模拟
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基于LabVIEW的多路时序控制脉冲发生器设计
为了解决过程控制和自动化过程中时序控制的问题，较为详细地介绍了基于LabVIEW和数据采集卡的虚拟脉冲信号产生方法，采用多路数字信号序列同步输出的方式，设计并实现一种通用的多路时序控制脉冲信号发生器。相比于传统的时序信号发生器，具有路数多，参数调节方便，精度较高，容易升级等特点。实际测试和应用表明，可以广泛应用于各种过程控制和自动化过程中。
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基于NI Scope实时数据采集系统设计
在LabVIEW开发环境下，为实时显示数据采集结果，通过结合虚拟仪器的概念，采用IVI驱动程序NI Scope和队列同步控制技术快速搭建实时数据采集系统。结果表明该系统可实现对模拟输入信号的实时采集和数据显示及可控制存储等功能，效果较好。特别是使用图形化编程语言，简化代码，操作方便，人机界面友好，可扩展性强。
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iSuppli：今年芯片市场将跌12%但好于预期
北京时间11月24日早间消息，据国外媒体今日报道，市场研究公司iSuppli表示，今年全球芯片业营收将下跌12%，远低于之前预期的20%。 iSuppli高级副总裁德尔·福特(Dale Ford)说，第二季度芯片销售复苏“意味着2009年
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RS推出莫仕（Molex）2300种新产品
RS Components宣布，为其连接器产品系列推出莫仕（Molex）2300种新产品，将RS推出的莫仕系列提升为3500多种元件，为顾客提供种类齐全的莫仕互联解决方案。新加入的产品重点包括C-Grid® / SL系统，将C-Grid（C格栅
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《财经》：中芯国际救赎路
更换掌门人、与台积电和解以及利用政府资源，能否帮助中国最大芯片代工商走向复兴?在创建中芯国际之时，张汝京一定没有想到日后发生的巨变。11月10日，中国内地最大的芯片代工厂商中芯国际（NYSE：SMI/00981.HK）发布
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台积电法务长杜东佑：不介入中芯营运也不进入董事会
中芯国际给予台积电股票引起大陆媒体揣测，台积电法务长杜东佑(Richard Thurston)亲自对外说明并重申，台积电不会介入中芯营运，也不会进入中芯董事会或经营团队。由于对于此事媒体做出高度揣测，杜东佑为正视听，再
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200mA DC-DC升压转换器（奥地利微电子）
奥地利微电子公司推出200mA升压转换器AS1337，扩充了旗下DC-DC产品线。AS1337的拓扑结构在功能创新方面又前进了一步，实现了降压 - 升压功能。AS1337可在升压和调节降压模式间不断转换，是单、双节电池应用的理想选择
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台推动DRAM产业再造两大抗韩策略联盟隐然成形
台湾“经济部”推动DRAM产业再造，虽然目前还有待“立法院”审查通过“国发基金”预算的"临门一脚"，但是岛内DRAM产业再造整并成两大体系似乎隐然成形。“经济部”表示，倘若TIMC（台湾创新内存）与Elpida（尔必达）
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中芯国际深圳8/12英寸厂举行完工庆典
刚刚从与台积电的专利官司漩涡中脱身，大陆芯片厂商中芯国际旗下两座深圳芯片厂便于日前举行了完工庆典，这两间工厂分别具备200mm(8英寸)以及300mm(12英寸)生产能力.中芯公司新任CEO王宁国还参加了于11月19日举办的这
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三星电子计划2010年将DRAM市占率提升至45%
据KoreaTimes报导，全球最大存储器制造商三星电子(SamsungElectronics)计划于2010年将全球DRAM市场市占率提升至45%。 三星高层透露，三星看好存储器芯片市场的未来展望，计划于2010年将全球DRAM市占率提升至45%，同
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基于CPCI总线的智能A／D，D／A模块设计
A／D和D／A接口在工业控制应用中普遍存在．这就促使了基于各种接口的A／D，D／A模块的诞生。基于CPCI总线的A／D，D／A模块通过CPCI总线与主机通信，通过A／D接口采集电压信号，经过伺服控制软件处理，输出模拟量驱动执行机构。该模块使用DSP芯片对数据进行实时处理，通过CPCI总线进行快速的数据传输。在实际应用中得到了可靠性、实时性等方面验证。
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基于NCO IP core的Chirp函数实现设计
首先分析Chirp函数在频域上的一般特性，并且分析Altrea公司提供的数控振荡器知识产权核(NCO IP core)的输入／输出特性，通过MegaCore环境确定其输入控制字，通过外围逻辑电路实时向NCO IP core调入控制频率控制字以达到改变输出频率的目的，并通过在示波器上观测FPGA的运行情况，验证了该设计具有很好的输出效果。
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基于磁放大器的ATX电源的设计
1 ATX电源简介 早期PC中的开关电源是AT电源的一统天下。AT电源的输出功率一般为150～250W，共有四路输出(+5V、-5V、+12V、-12V)，另外还向主板提供一个电源正常(PG，Power Good)信号。AT电源的缺点是采用切断
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新款20V P沟道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA4
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东芝将在华建芯片合资公司
据国外媒体报道，东芝周五表示，出于节省成本的考虑，计划在中国设立合资公司，用以组装系统芯片。 东芝表示，将和南通富士通微电子股份有限公司合作，并将在新合资公司中持有80%的股权，但东芝拒绝给出投资数据或
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