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台积电拟投资11亿美元扩产 年支出增至23亿
8月12日消息，台积电周二召开董事会，决定投资11亿1680万美元，以扩充12英寸晶圆厂的45奈米制程产能，与设置32奈米制程产能;至于市场关注的太阳能投资，台积电并未宣布投资对象，但将先投入0.5亿美元在太阳能相关产业
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ADI关闭英国剑桥MEMS生产线 与国家仪器合作提升市场竞争力
为提升于MEMS市场竞争力，升全球MEMS供应大厂亚德诺(ADI)近期传出自9月起，将正式关闭位于英国剑桥MEMS生产线，同时将MESM生产火力集中到美国Wilmington生产线，不仅如此，以往由于MEMS测试成本占总制造成本过高，
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亚洲晶圆厂领军, 09下半年资本支出持续改善
今年初，半导体产业呈现了急剧衰退，SEMI全球晶圆厂预测报告显示，从2008年第四季到2009年第一季，全球前段制造设备资本支出下降26%，达32亿美元。然而，该报告也指出，在2009年第二季，资本支出将走出谷底，整个供应
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韩国半导体内存产品在国际市场上占有率创历史新高
KBS报道，市场调查机构DRAMEXchange的报告显示，今年第一、二季度三星电子和海力士在国际市场上半导体内存的占有率达到55.50%和53.1%，创历史新高。 去年一至三季度，这两家半导体公司的占有率持续维持在49%的水平。
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基于FPGA的多路模拟信号源设计
提出了一种基于FPGA的多路模拟量信号源设计方法。该系统以Altera公司的Cyclone系列EP2C8为核心。它包括多路数模转换单元、电源隔离、稳压单元及运算放大单元等，实现了电源独立的不同频率、不同波形的多路模拟量信号源。主要模块采用VHDL实现，通过合理利用路选通信号对各路模拟量信号进行锁存，实现了各路数据的正确分路，各路模拟量波形输出，并通过USB接口上传数据并实时显示，经多次测试表明，该系统稳定可靠，每路输出电压纹波小于30 mV。
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2009分立器件市场：应用带动技术 机遇推动趋势
目前，中国的半导体分立器件产业已经在国际市场占有举足轻重的地位并保持着持续、快速、稳定的发展。随着电子整机、消费类电子产品等市场的持续升温，半导体分立器件仍有很大的发展空间，因此，有关SIC基、GSN基以
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高速串行数据收发器CY7B923/933及应用
介绍了数据收发器CY7B923/933的性能特点、结构原理、工作模式及应用电路。在一VME总线系统中，采用该收发器及UTP双绞线实现了400Mbps的串行数据传输。
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频率为700MHz～1GHz的FSK收发器芯片MICRF500的原理与应用
MICRF500是Micrel公司推出的低功耗单片FSK无线电收发芯片。它的工作频率范围为700MHz～1GHz，接收灵敏度为－104dBm，RF输出功率为10dBm。该芯片内含接收、发射和控制接口三部分。文中介绍了MICRF500的结构、原理和特性，给出了它的具体应用电路。
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单片MOSFET和肖特基SkyFET产品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未
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沈阳仪表高性能硅电容差压传感器项目通过验收
新闻事件：沈阳仪表高性能硅电容差压传感器项目通过验收事件影响：该项目完成后，将实现年产10万只传感器芯片，1.5万台传感器的生产能力，年产值达1000万元将给航空、航天、石油化工、能源电力、冶金、机械、电子、环
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IDT将晶圆厂移交给TSMC，启动Fabless转型
IDT与台积电(TSMC)日前签署制造协议，将其位于美国奥瑞冈州半导体厂的制程及产品制造移转给台积电。此项协议预计在两年内完成所有产品的移转，目前已获得双方公司与IDT董事会的同意。IDT全球制造副总经理Mike Hunter
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台积电投资5000万美金于太阳能相关产业
台积电周二表示，董事会通过核准资本预算5,000万美元，用于太阳能相关产业的可能投资。台积电称董事会另核准资本预算11亿1,680万美元以扩充十二寸晶圆厂的45奈米制程产能与设置32奈米制程产能。台积电董事长张忠谋6月
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得可Galaxy薄晶圆系统 提高大批量制造超薄晶圆的处理能力
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供
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得可Galaxy薄晶圆系统提高大批量制造超薄晶圆的处理能力
基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供杰出的稳定性、工艺能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并拥有先进的速度和加速控制，确保强健地处
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英特尔联手美光推34纳米工艺NAND芯片
8月12日消息，据国外媒体报道，英特尔和美光科技今天宣布，双方已将当今最小的NAND芯片应用于消费存储设备。 新NAND闪存芯片采用34纳米生产工艺，每单元可储存3比特。新产品由两家公司合资企业IM Flash Technology公
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