由于双列直插式(DIP)智能功率模块(IPM)内置高压集成电路(HVIC),使采用单一控制电源供电成为可能。对控制电源的性能指标要求为:+15V(+-10%),dv/dt≤(1V/us,V纹波>≤2Vp-p。HVIC器件通常会忽略掉脉宽<50ns、
瑞萨电子株式会社正式宣布:推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品。新产品主要面向汽车电子控制单元(如引擎控制单元和泵电机控制单元)的应用,采
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω,栅极电荷减小为48
为了满足能源之星(ENERGY STAR)法规要求并降低材料清单(BOM)成本,设计人员力求在总体产品设计中以更少的组件数目实现稳定的性能。这种对高能效设备的需求,使得设计人员越来越多地使用功率因数校正(PFC)技术。飞兆半
本文在硬件电路设计上采用DSP 芯片和外围电路构成速度捕获电路,电机驱动控制器采用微控制芯片和外围电路构成了电流采样、过流保护、压力调节等电路,利用CPLD实现无刷直流电机的转子位置信号的逻辑换相。在软件设计上
同PC机原先的串口、并口相比,USB口除能大幅提高数据传输速率之外,还具有为外部设备供电的能力。USB外设电源的合理设计,也就成为可以探讨的实际问题。本文参照USB的有关技术规范,阐述USB外设电源的一般设计原则,
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
1. 引言 很多电器设备在不使用时,仍继续耗电。如电视机在待机状态通过遥控器能使其启动,但在待机状态需要消耗能量;又如某些电器在空载状态下,只要将其插入电源插座中就耗电。单一设备的耗电量微不足道,但千
探讨一种用于PEMFC控制系统的多路输出DC/DC变换器,通过计算和仿真设计了主电路和控制电路的参数。根据所设计的电路参数,选择合适的主电路器件,控制电路采用基于DSP的全数字控制系统,研制出多路输出的PEMFC控制系统电源,并对研制的开关电源进行了性能测试,能够适应PEMFC发电机变化范围大的动态输出特性.满足控制系统的需求。
美国国家半导体公司(NS)宣布推出一款全新的电压模式同步降压控制器,其特点是可以驱动多种不同的高电流负载点应用,特别是打印机、电信、网络联系及嵌入式计算等设备中。 这款型号为LM27402控制器是美国国家半
为提高半导体激光器光功率输出稳定性,并保证激光器安全、可靠工作,设计了半导体激光器的驱动电源。驱动电源主电路采用同步DC/DC方式,输出效率高;驱动电路可以产生200 kHz触发脉冲,降低了输出电流的纹波,保证激光器输出功率稳定;驱动电路带有过压比较器及过流比较器,保证激光器安全工作。经过仿真和实验表明:该驱动电源在20 A工作时效率达到85%以上,纹波小于5%。
针对电池智能检测与充放电过程中要进行大电流功率转换的需求,提出了一种利用高精度大电流功率开关来进行电池充放电过程中的大电流功率转换方案。采用Infineon Technologies AG公司生产的BTS660作为大电流功率转换器件,并利用2片BTS660级联来实现充放电过程中的控制,同时重点介绍了其在电池智能检测与充电装置中的应用,并给出了应用电路。结果表明:该方案中的电路工作稳定,并可实现在电压大于70 V时的过压保护及短路电流为90 A的过流保护,对实现充放电过程中的大电流功率转换起到了良好的转换和
1引言 感应加热是将工件直接加热,它具有效率高,作业条件好,温度容易控制,金属烧损小,无需预热等优点。 传统的感应加热设备应用的电力电子器件是电子管和快速晶闸管。电子管电压高,稳定性差,幅射强,效率低,已
从以太网络供电获得最大功率的解决方案:下降法DC/DC并联电源普遍使用的一项技术,就是所谓的下降法。如果并联电源的输出电压降低,负载电流升高,并联电源将会分享电流。这种方式不需要在电源之间通讯,也不会出现单
TPS61185是高度集成大尺寸LCD背光解决方案.器件包括内置的高效率升压稳压器和2.0A/40V功率MOSFET.8个电流沉稳压器具有高精度的电流稳流和匹配(1%),支持多达80个LED,每串串联多达10个LED.输入电压4.5V -21V, 开关频率