功率氮化镓 (GaN) 器件是功率设计人员工具箱中令人兴奋的补充。特别是在希望探索 GaN 更高的开关频率如何导致更高的效率和更高的功率密度的情况下尤其如此。RF GaN 是一项成熟的技术，可用于蜂窝基站和多个军事/航空航天系统的功率放大器的大批量生产，因为它具有优于硅的优势。
电感是电导体的特性，它阻止流过它的电流发生变化。它被定义为感应电压与产生感应电压的电流变化率之比，以亨利 (H) 为单位。RF 电感器的电感额定值通常在大约 0.5 纳亨 (nH) 或更低到数百 nH 的范围内。正如下面关于 RF 电感器结构选择的部分所述，电感取决于结构、磁芯尺寸、磁芯材料和线圈匝数。电感器可提供固定或可变电感值。
在电磁干扰(EMI) 强化放大器诞生之前，像我们这样的系统设计师只能实施自己的滤波方案。其中一些方案奏效了，而另一些则没有成功，让我们头疼不已。
如果我们正在设计汽车雷达，甚至是商业或军用雷达系统，我们都会受到物理学的约束。我想改变这一点，但我在大学里的许多老教授都说“有些规则可以改变，有些自然法则是不可动摇的”。无线电传输中的路径损耗就是其中之一。因此，如果我们想让雷达看得更远，就需要提高系统的动态范围。
这有点像灰姑娘或丑小鸭的童话故事：多年来，各种类型、大小和速度的处理器都是一般媒体关注的迷人主题以及主要的研发投资。与此同时，功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——显然被低估了，并且作为本应乏味的功率利基市场的一部分在背景中萎靡不振。
在半导体外延材料制造过程中，会产生位错，即材料中的缺陷。半导体中的缺陷越多，可以在晶片上生产的可用器件就越少，这会增加成本。此外，不良的材料界面会导致更高的器件通道电阻，从而导致更多的能量在运行过程中被浪费，从而降低芯片的能效。
GaN 半导体是未来节能电动汽车和 5G 网络的关键组成部分。总部位于瑞典隆德的初创公司 Hexagem 正在瑞典研究机构RISE 测试平台 ProNano开发一种解决方案，旨在为更大的电气化和可持续的未来做出贡献。
当今市场需要具有先进功能和日益紧凑尺寸的电子设备。小型化趋势使设计人员面临艰巨的挑战，这首先与所需组件的集成密度不断提高以及不可避免的过热问题有关。 在本文中，我们将了解 Carbice 公司开发的基于碳纳米管的方法如何能够创建一个有效的冷却系统，该系统将液体和固体热界面材料 (TIM) 的特性结合在一个单一的解决方案。
电力电子仍然主要基于标准硅器件。虽然三电平和其他硅电路拓扑正在出现以提高效率，但新的碳化硅 (SiC) 设计正在出现，以满足电动汽车不断增长的高功率要求。
随着更新的集成电路(IC) 技术采用更小的几何尺寸和更低的工作电压，新一代便携式产品对静电放电 (ESD)电压的损坏越来越敏感。因此，手机、MP3播放器和数码相机等便携式产品的设计人员必须评估 ESD 保护选项，以确保他们选择的解决方案能够响应当今 IC 不断变化的需求。本文将解释选择有效 ESD 保护所涉及的关键步骤。
对于我们看到的所有新的、创新的组件类型，有趣的是，我们经常使用的哪些“新”设备实际上是电气设计早期经典的更新版本。当然还有变压器，还有机电继电器，甚至气体放电管 (GDT) 仍然非常活跃。
静电可能是导致模拟和数字电路无法使用的因素之一。当不同的材料相互摩擦导致电荷在物体表面积聚时，通常会发生静电。当它向物体放电时，这称为静电放电 (ESD)。
测试串扰时基本组件或阶段的简单框图。首先，对通道 1 上的干扰音应用一个滤波器，并测量作为参考捕获的输入。该滤波器确保来自信号发生器的所有其他噪声和谐波被衰减到足以不破坏施加的故意干扰信号。
在使用高速转换器和多个转换器通道的雷达、卫星以及测试和测量应用中，隔离或串扰可能是一种错误的衡量标准。在不考虑通道串扰的情况下，在频谱中丢失相关信息的可能性可能会对系统造成破坏，因为在感兴趣的应用频带中可能会出现杂散或噪声。
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