• 通过使用具有顶部冷却功能的 SMD 封装来提高 DC-DC 转换器的性能

    本文分析了表面贴装 (SMD) 封装中的硅 MOSFET在热性能方面与底部冷却封装相比在热性能方面的效率，从而降低了热阻和工作温度。它将展示如何降低结温有助于提高功率效率，因为主要硅 MOSFET 参数会因温度变化(如 RDS (on)和 Vth 电平)而发生更平滑的变化，以及降低总导通和开关损耗。

    功率器件
    2022-12-11
    表面贴装 (SMD) MOSFET 热性能

  • 使用先进性能的电机驱动方案，来解决电动汽车的使用焦虑

    电动汽车的概念对今天的消费者来说并不陌生。近两个世纪以来，电动汽车以多种形式存在。然而，在过去的几十年里，随着技术的进步和特斯拉等公司的成功——随着我们努力应对气候变化、空气污染和化石燃料供应不断减少的影响——越来越多的消费者开始考虑电动汽车比以往任何时候都。

    功率器件
    2022-12-10
    电动汽车 汽车驱动

  • 使用高压功率器件封装的设计说明

    尽管宽禁带器件近年来已经开始进入商业市场，但其封装设计尚未成熟，尤其是在高温高压应用方面。在本文中，将介绍为此目的而制造的 5 kV 双面冷却 GaN 功率模块(作为由高级研究计划署 - 能源资助的研究的一部分)。

    功率器件
    2022-12-09
    热效率 宽禁带器件

  • 具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍

    随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极和漏极构成硅化物，而不是传统的杂质掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是一个特殊的二极管，如在 I d -V ds特性的三极管操作期间指数电流增加。当在逻辑电路中应用此类器件时，小偏置电压极不可能发生，就会发生这种情况。

    功率器件
    2022-12-09
    肖特基势垒 MOSFET

  • PowerUP Expo讨论电力电子技术的下一步发展

    电力电子涉及从电气化到智能电网的一系列关键应用。是整个行业应对气候变化需求的根本支柱 2022年的PowerUP博览会在6月28日至30日举行。技术会议将包括几个特定主题的主题演讲、小组讨论、技术演示和关于主要技术趋势、市场需求和新的应用领域的教程。除了会议之外，还将有一个展厅，拥有来自主要电力电子公司的虚拟展位，以及一个聊天工具，让参观者可以直接与彼此、与主持人以及展览公司建立联系。

    功率器件
    2022-12-09
    电气化 PowerUP博览会

  • 适用于小尺寸面板的 ESD 和 EOS 解决方案

    小尺寸面板主要包括手机触摸屏、平板触摸屏、数码相机触摸屏。这些面板和主板之间最常见的数据连接接口是MIPI(移动工业处理器接口)。通过加入 TVS 保护方案，提高 ESD 和 EOS 耐受水平，可以大大降低电子产品在日常生活中受到干扰甚至破坏的机会，从而延长产品的使用寿命，降低返修率，允许消费者对产品的信任度更高，品牌美誉度也随之提高。

    功率器件
    2022-12-08
    ESD EOS

  • 建立SiC VJFET 的动态电路模型

    在与电子仪器相关的行业中，与传统的硅基半导体相比，宽带隙半导体的创新已被证明是有利可图和有效的。碳化硅 (SiC)宽带隙半导体是最先进的半导体之一，具有显着的相关性。这些半导体在各种参数(如高温、频率、电压等)方面表现相当出色。

    功率器件
    2022-12-08
    碳化硅 (SiC) 硅基半导体

  • 用于毫米波 (mmW) GaN HEMT 器件的基于 TCAD 的协同设计方法

    毫米波技术领域的不断进步因其波长减小和频带宽而对无线通信系统做出了贡献。这使制造商能够设计更小但性能更高的组件。氮化镓已证明自己在该领域是一种很有前途的半导体，其目标应用包括高功率放大器、宽带放大器和5G无线网络。

    功率器件
    2022-12-06
    GaN HEMT 毫米波 (mmW)

  • 什么是半导体？半导体材料具有与绝缘体和导体相同的导电特性

    半导体材料具有与绝缘体和导体相同的导电特性。它们可以由纯元素(如硅或锗)组成，也可以由两种元素(如砷化镓或硒化镉)混合而成。半导体材料可以通过在纯半导体中添加杂质来掺杂，从而改变它们的导电性能。

    功率器件
    2022-12-06
    半导体 半导体材料

  • 老化测试有助于面对 SiC MOSFET 的不稳定性

    在本文中，我们将重点介绍老化测试如何帮助评估碳化硅 MOSFET 在晶圆级的栅极阈值电压的稳定性。众所周知，关于 SiC 功率器件可靠性的一个主要问题是器件工作期间阈值电压 (V TH ) 的变化。

    功率器件
    2022-12-06
    老化测试 碳化硅 MOSFET

  • Infineon具有高度集成控制器的车内无线充电解决方案

    无线充电技术的范围从感应、磁共振和电容到射频辐射、激光、声学和其他新兴技术。电感耦合技术是领跑者1;因此，其相关的Qi 标准在无线充电中最为流行。 感应充电根据法拉第定律工作，其中功率发射器 (PTx) 线圈中的交流电会产生交变磁场。然后，该磁场与功率接收器 (PRx) 线圈相互耦合，并转换回交流电流，为连接在接收器侧的直流负载进行整流。

    功率器件
    2022-12-06
    无线充电 Infineon

  • 驱动和保护电源开关的先进解决方案

    今天，新的功率开关技术被广泛采用在高功率密度、高开关频率、小外形因素是关键要求的要求应用中。这些新的开关设备产生不同的三个关键应用是

    功率器件
    2022-12-06
    Skyworks 隔离门驱动

  • 如何选择合适的放大器来保护ADC芯片

    许多模拟系统必须以出色的保真度或低失真适应非常大范围的信号幅度。同时，一些信号链组件被过大的信号损坏。一个示例是模数转换器(ADC) 输入。对于像ADC16DV160这样的高性能 ADC ，其中一个 Vin 引脚上的绝对最大输入电压为 2.35-V。

    功率器件
    2022-12-01
    放大器 ADC

  • GaN 功率器件，E-模式 HEMT技术选择介绍和发展情况

    最流行的 e-mode HEMT 结构是在栅极上使用 p-GaN 层。实现的典型 Vt 在 1-2 V 范围内。HEMT 在开关应用中的固有优势得以保留，并且开关损耗可以更低。e-mode 器件的主要缺点之一是其低 Vt，这可能导致栅极对噪声和 dV/dt 瞬态的抗扰度较差。出于可靠性原因，最大栅极电压通常限制为 6-7 V，并且可能需要负电压来关闭器件。

    功率器件
    2022-11-30
    功率器件 GaN

  • .GaN 功率器件，D 模式 HEMT技术选择介绍

    氮化镓 (GaN) 功率器件在几个关键性能指标上都优于硅 (Si)。具有低本征载流子浓度的宽带隙允许更高的临界电场，从而允许在更高的击穿电压下具有降低的特定导通电阻 (Rds on ) 的更薄的漂移层。导通损耗可以通过较低的 Rdson 降低，而动态损耗可以通过GaN可能的更小的裸片尺寸来降低. 当它与铝基异质结构结合时形成二维电子气 (2DEG) 的能力导致了备受青睐的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件。

    功率器件
    2022-11-30
    功率器件 氮化镓 (GaN)
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