• 电动汽车上的电池组BMS(电池管理系统)

    由于汽车、公共汽车、货运卡车和电动滑板车的大量涌现,电动汽车(e-mobility)的发展越来越多。这也推动了电动汽车电池和动力系统制造技术的快速发展,并提供了创新的解决方案。 这些都提高了效率并降低了运营成本。逐步过渡到车辆的 48V 电源总线和引入高压电池需要采用适当的热管理技术。对最关键部件(如电池和充电系统)的温度进行持续监测和控制可提高车辆的可靠性、增加续航里程、提高驾驶舒适性并减少充电时间。

  • 无人机电子速度控制

    无人机的应用范围不断扩大,其应用范围广泛,从业余爱好领域到商业和工业领域,再到最先进的军事应用。无人机的优势是能够远程操作,因此可以飞越难以亲自到达的区域,危险或不方便。商业领域的应用是多方面的:农业、植物和建筑物的监控、射击区域,甚至是包裹、药品或必需品的运送。无人机的新的和进一步的应用很可能在未来几年被确定,届时它们将不再被视为玩具或小工具,而是作为改善我们生活质量的宝贵工具。

  • 使用 SiC MOSFET 提高工业驱动能效

    工业电源应用基于强大的电动机,可以在风扇、泵、伺服驱动器、压缩机、缝纫机和冰箱中找到。三相电动机是最常见的电动机类型,它由适当的基于逆变器的驱动器驱动。它可以吸收一个行业高达 60% 的全部电力需求,因此对于驱动器提供高效率水平至关重要。

  • 适用于 CSP GaN FET 的简单且高性能的热管理解决方案

    由于具有更好的品质因数,氮化镓等宽禁带半导体提供比硅更高的功率密度,占用的芯片面积更小,因此需要更小尺寸的封装。假设器件占用的面积是决定热性能的主要因素,那么可以合理地假设较小的功率器件会导致较高的热阻。3,4本文将展示芯片级封装 (CSP) GaN FET 如何提供至少与硅 MOSFET 相同(如果不优于)的热性能。由于其卓越的电气性能,GaN FET 的尺寸可以减小,从而在尊重温度限制的同时提高功率密度。这种行为将通过 PCB 布局的详细 3D 有限元模拟来展示,同时还提供实验验证以支持分析。

  • 适用于高达 220 W 的 USB PD 3.1 适配器的新型高压 GaN 解决方案

    USB PD是一种基于USB-C标准的快充技术。USB-C PD 可以提供比标准壁式充电器更大的电力,因此它对于快速将电力恢复到设备中特别有用。 Power Integrations 宣布推出 InnoSwitch 4-CZ 系列高频、零电压开关反激式控制器 IC 的扩展产品。当与 Power Integrations 的 ClampZeroTM 有源钳位 IC 以及最近推出的 HiperPFS-5 基于氮化镓的电源可选配时,新 IC 可轻松满足当前高达 220 W 的适配器和充电器的 USB 供电 (PD) 3.1 规范。因子校正器(PFC)。

  • 基于霍尔效应的数字磁传感器

    数字磁传感器是一种设备,其中输出开关根据外部磁场的存在在 ON 和 OFF 状态之间切换。这种类型的器件基于霍尔效应的物理原理,被广泛用作接近、定位、速度和电流检测传感器。与机械开关不同,它们是一种持久的解决方案,因为它们没有机械磨损,甚至可以在特别恶劣的环境条件下运行。数字磁传感器正变得越来越普遍,尤其是在汽车和消费电子领域,这要归功于诸如非接触式操作、无需维护、坚固耐用以及对振动、灰尘和液体的免疫等特性。

  • 电源的要求不断变化并适应电气负载的发展,创新电源介绍第一部分

    选择合适的电源转换器仅仅是找到最便宜的部件吗?事实证明,电源电压转换领域的创新是值得的,并且在市场上得到了回报——因为这些解决方案带来了更高质量的产品。本文概述了一些成功实现质量优于低成本电源转换器的应用示例。 电源转换器几乎用于所有电气设备。多年来,它们已经针对各自的应用条件进行了设计和调整。今天的制造商之间有区别吗?

  • 电源的要求不断变化并适应电气负载的发展,创新电源介绍第二部分

    正在进行重要创新的第二个领域是电磁兼容性 (EMC)。这是获得电路批准的重要先决条件。开关稳压器总是会产生电磁辐射。发射是通过每个开关稳压器中的脉冲电流产生的。它们取决于开关频率和开关转换的速度。所用电源中的辐射和传导发射也可能引发电子设备中其他电路部分的功能问题。因此,减少产生的干扰非常重要。

  • 一种高功率 PCB 热管理的方法

    整个电力电子行业,包括射频应用和涉及高速信号的系统,都在朝着在越来越小的空间内提供越来越复杂的功能的解决方案发展。设计人员在满足系统尺寸、重量和功率要求方面面临越来越苛刻的挑战,其中包括有效的热管理,从印刷电路板的设计开始。

  • 汽车应用中的宽带隙材料

    电动汽车 (EV) 和混合动力电动汽车 (HEV) 正在寻找提高功率转换效率的解决方案。 长期以来,大多数电子功率器件都是基于硅的,硅是一种可以在加工过程中几乎不会产生任何缺陷的半导体。然而,硅的理论性能现在几乎已经完全实现,突出了这种材料的一些局限性,包括有限的电压阻断能力、有限的传热能力、有限的效率和不可忽略的传导损耗。与硅相比,碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 半导体具有更出色的性能:更高的效率和开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。

  • 老化测试提高了 SiC 和 GaN 的可靠性

    新型宽带隙半导体(如碳化硅和氮化镓)在市场上的扩散对传统的老化和测试系统提出了挑战,因为裸片尺寸越来越小,并且组件可以承受更高的电压和温度。

  • 将配电设计迁移到 48V 总线的原因

    近年来,越来越多的应用程序需要不断增加的功率。例如,在云应用中可以找到对更高功率密度的需求,这导致大型数据中心能够处理大数据分析、人工智能和深度学习等最现代的应用。

  • 动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

    碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅,因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受,但专家们仍在不断检查其真实性。

  • 电源设计说明:面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

    在本文中,我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上,这些组件允许创建高效转换器和逆变器。

  • 电源仿真器预测数据中心动态性能

    数据中心是支持不断增长的数据交换和数据存储需求所必需的,如今已成为全球网络基础设施和计算设施的基本组成部分。2018年数据中心整体用电量已达205TWh,几乎占全球电力供应的1%。

发布文章