个项目合作方将在技术研究、制造工艺、封装测试和应用方面展开为期36个月的开发合作。本文将讨论本项目中与汽车相关的内容，重点介绍有关SiC技术和封装的创新。
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SiC使通讯电源PFC设计更高效、更简单
通讯电源是服务器，基站通讯的能源库，为各种传 输设备提供电能，保证通讯系统正常运行，通信电源系统在整个通信行业中占的比例比较小，但它是整个通信网络的关键基础设施，
