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采用 ThinSOT 封装的降压型 DC/DC 控制器电流消耗仅为 16uA
凌特公司（Linear Technology）推出一个采用 ThinSOTTM（SOT-23）封装的降压型 DC/DC 控制器 LTC3801。该产品专为延长电池使用寿命而设计，可将待机电流消耗降至仅为 16uA。LTC3801 在正常工作、轻负载时的突发模式（
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飞兆半导体推出串化器/解串器 (SerDes) 装置
飞兆半导体 (Fairchild Semiconductor) 已推出四种LVDS串化器和解串器(SerDes)，能够解决与高速宽TTL接口相关的各种电磁干扰（EMI）和线缆尺寸问题，这类接口常见于各种通信、计算、工业及汽车等应用。飞兆半导体的串
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采用 2mm x 2mm DFN 封装的 900mA 全集成锂离子电池线性充电器不会过热
凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4059 微型单节锂离子电池线性充电器，它无需使用 3 个分立功率组件，在不使系统温度过高的情况下提高充电速度，并检测和报告充电电流值。此外，该产品采用最小的封装，但却没有
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IR推出两款革命性数字运动控制集成电路有助省去编程工作
功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 专攻运动控制的iMOTION集成设计平台再添两项新器件。全新IRMCK201及IRMCK203数字控制集成电路 (IC)，可针对不同种类的永磁或交流感应电机及其位置传
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IR全新多功能驱动集成电路
功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR2304及IR2308多功能600V高侧及低侧驱动集成电路，产品整合了专为照明镇流器、电源及电机驱动内的半桥MOSFET或IGBT电路而设的保护功能。IR230
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凌特公司在北京设立免费样品中心
日前，全球领先的高性能线性集成电路独立制造商 —— 凌特公司（Linear Technology）在北京设立了免费样品中心，为处于设计选型阶段的中国大陆工程师、大学及研究院等机构免费提供样品，从而更加直接、快捷地为全中国
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安森美半导体推出SMART HotPlug™集成电路
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出SMART HotPlug™智能、高集成器件的新产品系列，简化用于经常开关启动的计算机和电信系统的电路板热拔插功率保护。这些强化可靠的新器件，能消除因母线干扰、过
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IR推出线性电流传感的电机驱动器和逆变驱动器芯片组
功率半导体领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一款全新芯片组，用于IR专为电机控制而设计的iMOTION集成设计模拟级平台。该芯片组包含全新IR2175线性电流传感集成电路及现有的IR2136三相
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高效照相闪光灯电容充电器采用 ThinSOT 封装
凌特公司（Linear Technology）宣布推出高效快速照相闪光灯电容充电器 LT3468。LT3468 是一个独立的解决方案，用于照相闪光灯电容充电，所需线路板面积最小，无需软件开发。LT3468 能迅速有效地给高压（一般为 320 V
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具软启动功能、采用 ThinSOT 封装的高压 1.3MHz 升压型 DC/DC 转换器
凌特公司（Linear Technology）推出一个 1.3MHz 升压型 DC/DC 转换器 LT3467，它兼有 42V、1.1A 内部开关和软启动功能。LT3467 采用恒定频率电流模式架构，在 2.4V 到 16V 输入电压范围内工作，从而使它成为单节锂离
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采用纤巧 ThinSOT 封装的四路电源监视器在 VCC 低至 500mV 时仍保证复位
凌特公司（Linear Technology）宣布推出采用纤巧 6 引线 ThinSOT™（SOT-23）封装的四路电源监视器 LTC2903-1，它在 VCC 低至 500mV 时仍保证提供有效的 RESET# 信号。与传统电源监视器的 1V 电平相比，用低至
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飞兆半导体推出采用SC75 FLMP封装的低压MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及
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东芝为功率半导体设备提供无铅封装
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) 今日在公布其借助无铅封装提供对环境友好的产品的计划时宣布，该公司众多功率半导体的很多类型都将采用无铅封装或无铅涂层进行生产。由东芝公司 (Toshiba Corp.
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安森美半导体为高速、硅锗数据和时钟管理系列推出更小型耐用的QFN封装
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，其硅锗（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平（QFN）封装，进一步拓展了该公司在高速数据与时钟管理元件市场的地位。这种封
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安森美半导体新推SOT553和SOT563微型封装集成瞬态电压保护器件系列
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）致力于不断推出高性能、节省空间的器件，新推出的五款保护器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563单封装内集成了多个瞬变电压抑制（TVS）元件。这些SOT5xx封装TVS器件不
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