该电路使用一个在其线性模型时偏置的LT1011比较仪,和一个用来设置谐振频率的晶体管。该电路的频率可达数百kHz,并且与温度无关的时钟频率的占空比大约是50%。
低功率5V驱动的温度补偿晶体振荡器电路图如下所示:
信号(函数)发生器电路图如下所示:
场效应晶体管输入放大器有带源头反馈的固定偏压。所以输入阻抗很高而电容却很低。场效应晶体管可驱动一个射极跟随器,尽管其输出阻抗很低,并且以3:1的匝比供给一个变压器供。结果陶瓷共振器的阻抗最低时只有几欧姆。
该电路的输出波形既可以是方波的也可以是三角波的。左边区域的功能和使用正反馈磁滞比较仪电路的功能是一样的。反相输入在电源的一半处被电阻R4和R5偏置。输出反馈到第一阶的同相输入以控制频率。方波的振幅是第一阶
该场效应晶体管皮尔斯振荡器很稳定,也很简单。既可用作一个微处理器,也可用作一个数字计时器或者是计算器。其输出端的探头可用作检修时精确的注入振荡器。在输出端加上一段很短的电线,该电路就成了一个微功率发射
这个稳定振荡器电路在3-9V的电源范围的变化不会超出1Hz。这个电路之所以这么稳定,是由于使用了场效应晶体管和稳定的电容器。
当需要线性控制电压时,就需要用到这个线性充电斜坡发生器。可用于一些设备中,比如长周期的压控定时器,电压—脉宽转换器,和线性脉宽调制器。Q1是电流源晶体管,为定时电容Ct提供固定的电流。
该振荡器的输出具有高光谱纯度,并且很稳定。晶体管除了决定振荡器的频率,还可用作一个不期望谐波的低通滤波器,和边带噪音的带通滤波器。噪音带宽限制在低于100Hz。所有更高的谐波实际上为4MHz的基本振荡频率的第三
和晶体管串联的C1可用来调整振荡器的输出频率。频率可以在20pF到0.01μF的范围内变化,或者用作调整电容器,并且与晶体管负载电容近乎相等。X的值是一个近似值,可以为了大多数电路和频率改变。
该振荡器可用于工作频率为20-100MHz的第三和第五模式下的谐波晶体中。工作频率是由调谐电路决定的。
PNP型双极晶体管的偏置是由电阻分压器网络R1/R2。振荡晶体管的集电极一直保持电容C5的交流接地,C5非常靠近晶体管的位置。反馈是由电容分压器C2/C3提供的。
该电路是由一个单节1.35V汞电池供电的,提供1V的方波输出。如图所示,共射级装置中的晶体管是位于晶体管Q1和Q2之间的调谐电路。R提供的正反馈会导致振荡的发生。Q2的集电极型号被Q3调节成了正方形,在中断和饱和之间
该电路利用60Hz的电力频率作为时基来简化电路,而提供与晶体管的时基相媲美的长期精确性。四位显示器使用惠普5082-7340来显示所需的简单的四路二进制编码的十进制输入。美国国家半导体公司的MM5312N电路可将线频率分
一个MECL 10K的晶体振荡器和一个MECL III倍频器可组合成一个高速振荡器,具体如图所示。MC10101的一部分作为一个100MHz的晶体振荡器和晶体管在反馈回路中串联。液晶振荡电路可调谐晶体管100MHz的谐波,也可用来校准电