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支持DVB-H用户设备的测试系统（R&S）
罗德与施瓦茨推出了业界首套支持DVB-H用户设备的测试系统R&S TS-DVBH。这个新的平台是迄今为止唯一被GCF认证过的DVB-H测试方案，能够实现GCF 工作项目55（WI-55）要求的所有五个测试用例。 许多网络运营商已
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网络与频谱分析二合一测试仪（R&S）
在单台仪表内集成75欧姆网络分析与频谱分析功能，这在业界还是第一次。罗德与施瓦茨的R&S ZVL3-75提供了广泛的功能，设计紧凑，重量轻（7千克），可选电池供电。把这些独特优点结合在一起不但可以降低传统应用的
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超小型低功耗、高精度SAR ADC（TI）
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出超小型的 ADS795x 系列低功耗、高精度 SAR 模数转换器 (ADC)。该系列器件不仅可针对高密度应用实现优异的线性与 AC 性能，而且优化后还能最大限度地提升诸如手持式医疗仪器、可编程逻辑
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立体声音频功率放大器（新日本无线）
新日本无线开发完成了带音量控制的立体声音频功率放大器NJU7086，并开始发放样品。该产品最适用于便携式DVD,便携式 TV, PND(便携式导航仪), PC显示器等配有1W立体声放大器和耳机放大器的机器。NJU7086是一款由1W立体
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双电路低噪声CMOS单电源运算放大器（新日本无线）
新日本无线开发完成了双电路低噪声CMOS单电源轨至轨输出运算放大器NJU7029，并开始发放样品。 该产品最适用于加速度传感器，震荡传感器和光传感器的信号处理。 NJU7029是一款双电路CMOS 运算放大器。该产品继
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新一代超低成本手机芯片（英飞凌）
近日，英飞凌科技股份公司在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部宣布，推出其第三代超低成本（ULC）手机芯片。X-GOLD™110是当今世界上集成度最高、极具成本收益的、面向GSM/GPRS超低成本手机的单芯片解决方案。由
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立体声音频开关（Intersil）
Intersil公司宣布推出高集成度、超低失真的立体声音频开关ISL54406，可消除通常由开机和关机、开启和关闭静音，以及在音源之间切换引发的杂音。ISL54406既有出色的音频性能，又可减少外部组件的数量，因此非常适用于
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高速语音和数据开关（Intersil）
Intersil公司宣布推出高速语音和数据开关ISL54210和ISL54211。这两款高集成度器件的推出进一步确立了Intersil在小封装、高性能混合音频和数据开关上的领先地位。ISL54210和ISL54211具有出众的低失真音频性能、高速US
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5mm直插型圆形LED灯（Avago）
Avago Technologies(安华高科技)宣布面向各种多样化的电子标志和信号灯(ESS, Electronics Sign and Signal)应用，推出业内最明亮的5mm直插型LED灯产品。Avago的HLMP-ELxx/EGxx系列高性价比超高亮度红色和黄色LED除了
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新型超高精度Bulk Metal Z 箔电阻（Vishay）
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型超高精度 Bulk Metal® Z 箔电阻 --- E102Z。该款电阻可在 55°C 到 +125°C 的温度范围内提供达军品级标准的绝对 TCR 值 (±0.2 ppm/°C)，容差为 ±0.005% (50 ppm)，
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新系列高性能径向铝电容器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列径向铝电容器 --- 146 RTI，这些器件具有极低的阻抗值、高电容及高纹波电流，并可实现高达 +125°C 的高温运行。 146 RTI 器件可采用 13 种封装尺寸，从 10 mm ×
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快速FET运算放大器（ADI）
Analog Devices, Inc.（ADI）最新推出一款业界最快的场效应晶体管(FET)运算放大器——ADA4817。这款产品工作频率高达1GHz，设计用于高性能的便携式医疗诊断设备和仪器仪表设备。与竞争器件相比，可提供两倍的带宽，同
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新型TriMode探头系列（泰克）
泰克公司日前宣布，提供新型有源差分探头，和同时推出的DPO/DSA70000B全系列实时示波器一起，共同组成了业界最优秀的示波器测试系统。除以前提供的确立行业基准的13 GHz、16 GHz和20 GHz超高性能探头外，P7500系列探
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高性价比新系列隔离放大器（Avago）
Avago Technologies(安华高科技)今日宣布，推出具备短路和过载检测功能的高性价比新系列隔离放大器产品。采用光学隔离技术以及Sigma-Delta调制进行信号处理，Avago的ACPL-785J隔离放大器可以直接对电源转换器中的电机
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用于LTE和3G的两颗射频芯片（英飞凌）
近日，英飞凌科技股份公司在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部宣布，其研发的第二代用于LTE（Long-Term-Evolution）设备的射频发射器件SMARTi LU已可以向客户提供样片。SMARTi LU作为一颗采用65nm技术CMOS工艺的单芯
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