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Veeco上季营运优于预期 本季MOCVD接单强劲
由于LED、太阳能市场需求畅旺，MOCVD设备大厂Veeco公布2009年第4季财报，营收年增32.7%至1.464亿美元，本业每股稀释盈余0.41美元，高于2008年同期的0.15美元，双双优于市场预期，截至2009年12月底，累计订单总额达创
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三星/海力士NAND闪存芯片迈向20nm级工艺
继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的25n
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三星：450mm制造技术2015年将取代300mm技术
三星公司高级副总裁Joo-Tai Moon近日表示，18英寸(450mm)晶圆制造技术将于2015年取代现有的12英寸(300mm)晶圆制造技术，他同时还表示亚洲地区将是全球半导 体市场成长速度最快的地区，到2011年底，该地区的IC产量将占
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美纽约州匿名团体反对州政府资助450mm项目
日前，一个匿名群体就美国纽约州对CNSE/Sematech在Albany N.Y.的450mm晶圆研发中心进行资助表示反对。这个群体告诉纽约州的政客们州政府对450mm研发项目的任何资助不会对州内的任何公司产生好处，是浪费纳税人的钱。
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PCB抄板之PROTEL到ALLEGRO的转换技术2
当今IT产业的发展日新月异，对硬件设备的要求也越来越高，硬件设计师们面临如何设计高速高密度PCB的难题。常言道，工欲善其事，必先利其器，这也是越来越多的设计师放弃低端的PCB设计工具，进而选择Cadence等公司提供
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低功耗FPGA电子系统优化方法
首先与实测系统功耗进行对比，验证了Xilinx公司ISE软件包中FPGA功耗估算工具XPower的准确性。然后对FPGA设计中影响系统功耗的几个相互关联的参数进行取样，通过软件估算不同样点下的系统功耗，找到功耗最低的取样点，得到最佳设计参数，从而达到优化系统设计的目的。实验中通过这种方法，在一个FPGA读写SRAM的系统中，在单位时间读写操作数固定的条件下，选取了读写频率与读写时间占空比这两个参数来优化系统功耗。最终测试数据证明了该方法的正确性。
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中国电子纪检监察工作会议召开
中国电子2010年纪检监察工作会议2月3日在北京召开。中国电子党组成员、党组纪检组长郎加做纪检监察工作报告，国资委纪委副书记阮国平，中国电子党组书记、董事长熊群力出席会议并讲话。会议由中国电子党组成员、董事
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台面板半导体业进入大陆 政策有望松绑
据台湾媒体报道，台湾“行政院”预定本周核定、公布产业西进松绑项目，包括面板、半导体芯片厂、封装测试、半导体IC设计、再生能源发电和银行业等登陆参股等都将有条件松绑。台湾“行政院”高层
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成都IC基地与美国Magma公司共建联合开放实验室
1月21日，成都IC基地与美国Magma公司就在高新区共建联合开放实验室在成都IC基地公共技术平台举行揭牌启动仪式，双方共同建设高端通用集成电路设计公共技术平台。成都高新区管委会副主任傅学坤、美国Magma公司中国区总
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三星电子：瞄准世界最大IT企业目标
1969年，三星电子公司成立。40年前，三星电子不仅在世界上毫不知名，在韩国国内也只是电子业界的新生企业。40年后，三星电子已经是韩国出口业界的主力军，也成为世界电子制造业的强者。2009年，三星电子的销售总额达
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IC产业高层：现实残酷 委外代工势在必行
在美国加州举行的DesignCon 2010研讨会的一场座谈上，产业界代表针对IC委外生产模式的演进与影响各抒己见，所达成的共识是，半导体厂商将芯片外包设计、封测与制造，甚至是将部份业务营运委外，都是为了要降低成本并
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IC在后摩尔时代的挑战和机遇
后摩尔时代的特点随着工艺线宽进入几十纳米的原子量级，反映硅工艺发展规律的摩尔定律">摩尔定律最终将难以为继。于是，在后摩尔时代，充分利用成熟的半导体工艺技术，在单个芯片上实现更多功能与技术的集成已成为IC
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工信部：山寨产品已成行业发展不容忽视力量
编者点评(莫大康 SEMI CHina顾问)：作为主管部门对于山寨产品发表稍为正面的看法是首次，应该说是承认市场地位的进步。过去谈及山寨产品总是与假冒伪劣产品等同，实际上是现有品牌企业或者先进企业的一种偏见，也是它
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传欧盟将起诉三星等内存芯片厂商操纵价格
消息人士透露，欧盟监管机构计划对三星电子、英飞凌、海力士等十家内存芯片厂商提供诉讼，指责这些厂商操控价格，违背欧盟反垄断法规。消息人士称，欧盟委员会的指控有可能在本周或下周做出。三星电子和海力士分别是
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速度提升百倍 美科学家在4英寸基体上制成石墨薄膜
美国宾夕法尼亚州立大学光电材料中心(Electro-Optics Center Materials Division：EOC)的研究人员最近成功地在4英寸(100mm)大小的基体上制成了石墨薄膜，这种石墨薄膜是由碳原子组成的平面薄膜，薄膜的厚度极薄，只有
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