摘要:通过分析设计,提出了一种新型结构的叠栅MOSFET,它的栅电容是由两个电容混联组成,所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的作用。模拟软件MEDICI仿真结果验证了理论分析的预言,从而表明该结构可用作射
0 引言 Boost电路应用到功率因数校正方面已经较为成熟,对于几百瓦小功率的功率因数校正,常规的电路是可以实现的。但是对于大功率诸如感应加热电源,还存在很多的实际问题。为了解决开关器件由于二极管反向恢
诸如 DSP 与 FPGA 等高性能信号处理器件要求多种针对内核及 I/O 电压生成不同电压的电源。电源输出上电和断电顺序对器件操作和长期可靠性至关重要。德州仪器 (TI) 提供的 SWIFT? 系列高集成度电源管理 IC 能够满
O 引言 近年来低压差稳压器(LD0,Low Dropout Regulator)、准低压差稳压器(QLDO,Quasi Low Dropout Regulator)和超低压差稳压器(VLD0,Very Low Dropout Regulator)竞相问世,并在低压供电领域获得推广应用。
今天的高性能ASIC和微处理器芯片消耗的功率可超过150瓦。对于1 V"1.5 V的供电电压,这些器件所需要的电流可轻易超过100 A。通过采用多相直流/直流转换器,为此类器件供电的任务可变得更容易处理。 目前,可扩展控
摘要:基于AVR单片机设计了一种LED遥控照明系统,给出了红外接收模块和LED驱动模块的设计方法,以及软件程序流程。经测试,该方案可行,具有一定的应用价值。 关键词:PWM;LED照明;AVR引言 LED照明已经进入了
提出了一种以基于ARM的超声波检测系统为背景,ARM微处理器S3C2440A为核心控制器,激励脉冲宽度、重复频率和电压幅度可调的超声波发射电路。该电路的高压电源采用一种可控高压电源设计方案.能输出0~1000V电压,重点分析了激励脉冲对超声波信号的影响、电路中各个元件对超声波激励脉冲的影响以及基于ARM的PWM控制脉冲的产生。从理论上得出发射电路中各个电阻与激励脉冲电压电流的数学关系,发射电路可以激励不同探头产生多种频率和发射功率可调的超声波。
如果允许任何一节或几节电池过度放电,那么可再充电电池组的性能就会过早地发生劣化。当电池组变至完全放电状态时,最弱的那一节或几节电池的 ILOAD•RINTERNAL 电压降将会超过内部 VCELL 化学电势,而且电池端
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)宣布针对开关应用,推出两款具有低栅级电荷的车用 DirectFET®2 功率 MOSFET ,这些开关应用包括开关电源 (SMPS) 、D 类音频系统、高强度气体放电灯 (HID) 照明
如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰
本文利用高速TMS320LF2407A型DSP控制芯片设计了系统的控制电路,采用全桥逆变器作为超声振动系统的功率转换主电路,解决由于负载温度变化等原因产生谐振频率的漂移,保证系统的高效率。这里研究了粗精复合的频率
本设计中使用的TB6612FNG是一款新型驱动器件,能独立双向控制2个直流电机,它具有很高的集成度,同时能提供足够的输出能力,运行性能和能耗方面也具有优势,因此在集成化、小型化的电机控制系统中,它可以作为理
LDO的种类 LDO是新一代的集成电路稳压器,它与三端稳压器最大的不同点在于,LDO是一个自耗很低的微型片上系统(SoC)。 LDO按其静态耗流来分,分为OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三种产品。 Omn
现代电信系统需要更宽的带宽、更快的数据率、更严密的保密措施、更新性能、更多的用户和用户特性的广泛性,这促使为现代电信系统提供dc电压和电流的电源设计,正在从传统形式转变到新的技术形态,基于dc-dc变换器的
节能设计正在席卷整个电子行业。电子设备的广泛使用对电网的压力越来越大,因此节能就显得非常有必要了。 政府机构和公用事业公司提出了一系列的法规和措施,来鼓励工程师开发效率更高的产品,尤其是在使用外置