本文追溯了电力电子的历史，可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界，了解电子世界是如何在短短几年内发生巨大变化的，因为新的 SiC 和 GaN MOSFET 的发现和开发。
电动和混合动力汽车的设计人员致力于提高能量转换效率，这些设备具有紧凑的封装和高热可靠性电力电子模块的组装，并降低了开关损耗。
硅和碳化硅中的 IGBT 和 MOSFET 以类似方式驱动。该器件在 10-20 V 的栅极驱动下开启，通常关闭至 0 V 或负电压以实现更高的功率水平。分立增强型 GaN 器件通常需要 5-7 V 的栅极驱动，并且可能还需要负电压来关闭它们。如果没有正确优化，性能和可靠性都会受到影响。这是因为，虽然 GaN 是一种先进材料，但分立 GaN FET 确实有一个致命弱点：一个必须小心驱动的栅极节点。如果栅极上的电压过低，则 FET 没有完全导通，因此导通电阻和损耗都很高。如果电压太高，可能会损坏栅极。
欧盟大约有 80 亿台电动机在使用，消耗了欧盟生产的近 50% 的电力。由于提高效率和减少碳足迹是政府和行业的主要目标，因此存在多项举措来降低这些电机的耗电量。例如，许多家用电器能源标签的全球标准通过降低能耗以及可听和电气噪声等来影响电器的设计。另一个例子是欧洲引入了工业电机的效率等级，有效地切断了低效率电机的市场。
与低功率同类产品不同，MOSFET、IGBT、功率二极管和晶闸管等功率器件会产生大量热量。因此，有效的热管理对于确保电力电子设备的可靠性和优化的寿命性能至关重要，包括由更高工作温度、宽带隙 (WBG) 半导体材料制成的设备。
在过去的几十年中，碳化硅和氮化镓技术的进步一直以发展、行业接受度不断提高和有望实现数十亿美元收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，工业部门现在有望超过 40 亿美元。
任何电子产品都必须通过适用的电磁兼容性 (EMC) 测试才能投放到预期市场。接受预防胜于治疗，从开发的早期阶段就设计合规性通常是理想的。可以采取各种方法，从应用已知的最佳实践到使用可用的 EMC 模拟器，以及在内部或与专业合作伙伴进行 EMC 预测试。
设计人员经常使用具有反激式拓扑结构的充电器为储能电容器快速充电。在反激式拓扑中，能量传输仅在充电器的功率 MOSFET 关闭时发生，从而有效地将功率开关与负载隔离，包括高能量存储电容器组。因此，电路变压器次级上的电压水平可以从零变化到预定值和相应的能量水平，而不会对变压器初级侧的组件产生任何明显的压力。
气候变化和社会对环境问题日益敏感，需要为化石燃料动力车辆开发技术解决方案。逐步减少排放的监管要求要求内燃机的设计具有较小的容积、较高的发动机转速，并且能够以较不浓的燃料混合物运行。
如果问人们是什么决定了 PCB 走线温度，最常见的回答可能是电流或 I 2 R 功耗。虽然这些答案不一定是错误的，但它们非常不完整。 I 2 R 的单位是焦耳/秒；它是向迹线提供能量的速率。如果我们无限期地将这种能量施加到迹线上，则迹线的温度将无限期地继续增加。它不会发生，因为有相应的冷却效果可以冷却走线。这些影响包括通过电介质的传导、通过空气的对流以及远离走线的辐射。
USB-C是什么?USB-C是一种接口样式。在已有的USB 3.1标准中，有三种接口样式：一个是Type-A(即Standard-A，传统计算机上最常见的USB接口样式);一个是Type-B(既Micro-B，目前大部分Android智能手机使用的接口样式);另外一个就是本文的主角Type-C了。
随着世界不断发展以保持万物互联，无线传感器在物联网 (IoT) 市场中变得越来越流行。物联网存在多种定义，但其中一种只是简单地将其定义为通过使用远程传感器测量环境来与我们的周围环境保持同步。
运行模数转换器 (ADC) 设备有什么大不了的?将传感器输出连接到 ADC 输入并开始读取读数。正确的?毕竟，数字信号提供了强大的噪声抑制能力，因此电平之间的切换很牢固，并且有足够的内置余量。尽管如此，模拟信号更容易受到噪声的影响。
电机控制长期以来一直处于研发活动的前沿，旨在寻找有效和高效的微电子解决方案。电机控制器的目的是能够手动或自动作用于电机(启停、提前反转、速度、扭转和电压过载保护)。用于电机控制的集成电路 (IC) 代表了创新的重要时刻，汽车行业和工业自动化无疑是最具代表性的行业。
如今，新的功率开关技术正被广泛应用于要求高功率密度、高开关频率和小尺寸是关键要求的苛刻应用中。这些新开关器件发挥作用的三个关键应用
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