• GaN FET：音响发烧友的首选技术

    从智能设备充电器等低功率、低成本应用一直到高功率汽车应用，氮化镓 FET 正成为许多产品的广泛首选。大多数情况下，设计人员对 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，这导致器件具有比硅同类产品更大的功率能力。然而，高端音频放大器现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性导致注入放大器的可听噪声更少。

    功率器件
    2022-11-30
    GaN FET 音频放大器

  • 英飞凌的新建工厂计划，扩大功率器件的产能

    英飞凌扩展印度尼西亚后端站点以满足汽车 IC 需求 作为其长期投资战略的一部分，德国芯片制造商英飞凌科技表示，它计划扩大其在印度尼西亚巴淡岛的现有后端业务。预计将于 2024 年开始生产。

    功率器件
    2022-11-17
    英飞凌 功率器件

  • 关于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在内的外延设备发展状态，释放分子束外延的潜力

    对更强大和更节能设备的空前需求刺激了对砷化镓、氮化镓和碳化硅等化合物半导体的需求。这种材料需要通过外延生长的超纯薄膜。尽管分子束外延 (MBE) 是三种外延设备之一，长期以来一直被认为是利基市场，但它已准备好过渡到批量应用。

    功率器件
    2022-11-16
    碳化硅 氮化镓 砷化镓

  • 在单向车载充电器应用中使用碳化硅器件进行电源设计

    电动汽车车载充电器 (OBC) 使电动汽车能够在任何有交流电源的地方充电。根据功率级别和功能，它们可以采用多种形式。充电功率从电动踏板车等应用中的不到 2 kW 到高端电动汽车中的 22 kW 不等。传统上，充电功率是单向的。一个新的趋势是在 OBC 中添加双向功能，使 EV 可以成为移动储能系统。本文将仅关注单向 OBC，并讨论碳化硅在 2 kW 以上高功率应用中的优势。

    功率器件
    2022-11-12
    电动汽车 车载充电器 (OBC)

  • 如何应对电气设备热管理的几个方面考量

    应对电气设备温度，第一个考量就是加强散热。首先要采取的预防措施是采用并实施一种策略来分散电气和电子电路的热量。散热器的传热效率与散热器与周围空间之间的热阻有关。它测量材料散热的能力。具有大表面积和良好空气流通(气流)的散热器，提供最佳散热。为此，必须安装合适的散热器，与相关方直接接触。

    功率器件
    2022-11-12
    散热 热管理 GaN

  • 专为手持式电池电源轨设计的 ESD浪涌保护解决方案

    物联网为我们的日常生活带来了额外的便利。为了使电子产品更易于携带和使用，产品设计工程师一直在接受挑战，以在更小的 PCB 空间和更高的电子电路集成密度上为设备生产更多的功能。我们日常看到的手机、智能穿戴、无线耳机、电子烟甚至AR护目镜都被大家津津乐道，小尺寸0201封装是电子PCB设计的主流。更重要的是，具有更高集成密度的系统级封装 (SiP) 并非闻所未闻。

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    2022-11-12
    物联网 ESD浪涌保护

  • 用于新一代电动汽车的 SiC MOSFET功率器件介绍

    电动和混合动力汽车的设计人员致力于提高能量转换效率，这些设备配备了紧凑型封装和高热可靠性电力电子模块组装，并降低了开关损耗。

    功率器件
    2022-11-12
    电动汽车 碳化硅 氮化镓

  • 瞬态电压抑制器：适用于高级应用的最佳 ESD 保护解决方案。

    随着 IC 晶体管密度的增加，IC 的静电放电 (ESD) 鲁棒性水平低于以前。这种低组件级的鲁棒性只能在工厂或实验室等受控良好的环境中保护芯片。IC在现场使用时不能承受更高的瞬态事件。为防止最终客户损坏 IC，产品设计人员使用基于 IEC 61000-4-2(ESD) 的系统级 ESD 测试方法在产品发布前对其进行验证。ESD空气放电和ESD接触放电是常见的ESD测试方法。此外，设计人员还可根据 IEC 61000-4-5 进行 EOS 测试，以模拟电源开关浪涌或雷电偶。

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    2022-11-12
    瞬态电压抑制器 ESD

  • 高分辨率面板ESD的最佳解决方案

    近年来，面板厂商专注于高品质面板的开发，各家纷纷投入高端面板设计进行差异化;产品类型包括笔记本电脑、电视、显示器和 AIO(一体机)电脑。然而，随着高端面板的兴起，也出现了许多新的问题。

    功率器件
    2022-11-12
    ESD 高分辨率面板

  • 在项目中使用陶瓷电容器时，当陶瓷电容损坏导致设备失真

    电容的偏压特性也叫做偏置特性，也有的人把它叫做电容的直流电压特性，它的意思是电容两端如果加入直流电压时，电容值会随着直流电压的上升而降低，下图是电容：GRT155C81C105KE13的偏压特性曲线图，电容是1uF、封装为0402电容，左图中可以看到随着直流电压的上升电容的容量是逐渐减小的，当电容两端电压是4V时，1uF电容下降了33.6%，变成了1*(1-0.336)=0.664uF，那么怎么更直观的理解这个参数的影响呢?实际电路设计应用中又如何规避偏压影响呢?

    功率器件
    2022-11-11
    陶瓷电容器 设备失真

  • 在项目中使用陶瓷电容器时，当陶瓷电容损坏的直流偏置

    电子产品体积更小、功能更多是一种普遍趋势。这转化为：“把它塞进去”，因此设计师自然会寻找越来越小的零件。 纸面上至少有一个 0.1 µF、1206 大小的电容器，今天可以买到 0402 大小的电容器。但它真的是等效电容吗?我们将看看这里的一些问题。

    功率器件
    2022-11-11
    陶瓷电容器 直流偏置

  • EPC 在意大利开设基于 GaN 的电机驱动设计应用中心

    新兴电子应用需要能够从更紧凑的平台中获得更高性能的电机设计。设计人员很难满足基于传统硅 MOSFET 和 IGBT 的电机驱动器电路的新要求。随着硅技术达到功率密度、击穿电压和开关频率的理论极限，设计人员控制功率损耗变得更加困难。这些限制的主要影响是在高工作温度和高开关率下的次优效率和额外的性能问题。

    功率器件
    2022-11-07
    氮化镓 带隙半导体

  • 最新的 dc/dc 控制器与 NexFET 功率 MOSFET 的组合可以提高电源效率

    全球能源价格的上涨以及与电子产品相关的运营费用的增加正在成为设备和/或消费品采购决策的重要组成部分。因此，研发工程师一直在寻找降低产品功耗的方法。过去，这主要适用于电池供电的应用，因为效率会严重影响设备的运行时间。然而，这种趋势近年来已经扩大到包括许多离线供电的消费品。

    功率器件
    2022-11-07
    MOSFET DC/DC 控制器

  • 对电源应用的集成电路进行一般热分析

    热分析是材料科学的一个分支，它研究材料随温度变化的特性。所有集成电路在受到电压时都会产生热量。因此，为了将器件的结温保持在最大允许值以下，应提供通过封装的热流估计。

    功率器件
    2022-11-07
    电源 热分析

  • PCIe 4.0 的最佳 ESD 解决方案

    PCIe，PCI-Express的简称，是一种高速串行计算机扩展接口标准，具有高速串行双向传输和大带宽的特点。成为主流的接口传输标准之一。在系统设计方面，SSD 技术的加速发展，除了用作扩展卡或显示卡的传统 PCIe 插槽外，还鼓励开发用于连接 SSD 的 M.2 和 NVMe 连接器。为了避免 CPU 频带限制妨碍显卡和 SSD 发挥最佳性能，我们开发了 PCIe 4.0 来接听电话。

    功率器件
    2022-11-07
    ESD PCIe 4.0
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