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Maxim喜获iPhone 5电源管理IC订单

据报导，花旗集团分析师Terence Whalen 13日发表研究报告指出，最近的供应链调查确认，模拟/混合讯号IC设计大厂Maxim Integrated Products, Inc.已赢得苹果(Apple Inc.)青睐，将为iPhone 5供应电源管理IC。Maxim 13日

电子设计自动化
2011-12-15

iPhone MAXIM 电源管理IC 苹果
Vishay提高其MLCC的最低容值

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，提高其VJ HVArc Guard表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器(MLCC)的最低容值。对于更低的容值，公司会提供C0G(NP0)电介质，电压范围1000V～2500V，及采用0805～2225的5种外形尺寸

电子设计自动化
2011-12-15

Vishay 高压 MLCC RC
18寸晶圆产业未到位效益要等等

一片18寸(450mm)晶圆产出的芯片数是12寸(300mm)的两倍以上，当18寸厂的时代来临时，将有助提高厂商的制造优势，不过，18寸厂投入成本相对较高，加上产业链尚未就绪，发挥效益仍需一段时间。2008年5月时，全球半导体制

电子设计自动化
2011-12-15

三星英特尔晶圆晶圆厂
TSMC确认将扩大旗下Gigafab工厂20nm产能

台湾TSMC公司宣布，该公司目前已经开始了旗下Fab15(Gigafab)工厂的phase3厂房建设，新厂房将会被用于20nm以及更先进的生产工艺。TSMC于2010年7月开始了Fab15,phase1的建设，并于2011年年中完成了设备的安装，计划于2

电子设计自动化
2011-12-15

TSMC GREEN FAB PHASE
第三季全球半导体制造设备出货额达106亿美元

国际半导体设备与材料协会日前宣布2011年第三季全球半导体制造设备出货额达106亿美元，与2011年第二季度相比下降11%，与去年同期相比下降5%。这一数据由SEMI与日本半导体设备协会(SEAJ)合作收集全球100家设备公司所提

电子设计自动化
2011-12-15

半导体制造半导体设备 SEMI FOR
台积电晶圆十五厂第三期动土

TSMC日前在中部科学工业园区举行晶圆十五厂第三期动土典礼;该厂第一期是于2010年7月动土、2011年年中完工装机并将于明年初开始量产，同时晶圆十五厂第二期也于2011年年中动工，预计将于2012年进入量产。台积电预估，

电子设计自动化
2011-12-15

CPU 晶圆台积电 APPLICATION
市场需求疲软，TI、Altera下调第四季度销售预期

由于市场需求疲软，芯片制造商德州仪器和Altera上周四分别下调了第四季度销售预期。德州仪器预计第四季度销售额将在31.9亿美元和33.3亿美元之间，低于之前32.6亿美元到35.4亿美元的目标。德州仪器预计每股收益21到25

电子设计自动化
2011-12-14

Altera OMAP
英特尔2014年进入14nm工艺，真正实现SoC化

2012年美国CES既将开幕，照惯例英特尔将发布全新产品，并为下一代产品吹风，关于英特尔2014年可能推出的产品开始频频曝光。英特尔北欧及比利时、荷兰、卢森堡经济联盟地区总经理PatBliemer在接受北欧硬件网站独家采访

电子设计自动化
2011-12-14

英特尔处理器 SoC BROADWELL
莱迪思有望年底以6200万美元收购芯片制造商SiliconBlue

莱迪思半导体公司（Lattice Semiconductor）今早宣称，将收购SiliconBlue Technologies。SiliconBlue Technologies是为手持设备市场提供移动器件解决方案的领先企业。莱迪思愿支付SiliconBlue约6200万美元现金，力争

电子设计自动化
2011-12-14

Silicon 芯片制造商莱迪思 API
2.5D封装+28nm,破除摩尔定律魔咒改变IC产业游戏规则

摩尔定律认为芯片上的晶体管数量每过18个月就会翻一番，过去20年，不管是和FPGA厂商还是ASIC厂商都在遵循在这个定律的发展，随着微电子技术更深入地改变人们的生活，摩尔定律似乎成了芯片技术发展的约束-----如何更早

电子设计自动化
2011-12-14

摩尔定律封装赛灵思 IC产业
赛灵思隆重进驻北京新址并宣布成立中国研发中心

21ic讯赛灵思公司（Xilinx, Inc.）日前在进驻北京新址的庆典上,强调其对高增长的中国市场的承诺。该公司不断扩大其在亚太地区的影响力，包括开设研发中心，并将本地销售、市场营销和应用工程设计等业务整合到统一的

电子设计自动化
2011-12-14

器件研发中心 FPGA 赛灵思
富士通新技术：0.4V电压即可驱动芯片工作

虽然芯片制程方面一直在飞速进步，不过自从进入0.18微米(180nm)时代CPU核心电压降至 1.xV级别后，即使是目前实际生产用最新的28nm制程也只能使核心电压维持在1V左右。“高”电压带来的功耗问题也使移动计算

电子设计自动化
2011-12-14

富士通电压驱动芯片 SRAM
日月光正考虑并购日月鸿

日月鸿董事会日前决议，向柜买中心申请终止兴柜股票柜台买卖。掌握99%日月鸿股权的封测大厂日月光(2311)表示，正在考虑是否将日月鸿并入。日月鸿董事会决议，基于目前业务、财务规画及整体经营策略考虑，向财团法人中

电子设计自动化
2011-12-14

DRAM 内存 PID IC封装
南通富士通日前成为SEMI会员

2012年12月，南通富士通作为拥有全球领先封测技术的代表性企业正式成为SEMI会员。自1997年10月成立至始终站在行业科技发展的前沿，坚持以科技创新为宗旨，成功承担并实施了“高集成度多功能芯片系统级封装技术研

电子设计自动化
2011-12-14

富士通半导体行业 IGBT SEMI
Altera实现了28-nm FPGA与PCIe Gen3交换机的互操作

21ic讯 Altera公司日前宣布，成功实现28-nm Stratix® V GX FPGA与PLX®技术公司ExpressLane™ PCI Express® (PCIe®) Gen3的互操作。Stratix V GX FPGA具有硬核PCIe Gen3 IP模块，是目前发售的能

电子设计自动化
2011-12-14

Altera FPGA GEN PCIE

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