Si IGBT是硅绝缘栅双极晶体管的简写。碳化硅MOSFET是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。
用于太阳能光伏发电系统逆变器(含输入直流斩波级)的功率半导体器件主要有MOSFET、IGBT、超结MOSFET。其中MOSFET速度最快,但成本也最高。
逆变器是由具有中心抽头变压器,两只开关管V1、V2砀和两只二极管D1、D2构成的,是一种完全对称的结构形式。
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端
反激式开关电源的电压和电流的输出特性要比正激式开关电源的差。
该方案分为前后两级,前级采用推挽升压电路将输入的直流电升压到350V左右的母线电压,后级采用全桥逆变电路,逆变桥输出经滤波器滤波。
稳定工作时,第个开关周期导通期间电感电流的增加等于关断期间电感电流的减小。
通过特定的电路配置来实现电压升高的电路。其工作原理复杂而精妙,涉及电子元件的充放电过程、电压叠加以及能量转换等多个方面。
boost升压电路是一种常见的开关直流升压电路,它通过开关管导通和关断来控制电感储存和释放能量,从而使输出电压比输入电压高。
介绍单端正激式开关电源、自激式开关电源、推挽式开关电源、降压式开关电源、升压式开关电源和反转式开关电源。
确定控制信号的占空比:占空比是指PWM信号中高电平的时间占整个周期的比例。占空比决定了输出电路的平均功率。
开关电源可以使功率晶体管工作在导通和关断两种工作状态下,其实就是将输入直流电压幅值斩成和输入电压幅值相等的脉冲电压来实现。
开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器(EMI)、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。
在双管正激开关电源中,变压器是核心部件之一,其设计和参数选择对整个电源的性能有着重要的影响。
在电源供应领域,开关电源的纹波控制是提高设备性能的关键。本文将带领读者了解开关电源纹波测量的一系列步骤,以保障电源的稳定输出。