当向材料或设备施加电压时，电流将流过它。将流过多少电流取决于材料应用于电路的电阻。材料的电阻取决于许多因素，最重要的是它的电阻率。电阻和电阻率经常互换使用，但它们的含义略有不同。了解差异有助于您了解电子的流动方式。
如果我们已经设置了 A/D 转换器或智能传感器，并且主机处理器正在从读数中获取数据，这是第一步。对于某些应用程序，按需读取一次可能很有用。许多应用程序要求对读数流进行一些计算。
电阻或电阻率测量需要两根或四根线。两线电阻测量是最常用方法，通常使用手持万用表完成。今天的数字万用表对于大多数应用来说都相当准确。
评估模拟开关、多路复用器、运算放大器和其他 IC 对 IC 测试工程师提出了挑战。典型的测试场景需要对设备的输入施加测试或强制电压，并测量任何产生的泄漏电流和偏移电流，通常为 1 pA 或更低。与缓慢且昂贵的商用自动测试仪相比，这个设计中的低功耗测量电路可以强制提供广泛的测试电压并提供快速稳定，以最大限度地提高设备测试吞吐量。广泛使用表面贴装元件可最大限度地减少其印刷电路板空间要求，并允许在靠近测试夹具的地方封装多个测量电路。
对于功能验证，思科做了几件事。它为前门初始化设计了一个测试平台。它采用了所有的 C++/System C 测试检查器和模拟检查，甚至是实时检查，并将它们移植到仿真器中。它还使用 Mentor 的以太网数据包生成器监视器 (EPGM) 作为 IP 来生成以太网数据包或不同种类的数据包。
为网络应用设计 ASIC 面临着独特的挑战。一是这些设备的带宽和延迟性能测试比其他类型的 IC 所需的仿真周期要长得多。当然，扩展模拟会减慢整个设计过程。为了解决这些问题和其他问题，思科工程师采用了将仿真与仿真相结合的做法，以改进和加速验证过程。
新 EcoGaN™ 系列的第一个系列有助于降低数据中心和基站的功耗并实现更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 将栅极耐压(额定栅极-源极电压)提高到业界领先的 8V - 非常适用于工业设备(如基站和数据中心以及物联网)的电源电路通讯设备。
为了评估该开关在 WPT 阻抗匹配应用中的性能，Menlo Microsystems 和Solace Power创建了电路和电气环境类似于 Solace 的 Equus 系统。Solace WPT 方法采用获得专利的谐振电容耦合技术，可在固定或可变距离情况下以 13.56 MHz 传输高达 150 W 的射频功率。
如果谐振无线电力传输 (WPT) 系统要兑现其为电动汽车和其他大功率应用充电的承诺，首先必须解决一个工程问题。
我的最后一个问题是关于展望未来：您如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了一些关于碳化硅的事情。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的价值?我们期望在哪里看到下一波增长?
现在讨论的一个主题是器件的热管理方面，而宽带隙半导体、氮化镓，但不仅是碳化硅解决方案，承诺更高的工作温度和更高的效率。如您所知，在将这些设备设计到系统中时，设计人员还需要考虑热管理问题。那么，您的技术战略是什么，您如何看待随着功率密度的增加而对工艺和封装技术的未来发展产生影响的热管理需求?
最新的GaN技术是把逻辑集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量与驱动程序和控制器连接，并且还可以节省成本，因此不需要额外的组件。因此，我们的解决方案可以像 MOSFET 一样被驱动。为什么E-Mode GaN HEMT选择集成逻辑而不是 GaN 驱动器的原因是什么吗?
目前有几个 GaN 器件概念。那么，大家能告诉我从设计的角度来看，哪些是主要的，哪些是我们的发展方向?，关于GaN的十件事，有没有你更关注的点?
德州仪器 (TI) 扩展了其高速数据转换器系列，新增了八个逐次逼近寄存器 (SAR) 模数转换器 (ADC) 系列，可在工业环境中实现高速数据采集。针对工业系统中的实时控制挑战，ADC3660 SAR ADC 具有 14 位、16 位和 18 位分辨率，采样速度范围为 10 到 125 MSPS，声称可将功耗降低 65%，将延迟降低 80%。竞争设备。
工程师知道一个好的设计的基本准则是“保持简单”——但只在可能的范围内这样做。这就是为什么半导体二极管如此强大的原因：它是一种两端器件，从阻断反向直流到交流线路或信号整流，再到捕获和保持峰值(使用相关的电容器)，都有无数的作用。二极管有数千种尺寸和电流/电压额定值以满足这些不同的需求。
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