来自开关电源的辐射电磁干扰 (EMI) 是一种动态和情境问题,与电路板布局、组件放置和电源本身内的寄生效应以及它运行的整个系统有关。因此,从系统设计人员的角度来看,这个问题非常具有挑战性,了解辐射 EMI 测量要求、频率范围和适用限制非常重要。
LDO即low dropout regulator,是一种低压差线性稳压器 。这是相对于传统的线性稳压器 来说的。传统的线性稳压器,如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V,否则就不能正常工作。但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5V转3.3V,输入与输出之间的压差只有1.7v,显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。
电磁干扰 (EMI) 在某些设计中是一个棘手的问题,尤其是在汽车系统中,如信息娱乐、车身电子、ADAS 等。在设计原理图和绘制版图时,设计人员通常通过减少高 di/dt 环路面积和减慢开关压摆率来最大限度地减少源头的噪声。
过压保护电路(OVP)为下游电路提供保护,使其免受过高电压的损坏。
得益于无线连接和人机界面的突破,下一代智能电器变得越来越智能。具有高度集成图形加速器的处理器(如 Sitara™ AM335x 处理器)可以帮助我们实现更好的触摸界面、更大的屏幕和更高分辨率的高清摄像头。具有速度高达 1GHz 的 Arm® 或数字信号处理器 (DSP) 内核的处理器可以帮助我们集成多个传感器、语音识别和家庭自动化。具有无线连接功能的处理器可以帮助我们通过物联网 (IoT) 实现设备或云之间的交互连接。
随着送货服务需求的快速增长,电动摩托车(e-motorcycle)作为一种运输方式越来越受欢迎,因为它的电池容量远大于电动自行车/电动滑板车的电池。更大的容量可以延长乘车时间,这有助于节省时间并实现更远距离的交付。
开关电源中电磁干扰 (EMI) 的起源可以追溯到功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关过程中产生的瞬态电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt)。 ) 设备。
在大多数电源设计中,热性能至关重要。了解开关稳压器的局限性并了解如何充分利用它是优化系统性能不可或缺的一部分。
运算放大器(op amp)提高的精度和速度与其功耗的大小有直接关系。降低电流消耗会降低增益带宽;相反,降低偏移电压会增加电流消耗。 运算放大器电气特性之间的许多此类相互作用会相互影响。随着无线传感节点、物联网(IoT) 和楼宇自动化等应用对低功耗的需求日益增加,了解这些权衡对于确保以尽可能低的功耗实现最佳终端设备性能变得至关重要。在这个由两部分组成的博客文章系列的第一部分中,我将描述精密纳米功率运算放大器中直流增益的一些功率与性能之间的权衡。
DC-DC 转换器通常作为恒压 (CV) 稳压器实现。无论输入电压和负载电流如何变化,控制环路都会调整占空比以保持恒定的输出电压。
当电源突然与其负载断开时,电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生剧烈的电压尖峰,这可能对电路上的电子元件有害。与电池保护应用类似,这里的 MOSFET 用于将输入电源与电路的其余部分隔离。
现代便携式电子设备包括高容量锂离子电池,可为我们熟知和喜爱的功能供电,例如高清摄像头、无边框高分辨率触摸屏和高速数据连接。随着功能列表的不断增加,支持它们所需的电池容量以及在合理时间内为电池充电所需的充电电流也在不断增加。
电池容量是衡量电池性能的重要性能指标之一,它表示在一定条件下(放电率、温度、终止电压等)电池放出的电量,即电池的容量,通常以安培·小时为单位(简称,以A·H表示,1A·h=3600C)。任何使用电池供电产品或设备的人都会意识到准确的电池容量指示器的重要性。让我们的设备在没有任何警告的情况下突然死机是非常令人沮丧的。