电源
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结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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锂离子/锂聚合物电池充电器IC（Intersil）
Intersil公司宣布推出新款充电器IC --- ISL9220，以扩展其不断增长的紧凑型、高集成度电池充电IC系列。新器件基于开关模式拓扑结构，可以确保包括智能手机、平板电脑在内的便携电子产品中单节及双节锂离子/锂聚合物电
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开关电源中RC缓冲电路的设计
摘要：开关电源中缓冲电路性能的好坏直接影响到系统的品质。文中给出了一种结构简单、安装方便的RC缓冲电路的设计方法，该方法不仅能降低开关管的关断损耗，而且还能降低变压器的漏感和尖峰电压。 关键字：RC缓冲电
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三相PWM电机驱动器A3936及其应用
摘要：A3936是美国Allegro公司生产的一种DMOS三相PWM电机驱动器，文中详细介绍了A3936的主要特点、引脚功能和工作原理，给出了基于PCI04的某型船载卫星电视接收系统中三维伺服驱动控制系统的硬件电路设计方法。 关键
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基于TPS2301的热插拔电路设计
摘要：简要介绍了快速热插拔器件TPS230l的主要特点，给出了一种基于TPS230l的热插拔控制电路的设计方法，同时就设计要点进行了详细的分析。 关键词：热插拔；TPS2301；MOSFET；电流感应电阻O 引言 随着现代通信
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基于TMS320F2812的三电平逆变器载波调制方法研究
摘要：主要对二极管箝位型三电平逆变器的拓扑与控制进行了研究，并以此作为进一步研究的基础，对三电平NPC逆变器的载波同相层叠和反相层叠PWM控制方法进行了分析，同时对两种载波层叠方式下输出电压的谐波特性进行了
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节省电池能量的系统断电电路CPLD
今天，大多数的CPLD（复杂可编程逻辑器件）都采用可减少功耗的工作模式，但当系统未使用时，应完全切断电源以保存电池能量，从而实现很多设计者的终极节能目标。图1描述了如何在一片CPLD 上增加几只分立元件，实现一
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一种CMOS绿色模式AC／DC控制器振荡器电路
摘要：此振荡器专门针对恒压恒流(CV-CC)控制、频率抖动(Frequency Shuffling)技术。采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计，锯齿波信号的线性度较好，当负载电路减小时，自动进入Burst Mode状态提高系统的效
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安森美半导体针对不同应用的先进LED驱动器方案
安森美半导体针对不同应用的先进LED驱动器方案 如今，高亮度LED在光输出、能效及成本方面得到了全面改善，同时具备了小巧、低压工作及环保等众多优势，应用范围也在不断拓宽。未来，LED照明在通用照明、LCD背光
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24 V直流电机控制系统的设计
摘要：在PWM直流调速原理的基础上，设计了一种基于PICl6F690单片机和MOSFET的24 V直流无刷电机驱动器。介绍了以PICl6F690单片机为核心的控制系统实现方法，给出了设计的总体框图，部分硬件电路和控制软件流程图。该驱
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基于LPC916、CS5463的新型多功能电能表电路设计
0 引言 传统感应式电能表用其结构和原理上的制约，通常存在着测量范围小，稳定性差，精度低等缺点而不能适应社会发展的需要。随着微电子技术和单片机的发展和普及，新型智能化测控技术迅速发展。以单片机为核心的
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利用ATE（自动测试设备）测试电源负载的数字可编程精密电阻
图1所示的数字可编程精密电阻可在定制设计的 ATE（自动测试设备）中用作微处理器驱动的电源负载。IC1 是一个 8 位 电流输出型 DAC，即DAC08型DAC ，它驱动电流-电压变换器 IC2A，IC2A又驱动功率 MOSFET Q1 的栅极。被
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基于EconoDUAL 3设计的600A/1200V汽车驱动方案
EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文介绍EconoDUAL 3模块主要特性,典型应用电路以
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100V 隔离型反激式 DC/DC 控制器（Linear）
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高输入电压隔离型反激式 DC/DC 控制器 LT3748，该器件极大地简化了隔离式 DC/DC 转换器的设计。由于输出电压是从主端反激信号中检测，所以无需光隔离器、第三绕组
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30V车用 MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为
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