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  • 中芯国际突破关键技术，IP实现自主国产

    近日，中国一站式IP和定制芯片企业芯动科技宣布：已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。N+1工艺在功耗及稳定性上与7nm工艺相似，但性能要低一些(业界标准是提升35%)，主要面向低功耗应用，其后还会有面向高性能的N+2。 N+1工艺是中芯国际在第一代先进工艺14nm量产后，第二代先进工艺的代号。据透露，与14nm相比，N+1工艺有了更大的突破——性能提升20%、功耗降低57%以及逻辑面积缩小63%，中芯国际联合CEO梁孟松披露，在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺提升较小。 流片是芯片量产前的一个必要步骤。为了测试集成电路设计是否成功，需要对芯片进行试生产，以检验电路是否具备所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地量产芯片;反之，就需要找出其中的原因，并进行相应的优化设计。 中芯国际的N+1工艺有望于2020年底小批量试产。按照这样的时间表推测，如果顺利的话，中芯国际N+1工艺确实可能会在2021年规模量产。 除了手机处理器使用到最先进芯片制程之外，许多的芯片对于制程的要求并不高，以台积电为例，台积电2019年晶圆出货量达1,010万片12寸晶圆约当量，上年为1,080万片12寸晶圆约当量。先进制程技术(16nm及以下更先进制程)的销售金额占整体晶圆销售金额的50%，高于上一年的41%。提供272种不同的制程技术。 而剩余的50%都是16nm以上制程，可以说，中芯国际的7nm工艺将满足国内绝大部分芯片需求。在目前缺少第五代EUV光刻机的情况下，中芯国际也很难再向5nm工艺迈进。 目前中芯国际收到美国的制裁，也在一定程度上影响了其先进制程的研发，虽然中芯国际受到美国出口限制，但是目前中芯国际的情况还未到最糟糕的时刻。目前美国并未将中芯国际列入实体清单，中芯国际也仍有望顺利获得部分的许可，以使得部分成熟的制裁的生产能够维持。 不过，对于中芯国际来说，其目前仍严重依赖美系半导体设备供应商，包括美国美国应用材料、泛林集团、科磊、泰瑞达等。所以，首先需要考虑的则是，如何维持足够长时间的运转，以便能够支撑到不受美国制约的去美化产线的建成。 中芯国际的未来，还要靠国内建成完善成熟的芯片产业链，从而可以实现高端芯片设计制造都可以在国内完成。

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  • 日本在MLCC领域的优势远超中韩

    据日经亚洲评论报道，电子器件厂商在5G智能手机的供货方面竞争激烈。其中，在4G产品上拥有稳固市场份额的日本制造商希望通过MLCC的微型化技术，保持其对于中国和韩国竞争对手的领先优势。 村田制作所董事长村田恒男表示：“考虑到目前的芯片安装技术，它的尺寸要尽可能小。”该公司展示了该公司的新型多层陶瓷电容器，这些电容器也已经开始大量生产，是智能手机的关键部件。 在智能手机中，MLCC用于存储和放电以维持电路中的稳定电流。村田制作所的新设备尺寸仅为0.25毫米x 0.125毫米，是世界上最小的MLCC，体积仅为同类产品的五分之一，但蓄电能力却是其十倍。 MLCC放置在智能手机的整个电路板上。高档电话中使用了大约800个MLCC。在5G手机中，这个数字又要高出20%。 英国技术研究专家Omdia的日本电子研究负责人南川明(Akira Minamikawa)表示，由于其先进的微型化技术，日本MLCC制造商在竞争中具有超越外国竞争对手的坚实优势。他说：“中国和韩国的竞争对手仍然不能‘复制’日本的MLCC”。 5G智能手机比4G型号需要更多具有更严格规格的零件，以便以更高的速度处理更大的吞吐量。由于空间非常宝贵，因此5G设备在很大程度上依赖于可以缩小零件并增强其功能的技术。 占用最多空间的组件是电池。5G手机消耗更多的功耗，且可以更快地处理更多数据。不过因为受设计体积限制，5G手机需要更大容量的较小电池。 TDK在香港的子公司Amperex Technology占据了全球智能手机锂离子电池市场30%的份额，他们今年来一直在通过开发层压锂离子电池来提升其小型化技术。 总部位于东京的Techno Systems Research的研究人员藤田满隆(Mitsutaka Fujita)表示，除了苹果(Apple)和三星电子(Samsung Electronics)等传统客户外，ATL还为中国和其他地区的中型制造商提供了越来越多的服务。他预测，今年ATL的市场份额将继续增长。 智能手机还配备了过滤器，可通过屏蔽其他频率来拾取特定频率。随着电话必须处理的频段数量增加，对滤波器的需求也随之增加。5G手机不仅可以处理Sub-6 GHz频谱和毫米波段(24.25 GHz至52.6 GHz)的高频范围，而且还可以处理较旧手机使用的高频范围。 一种广泛使用的滤波器称为表面声波滤波器。典型的智能手机配备了约50科此类芯片，但预计5G手机中的数量将增加到多达70种。 由于Sun-6 GHz和毫米波段的频率比前几代无线技术所使用的频率更高，因此常规的滤波技术可能不够精确。为了应对这一挑战，村田制作所于10月份收购了设计无线电滤波器的美国公司Resonant的股份。村田制作所计划使用与Resonant共同开发的技术来创造新产品，并于2022年开始批量生产。 5G技术还需要更小的连接器来连接印刷电路板。它们必须以极低的噪声工作，以免干扰高速数据通信。 NEC子公司Japan Aviation Electronics Industry正在研究制造无噪声连接器的新技术。该公司正在利用其为航空航天应用开发的技术来在5G智能手机组件市场中立足。 许多日本电子元件制造商自行开发材料和制造设备。他们拥有无法效仿的核心技术，使竞争对手无法复制其产品。 南川明说：“中国和韩国的竞争者将在未来十年缩小与日本竞争者的差距，但由于日本制造商还将发展其技术，它们将无法轻易追赶。” 但是，尽管有这些优势，日本制造商并没有在智能手机零件的整体市场中占据主导地位。例如，三星和其他韩国公司控制着全球90%的有机发光二极管显示器市场，这些显示器由于比LCD更薄，更轻而在越来越多的5G手机中使用。 尽管中国京东方科技集团(BOE Technology Group)试图从韩国竞争对手手中夺取份额，但在这一领域却鲜有日本公司参与。 同时，许多美国公司是智能手机芯片技术的领导者。高通公司计划在2021年推出兼容5G的处理器，专家表示，这将为低价手机带来更快的网络标准。这将是高通公司的最新芯片组产品，高通公司正在稳步扩展其5G兼容产品组合。 Kioxia是唯一一家至今仍屹立不倒的日本存储芯片制造商。该公司正为大规模生产下一代存储器做准备，以利用对大容量产品需求的预期增长获利。 该公司高层说，随着数据中心和其他设施数量的增加，“从中长期来看，对内存的需求将持续增长”。 中美之间的技术至上之战可能使日本5G组件制造商受益。南川明还表示：“如果美国和中国继续为争夺霸权而陷入僵局，中国制造商在技术联盟排行榜上的迅速攀升势必会放缓。”

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  • 氮化镓，日本加大力度研究的新一代半导体材料

    据日本媒体报道，日本经济产业省(METI)加大对新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的重视，为致力于开发新材料的企业提供大量财政支持，及METI将为明年留出大约2030万美元去资助相关企业，预计未来5年的资助将超过8560万美元。 经历了日美“广场协定”的日本 在半导体领域的优势已经完全转移到了材料和设备方面，如在硅片方面，日本的几家公司名列前茅，各种用在半导体芯片生产的气体和化合物方面，日本也不遑多让。 最近内国内媒体常提到的EUV光刻方面，虽然日本并没有提供相应光刻机，但他们几乎垄断了全球的EUV光刻胶供应，所以他们看好的半导体材料，是有一定的代表意义的。 在这里，我们来深入了解一下日本看好的这项半导体材料是什么。 1、什么是氧化镓? 氧化镓(Ga2O3)是一种新兴的超宽带隙(UWBG)半导体，拥有4.8eV的超大带隙。作为对比，SiC和GaN的带隙为3.3eV，而硅则仅有1.1eV，那就让这种新材料拥有更高的热稳定性、更高的电压、再加上其能被广泛采用的天然衬底，让开发者可以轻易基于此开发出小型化，高效的大功率晶体管。这也是为什么在以SiC和GaN为代表的宽带隙(WBG)半导体器件方面取得了巨大进步的时候，Ga2O3仍然吸引了开发者的广泛兴趣。 2、Si，SiC，GaN和Ga2O3对比 从器件的角度来看，Ga2O3的Baliga品质因子要比SiC高出二十倍。对于各种应用来说，陶瓷氧化物的带隙约为5eV，远远高于SiC和GaN的带隙，后两者都不到到3.5eV。因此，这种陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作电压，导通电阻也更低。 再从另一个角度看，易于制造的天然衬底，载流子浓度的控制以及固有的热稳定性也推动了Ga2O3器件的发展。相关论文表示，用Si或Sn对Ga2O3进行N型掺杂时，可以实现良好的可控性。尽管某些UWBG半导体(例如AlN，c-BN和金刚石)在BFOM图表中击败了Ga2O3，但它们的广泛使用受到了严格的限制。换而言之，AlN，c-BN和金刚石仍然缺乏高质量外延生长的合适衬底。 相关报道指出，Ga2O3具有五个不同的相态，其中，α相具有与Al2O3或蓝宝石相同的刚玉型晶体结构，这为研究者们在蓝宝石衬底上实现无应力Ga2O3层的沉积的提供了研发思路。 相关统计数据显示，从数据上看，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3,000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。这就让产业界人士对其未来有很高的期待。而成本更是让其成为一个吸引产业关注的另一个重要因素。 3、按步骤划分的Ga2O3衬底制造成本 据市场调查公司-富士经济于2019年6月5日公布的宽禁带功率半导体元件的全球市场预测来看，2030年氧化镓功率元件的市场规模将会达到1,542亿日元(约人民币92.76亿元)，这个市场规模要比氮化镓功率元件的1,085亿日元规模还要大。 4、行业的领先厂商 既然这个材料拥有这么领先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，据半导体行业观察了解，京都大学投资的Flosfia、NICT和田村制作所投资的Novel Crystal是最领先的Ga2O3供应商。 相关资料显示，Flosfia成立于2011年3月，由京都大学研究人员Toshimi Hitora，Shizuo Fujita和Kentaro Kaneko共同创立，不同于世界其他地区对GaN或SiC外延生长的方法研究，Flosfia的研究人员开发了一种新型的制备方法，它是将氧化镓层沉积于蓝宝石衬底上来制备功率器件。这主要依赖于其一项名为“Mist Epitaxy”(喷雾干燥法)的化学气相沉积工艺。 5、Mist Epitaxy简单介绍 我们知道，传统的化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition;CVD)是在真空状态下借反应气体间的化学反应产生所需要的薄膜，但大面积化有其困难，花费成本大也是问题点之一。但Flosfia所采用的Mist Epitaxy是将液体雾化之后再应用至成膜制程上。由于原料为液体，所以原料的选择性大幅提高，不需真空处理亦使得大面积化变得可行，这就有助于降低成本支出。 按照Flosfia官方所说，他们所产生的MISTDRY技术使他们能够基于氧化镓制造二极管和晶体管，而这些二极管和晶体管只需要比以前的体积少十分之一的电源。 6、传统SBD同样Flosfia的SBD的对比 从官网可以看到，公司在2015年所首发的肖特基势垒二极管(SBD)已经送样，而其521V耐压器件的导通电阻仅为为0.1mΩcm，855V耐压的SBD导通电阻也只是为0.4mΩcm。由此足以见证到这些器件的优势。 因为材料属性的原因，有专家认为用氧化镓无法制造P型半导体。但京都大学的Shizuo Fujita与Flosfia合作在2018年成功开发出具有蓝宝石结构的Ga2O3绝缘效应晶体管(MOSFET)，根据这项研究的结果，功率转换器的小型化可能会达到十分之几，并且降低成本的效果有望达到总功率转换器的50%。这就让这项技术和产品有望应用于需要安全性的各种电源中，并有望支持电动汽车和小型AC适配器的普及。 同样也是在2018年，电装与Flosfia决定共同开发面向车载应用的下一代Power半导体材料氧化镓(α-Ga2O3)。据电装表示，通过这两家公司对面向车载的氧化镓(α-Ga2O3)的联合开发，汽车电动化的主要单元PCU的技术革新指日可待。此技术将对电动汽车的更轻量化发展，燃料费用的节约改善起到积极作用，从而实现人、车、环境和谐共存。 从Flosfia的报道可以看到，他们也计划今年扩大规模，并实现量产。 Novel Crystal Technology(以下简称NCT)则成立于2015年，公司所采用的方案是基于HVPE生长的Ga2O3平面外延芯片，他们的目标是加快超低损耗，低成本β-Ga2O3功率器件的产品开发。开发出β-Ga2O3功率器件。 资料显示，NCT已经成功开发，制造和销售了直径最大为4英寸的氧化镓晶片。而在2017年11月，Nove Crystal Technology与Tamura Corporation合作成功开发了世界上第一个由氧化镓外延膜制成的沟槽MOS型功率晶体管，其功耗仅为传统硅MOSFET的1/1000。 7、氧化镓沟槽MOS型功率晶体管的示意图 按照他们的规划，从2019财年下半年开始，NCT将开始提供击穿电压为650-V的β-Ga2O3沟槽型SBD的10-30 A样品。他们还打算从2021年开始推进大规模生产的准备工作。公司还致力于快速开发100A级别的β-Ga2O3功率器件。 自2012年以后，业界不断公布关于氧化稼功率元件的研发、试做成果。迄今为止，已经试做了横型MES FET、横型MOS FET、Normally Off的纵型MIS FET。在SBD的实验中，已经证明了氮化镓器件的导通电阻比碳化硅的SBD低得多!在初级试验阶段就可以证明其性能超过碳化硅功率元件。而现在参加研发的日本企业持续增加。 来到美国方面，在今年六月，美国纽约州立大学布法罗分校(the University at Buffalo)正在研发一款基于氧化镓的晶体管，据他们介绍，基于这种晶体管打造的器件能够处理8000V以上的电压，而且只有一张纸那么薄。可以帮助制造出更小、更高效的电子系统，用在电动汽车、机车和飞机等场景。 此外，美国佛罗里达大学、美国海军研究实验室和韩国大学的研究人员也在研究氧化镓MOSFET。佛罗里达大学材料科学与工程教授Stephen Pearton表示，它们看好氧化镓作为MOSFET的发展潜力。 8、中国在这个领域的现状 面对这项新技术，国内表现又是如何呢? 让我们从网上的材料一窥其蛛丝马迹。 据观察者网在2019年2月的报道，中国电科46所经过多年氧化镓晶体生长技术探索，通过改进热场结构、优化生长气氛和晶体生长工艺，有效解决了晶体生长过程中原料分解、多晶形成、晶体开裂等问题，采用导模法成功制备出高质量的4英寸氧化镓单晶。报道指出，中国电科46所制备的氧化镓单晶的宽度接近100mm，总长度达到250mm，可加工出4英寸晶圆、3英寸晶圆和2英寸晶圆。经测试，晶体具有很好的结晶质量，将为国内相关器件的研制提供有力支撑。 在2019年12月，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全携手。在氧化镓功率器件领域取得了新进展。 据中国科学院上海微系统与信息技术研究所报道，欧欣课题组和韩根全课题组利用“万能离子刀”智能剥离与转移技术，首次将晶圆级β-Ga2O3单晶薄膜(<400 nm)与高导热的Si和4H-SiC衬底晶圆级集成，并制备出高性能器件。报道指出，该工作在超宽禁带材料与功率器件领域具有里程碑式的重要意义。首先，异质集成为Ga2O3晶圆散热问题提供了最优解决方案，势必推动高性能Ga2O3器件研究的发展;其次，该研究将为我国Ga2O3基础研究和工程化提供优质的高导热衬底材料，推动Ga2O3在高功率器件领域的规模化应用。 而在今年六月，复旦大学方志来团队在p型氧化镓深紫外日盲探测器研究中取得重要进展。报道表示，方志来团队采用固-固相变原位掺杂技术，同时实现了高掺杂浓度、高晶体质量与能带工程，从而部分解决了氧化镓的p型掺杂困难问题。 9、结语 可以肯定的是，氧化镓是一个很好的材料，但从西安电子科技大学郝跃院士在《半导体学报》的报道看来，氧化镓氧的低热导率问题值得关注，而P型掺杂依然是一个巨大的挑战。 其他挑战还包括研制出具有低缺陷密度高可靠的栅介质、更低阻值的欧姆接触、更有效的终端技术比如场版和金属环用来提高击穿电场、更低缺陷密度及更耐压的Ga2O3外延层以及更大更便宜的单晶衬底。 氧化镓功率器件为高效能功率器件的选择提供新的方案，它的未来将大放光彩。

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  • 大陆AMOLED驱动芯片市场占比不足1%，该如何提高本土化率？

    屏幕芯片市场的大半份额目前被掌握在韩国企业手中，在半导体面板综合市场，日韩企业在短时间内仍占据一定优势。韩系驱动芯片厂商LSI、Maganachip等得益于三星、LGD AMOLED的业绩优势，目前在全球AMOLED面板驱动芯片市场占据着75%的份额。 有机构预计，2020年，中国大陆厂商在全球AMOLED面板驱动芯片市场中的占比将达5%。该预测很可能过于乐观，实际上中国大陆AMOLED面板驱动芯片厂商的生存现状远比想象的还要残酷。2020年，中国大陆厂商在全球AMOLED面板驱动芯片市场占比可能连1%都不到。 为何AMOLED驱动芯片本土化率如此之低?中国大陆厂商该如何进一步提升AMOLED驱动芯片本土化率? 一、OLED驱动芯片投资潮兴起 随着中国大陆AMOLED面板产线陆续量产，近两三年中国面板厂商AMOLED出货持续攀升。根据群智咨询数据，2019年中国大陆AMOLED智能手机面板出货约5500万片，同比增长约165%，市场占比提升至12%。2020年尽管受疫情影响，智能手机市场持续低迷，但是Omdia仍然预计全球AMOLED智能手机市场将增长9%。 AMOLED市场的持续扩张将带动AMOLED面板驱动芯片需求的快速增长。2020年AMOLED面板驱动芯片全球市场规模预计60亿元，2021年有望达到80亿元。 面对巨大的市场前景，中国大陆驱动芯片厂商汇顶科技、集创北方、中颖电子、晟合微电子、格科微、云英谷、吉迪思、新相微、华为海思、芯颖、奕斯伟等纷纷涌入。 其中中颖电子从2009年就开始涉足面板驱动芯片研发，2015年AMOLED驱动芯片出样，2018年第三季度开始量产; 吉迪思在2016年第二季度量产刚性屏AMOLED芯片，2018年9月联手中芯国际正式量产40纳米AMOLED驱动芯片;2019年下半年，奕斯伟和云英谷开始量产AMOLED驱动芯片;今年6月，集创北方总部暨显示驱动芯片设计和先进测试基地项目正式开工;今年8月，广东晟合微电子有限公司已配合国内知名品牌作为第二供应商进行供货验证，其手机驱动芯片在出口市场全部验证通过。 显示行业人士透露，中国大陆AMOLED驱动芯片厂商已经在大量生产HD、FHD规格的产品。其中中颖电子、云英谷在AMOLED驱动芯片市场取得一定突破，实现了上百万片出货。 目前，韩国AMOLED驱动芯片厂商主导全球市场，中国台湾厂商和中国大陆厂商主要跟随着中国大陆AMOLED面板厂商的脚步逐渐成长，预计中国大陆厂商市场占比2021年有望超过1%。 二、OLED驱动芯片本土化率低 虽然中国大陆AMOLED驱动芯片厂商取得了一些技术突破，但是由于AMOLED驱动芯片技术难度大，中国大陆驱动芯片厂商积累不足，中国大陆面板厂商偏向采用更加成熟的AMOLED驱动芯片，中国手机大厂不敢冒险采用，导致中国大陆AMOLED驱动芯片厂商市场推进速度相对较慢。 目前，中国大陆AMOLED面板厂商处于发展初期，为了加快发展速度，更偏向采用相对成熟的AMOLED驱动芯片。原本三星LSI、Magna Chip、Silicon Works这三家韩系驱动芯片厂商是中国大陆AMOLED面板厂的首选，但是韩系驱动芯片厂商被限制向中国面板厂商供应AMOLED驱动芯片，拥有更多技术积累的中国台湾驱动芯片厂商成为中国面板厂商的第二选择。 在过去几年中，和辉光电和维信诺都采用瑞鼎科技的AMOLED驱动芯片，联咏也在2019年成为京东方主要AMOLED驱动芯片供应商之一，让台系驱动芯片厂商迅速发展，并跻身第二梯队。作为第三梯队的陆系驱动芯片厂商则主要依靠渠道切入维修市场，处于市场边缘地带。 AMOLED驱动芯片技术难度较大。以中颖电子AMOLED驱动芯片为例，虽然中颖电子早在2015年就推出FHD AMOLED驱动芯片样品，而且过去五年不断改版，不断升级，但是中颖电子至今还在停留在FHD阶段，可见 AMOLED驱动芯片有一定技术难度。 实际上，AMOLED驱动方式、像素排布与LCD的不同，所以AMOLED面板一般需要DMURA的电路补偿、特殊的像素排布算法。 据透露，OLED采用电流驱动，单颗像素需要多个TFT支持，但是随着晶体管阈值变化，TFT器件的电压会出现漂移现象，电流也会发生变化，影响OLED的亮度，所以OLED需要通过电路补偿的方式让电压不会出现漂移，消除MURA。 而且OLED像素排布方式与LCD RGB不同，所以驱动芯片需要采用一些特定的算法。此外，OLED驱动芯片需要先进的制程，例如，40nm、28nm工艺，流片和生产成本较高。 中国大陆OLED驱动芯片厂商属于后来者，技术积累不足，良率低。三星Display在OLED领域的投资已经超过15年以上，并进行全产业链进行布局，而中国大陆OLED产业还处于发展初期，大部分厂商处于亏损状态，无暇顾及驱动芯片发展，所以中国大陆驱动芯片厂商在OLED领域缺乏技术积累，需要一定的时间追赶。 显示行业人士表示，中颖电子在OLED驱动芯片领域积累了七八年的时间，才勉强打通OLED驱动芯片的一些基本技术难点，还无法攻克高PPI AMOLED驱动芯片技术，可见中国大陆AMOLED驱动芯片厂商还需要更多的技术积累。正因为缺乏技术积累，中国大陆厂商AMOLED驱动芯片的不良率较高，是同行业竞争对手50倍，很容易陷入亏损状态。 手机大厂虽然都在测试中国大陆OLED驱动芯片，但是不敢真正量产导入。手机厂商测试OLED驱动芯片周期一般需要几个月，而且很难一次性成功，所以国内手机厂商一般都不敢用国产OLED驱动芯片。 消息人士透露，国产OLED驱动芯片可靠性不足，很容易出事故。一旦发生事故，驱动芯片厂商不赔偿，面板厂商又不兜底，所以手机厂商一般都不会导入中国大陆厂商OLED驱动芯片。 华为相关负责人曾经引入过联咏驱动芯片，后面出现事故，导致这位负责人直接下台，现在华为相关负责人都不太敢用中国大陆AMOLED驱动芯片。 三、如何进一步提升本土化率? 随着中国大陆AMOLED产能不断释放，中国大陆AMOLED驱动芯片厂商将迎来巨大的本土化替代机会。特别是受到美国华为芯片禁令的影响，未来AMOLED驱动芯片本土化配套的速度将加快，资本也更愿意投资半导体领域。 显示行业人士指出，在中美科技战背景下，面板厂商、手机厂商、电视厂商等都自动达成了加快本土化配套的共识，中国大陆AMOLED驱动芯片厂商再也不需要去游说面板厂商或者终端厂商采用本土化的AMOLED驱动芯片。现在AMOLED驱动芯片本土化配套的环境非常友好。 目前，对于中国大陆AMOLED驱动芯片厂商来说，最为重要的是积累技术。要知道，“核心技术是买不来的”，通过挖角也不能解决核心技术难题。 中国大陆AMOLED驱动芯片厂商需要耐得住寂寞，沉下心来，慢慢练兵，从基础技术研究做起，才有机会突破核心技术，赶上中国台湾厂商和韩国厂商的步伐。 显示行业人士指出，中国大陆AMOLED驱动芯片投资很多，但是本土化配套率却很低，为什么?因为中国大陆厂商蹲马步还不够多。 晟合微电子总经理施伟建议，针对大陆面板企业及市场的特点，自研算法，加强芯片设计优化;加强技术攻关，主要是高压(32V)下抗干扰、芯片内数模混合信号间的抗干扰、内存的设计、自有接口协议开发与低功耗电源设计等。 核心技术固然关键，但是技术积累离不开团队，离不开人才。OLED技术还在不断改进、迭代中，如果没有一个强大的团队很难跟上OLED技术发展的速度。 显示行业人士认为，只有组建优秀的团队，经过三到五年的打磨，才有可能实现技术突破。甚至通过有效的管理方案可以压缩技术突破的时间，争取摆脱目前中国大陆AMOLED驱动芯片产业的困境。 回顾过去，中国大陆LCD驱动芯片的发展路径可以发现，要提升本地化驱动芯片的配套率并不容易，中国大陆液晶面板经过十几年的发展未能跟上韩国和中国台湾厂商的步伐。 如今AMOLED驱动芯片产业环境大为不同，一方面，中国大陆AMOLED驱动芯片厂商与中国台湾厂商差距不像当年LCD驱动芯片差距那么大;另一方面，中国大陆投资了大量的AMOLED产线，全球第二大AMOLED生产基地在中国。

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  • 思瑞浦：专注于模拟芯片设计研发

    思瑞浦微电子科技秉持以技术创新为核心的理念，始终专注于模拟芯片设计研发，核心应用领域是5G基站，因而最大的客户便是华为和中兴，直接锁定了国内最大的两个基站供应商。 模拟芯片竞争对手之间的对比核心在于应用领域不同，比如圣邦股份主要聚焦在机顶盒、安防领域的信号链和手机业务的电源管理，晶丰明源则聚焦在LED照明的电源管理，博通集成主要应用在无线通信领域、卓胜微聚焦在射频前端芯片; 芯片设计行业非常重要的指标便是出货量，公司依靠大客户在2019年和2020年增长十分迅速，并跻身全球第12名，8年的时间内可以做到这个水平还是非常不容易了。 但是思瑞浦过于依赖5G基站的增量投资，也非常依赖大客户(销售占比超过五成)，维持存量预计不难，但是高速增长存在明显的瓶颈，未来还是需要观察公司的新品市场拓展以及产品的持续研发实力; 一、核心竞争力 1、优秀的研发实力 自成立以来，截至2019 年12月31日，思瑞浦已获得境内专利16项，其中发明专利14项，集成电路布图设计登记证书31项。公司已自主开发了900 余款可供销售的模拟集成电路原创设计产品，可满足客户多元化的需求，其中部分产品如纳安级的放大器、高压比较器、高精度数模转换器等在综合性能、可靠性等方面已达到国际标准，并实现了对国际同类产品的进口替代。 2、产品可靠性优势 可靠性和稳定性是衡量模拟集成电路产品综合性能的重要指标。公司严格遵循JEDEC等国际通用标准建立了完备的品质保证体系，在新产品的设计验证阶段以及产品量产后的在线可靠性监控阶段均进行了全面、严格的可靠性考核，包括高温带电老化、高温高湿老化、高低温度循环、高温存储、静电放电和闩锁保护等多达十余项检验测试。 同时，公司选择国内外领先的晶圆厂和封测厂进行生产，在最大程度上确保委外环节的质量。 3、供应链整合优势 相对于数字集成电路，模拟集成电路器件由于种类繁杂的原因导致其代工标准化程度较低、移植性较差，对设计企业和制造企业之间技术合作的紧密程度提出了更高的要求。 在晶圆供应商方面，全球领先的模拟器件晶圆代工厂商已与公司建立了战略合作关系，双方在高性能模拟芯片的先进或特殊生产工艺上展开技术合作，大幅提高了晶圆的生产质量和交货效率; 在封装测试供应商方面，公司经过与国内外先进厂商的多年磨合，已形成了稳定的工艺制程和合作关系，国内领先的封测厂商已将公司列为重点客户，并指定专项团队与公司进行订单跟踪和技术交流，在多方面给予公司支持。 二、投资逻辑 1、5G基站快速发展，大客户实力雄厚; 2、芯片国产化大趋势; 3、公司研发实力雄厚，看好未来新品的增长空间; 三、核心风险 1、客户集中度较高的风险 2019年末公司对前五大客户销售收入合计占营业收入的比例73.50%，集中度相对较高。在2019年，公司第一大客户客户A系公司关联方，公司对其销售实现收入占当期营业收入的比例达到57.13%，且2019年至今，发行人业务快速增长主要依靠该关联客户订单。2020 年1-6月，公司预计向客户A的销售收入同比增长超过300%，而其他业务同比增长约80%。如果未来公司无法持续获得该客户的合格供应商认证并持续获得订单或公司与该客户合作关系被其他供应商替代风险。 2、无实际控制人风险 公司股权结构较为分散，无控股股东和实际控制人。无任一股东依其可实际支配的发行人股份表决权足以对发行人股东大会的决议产生重大影响 3、关联方客户存在不确定性风险 2019年至今，发行人业务快速增长主要依靠客户A订单，客户A系本土信息与通信基础设施提供商，因近些年美国政府采取“实体清单”、“净化网络计划”等多种措施打压中国的通信及互联网等相关企业，相关打压政策将对客户A产生不利或者潜在不利影响，进而可能对公司的业务收入和盈利能力造成重大不利影响。

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  • Facebook宣布Aria项目，将重点转变为可穿戴AR未来的研究

    目前AR与VR技术逐渐趋于成熟，其相关智能设备也赢得广大消费者的认同。在此条件下，Facebook Reality Labs联合Facebook宣布Aria项目，此次项目的重点在可穿戴AR的研究。 根据Facebook的工程师以及程序员的构想，此次可穿戴AR主要集中于增城音频，增强现实等方面，以及初步构想Glass AR 地图。 在这个项目里宣布之前，facebook的高级实验室遇到了很多的困难。例如如何在一副很普通的眼镜上面附着一个3D的设备，这是一项非常困难，以及艰巨任务技术。 Facebook的工程师说此次的AR是连接更多。这个主旨也符合Facebook实验项目名称改变，转变为Facebook Content，content中文是连接的意思。 智能手机是一种惊叹的设备，但是在接下来的未来AR项目才是真正的主场。AR背后涉及的是一种计算技术的发生根本性改变以及转变。 此次转别就像当时图书馆和座机以及PC电脑以及移动手机的转变，在背后都涉及一种晶体管或一种芯片，一种新兴技术的出现。 背后涉及到的计算技术以及复杂程度是难以想象的。 目前facebook和谷歌以及亚马逊和apple公司，美国高科技公司都已相继进入此次复杂的高科技领域，不得不惊叹美国高科技的发展。在3到5年的时间，美国将在AR领域大展身手，抢占又一个科技制高点。

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  • 可穿戴式体温计“腋下创可贴”

    一款被称为“腋下创可贴”的可穿戴式体温计在新冠疫情防控期间发挥了重大作用。该款体温计如创可贴般大小，用户可以直接将其贴在腋下的皮肤上。 下载“安芯测”APP后将该设备绑定，体温数据便会在手机页面清晰展现，24小时内可自动测量、自动上报。防控值守端的工作人员通过电脑便可对被观察人群进行连续体温监测与风险预警。 该款由北京微芯边缘计算研究院研制的智能体温计是目前全球最小、最精准的可穿戴式连续智能测温设备。 与传统体温检测方式相比，可穿戴式体温计测温精度更高，可达0.05摄氏度;功耗更低，单次充电可供连续测温10天以上;尺寸更小，芯片传感器仅沙粒大小;更易佩戴，将其粘在创可贴纸上贴于人体即可。 与可佩戴体温计相配合，研究院融合人工智能、大数据等技术，构建了64 维特征空间，采用深度学习推理模型对非新冠肺炎发热人群、新冠肺炎感染者和健康人群这三类群体实现自动分类和筛查。 搭配该套模型，研究院建立起基于体温智能异常报警、多级责任单位跟进反馈、发热门诊核实的筛查体系，可精准锁定身体状况异常的人群，形成涵盖市、区、街道、责任单位的多级闭环管理体系，为疫情防控装上“千里眼”。 在武汉、绥芬河、吉林、北京等地新冠肺炎防控中，可佩戴体温计和相关管理系统均发挥了作用。 自2月8日以来，北京市逐步扩大智能体温计佩戴范围，覆盖30万人，涉及集中隔离点观察人员、居家隔离观察人员、企事业单位的重点人员、餐饮厨师、家政服务人员、美容美发人员及初高三毕业班师生等人群。 目前，该产品已支持巴基斯坦、新加坡、哈萨克斯坦、贝宁等国家的精准防疫需求，为国际常态化疫情防控提供中国科技力量。

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  • Intel将于2021年发布首次使用大小核设计的Alder Lake处理器

    Intel今年4月份发布了10代酷睿Comet Lake-S系列，相较于AMD刚刚发布的Zen3架构处理器锐龙5000系列，Intel下一代处理器最多10核5.3GHz，依然是14nm++工艺。 对抗AMD的Zen3架构还要看下一代处理器，也就是11代酷睿，不过跟移动版的 11代酷睿不同，桌面版11代酷睿是Rocket Lake-S系列，依然是14nm工艺。 关于Rocket Lake-S火箭湖，之前的爆料已经不少了，核心数从10核降回到8核，支持PCIe 4.0，GPU也会升级到Gen12，Xe架构的，但最多32组EU单元，不及11代酷睿移动版的1/3。 关键的部分主要是CPU，Rocket Lake-S处理器的CPU核心一直没有确切消息，有说是Sunny Cove微内核的，也有说是Willow Cove微内核的，最近还传出是Cypress Cove。 不过这个Cypress Cove有可能就是14nm版的Sunny Cove/Willow Cove，改名是为了防止混淆。 不论哪种CPU内核，IPC性能大涨应该是可以预期的，去年Intel就表示Sunny Cove的IPC性能提升最多40%，平均下来也有18%，所以Rocket Lake-S处理器明年夺回单核及游戏性能还是有可能的。 当然，这一切还没法证实，对Rocket Lake-S处理器来说，最大的问题还是时间，明年Q1季度才能发布。 明年下半年Intel可能就要推出10nm的Alder Lake处理器了，首次使用大小核设计，变化颇多。

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  • 针对半导体与集成电路产业，广东出台五年行动计划

    广东省发布《广东省培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群行动计划(2021-2025年)》(以下简称《计划》)，《计划》针对外来封锁及内部不足，全链条布局半导体及集成电路产业，提出到2025年产业规模要突破4000亿元，把珠三角地区建设成为具有国际影响力的半导体及集成电路产业集聚区。 1、突出发展重点 广东拥有国内最大的半导体及集成电路应用市场，集成电路设计业在国内领先,2019年集成电路产业主营业务收入超过1200亿元，其中设计业营业收入超千亿。目前广东已形成广州和深圳两大国家级集成电路设计产业化基地，带动珠海、佛山、东莞等地协同发展。 在制造环节,长三角等地在先进制程和存储芯片制造、封装测试等已形成优势,基于错位发展原则,《计划》提出，广东将充分利用终端需求市场规模大的优势，继续巩固设计业竞争优势,争取在EDA软件上实现突破，将重点在特色工艺制程和已有一定基础的功率器件、模拟芯片、第三代半导体器件等方面发力,大力引进和培育封测、设备、材料等领域龙头企业,加快补齐制造业短板。 《计划》提出,到2025年,广东集群主营业务收入突破4000亿,年均增长超过20%,全行业研发投入超过5%,珠三角地区建设成为具有国际影响力的半导体及集成电路产业集聚区。 2、聚焦产业发展突出问题 据了解，广东发展半导体及集成电路存在诸多短板：高校微电子专业在校生不到2000人，海外人才引进难度却越来越大，人才供需矛盾非常突出;创新能力较弱，关键核心技术研发能力薄弱;设计企业高水平能力不足;对外依存度很高，产业链供应链的安全可控性急需提升。在当前国际技术封锁和国内区域竞争加剧的背景下，广东迫切需要补齐产业短板。 《计划》提出5大重点任务：推动产业集聚发展、突破产业关键核心技术、打造公共服务平台、保障产业链供应链安全稳定、构建高水平产业创新体系。 其中，产业集聚方面，以广州、深圳、珠海为核心区域，积极推进特色制程和先进制程集成电路制造，在晶圆制造工艺、FPGA、DSP、数模混合芯片、模拟信号链芯片、射频前端、EDA工具、关键IP核等领域实现突破，打造涵盖设计、制造、封测等环节的全产业链;以深圳、汕头、梅州、肇庆、潮州为依托建设新型电子元器件产业集聚区，广深珠莞多地联动发展化合物半导体产业。 在突破产业关键核心技术方面，围绕芯片设计与架构、特色工艺制程、先进封装测试工艺、化合物半导体、EDA工具、特种装备及零部件等领域展开技术攻关。 为此，《计划》用八大重点攻关工程为五大任务“护航”，包括：底层工具软件培育工程、芯片设计领航工程、制造能力提升工程、高端封装测试赶超工程、化合物半导体抢占工程、材料及关键电子元器件补链工程，特种装备及零部件配套工程，和人才聚集工程。 其中，在人才集聚方面，广东将引导高校围绕产业需求调整学科专业设置，推动有条件的高校建设国家示范性微电子学院。扩大微电子专业师资和招生规模，省属高校可以自行确定微电子专业招生计划。推动国产软件设备进校园。开展集成电路产教融合试点，鼓励企业联合职业院校及高校培养技术能手。 3、提升产业创新能力 《计划》提出，按普惠性原则激励企业加大研发投入,对芯片流片费用给予奖补。对于基础研究和应用基础研究、突破关键核心技术或解决“卡脖子”问题的重大研发项目,强化省级财政持续支持。 对于28nm及以下制程、车规级及其他具备较大竞争优势的芯片产品量产前首轮流片费用，省级财政按不超过30%给予奖补;对研发费用占销售收入不低于5%的企业，在全面执行国家研发费用税前加计扣除75%的基础上，鼓励各市对其按增不超过25%的研发费用税前加计扣除的标准，给予奖补，省级财政按照1∶1给予事后的再奖励。 建设一批设计服务平台、检测认证平台和技术创新平台,打造公共服务平台体系。 引导产业向高端化发展,推动混合集成、异构集成技术研发与产业化,密切跟进碳基芯片技术,支持提前部署相关前沿技术、颠覆性技术。

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  • 芯颖科技：AMOLED显示驱动芯片尚未应用于国产手机

    面对投资者的提问：中颖电子产品的锂电池管理芯片和OLED驱动芯片Q3是否开始在国产手机品牌里规模应用?日前，中颖电子表示，公司锂电池管理芯片已经在国产手机品牌里逐步实现规模应用，但芯颖科技的AMOLED芯片尚未在国产手机品牌里规模应用。 与此同时，今年AMOLED上游晶圆代工产能趋紧，供应不能满足芯颖科技的终端需求。 对此，芯颖科技在显示驱动芯片新产品中采用更先进的制程，来满足其生产需求。 芯颖科技致力于显示驱动芯片的设计与开发，并重点聚焦在OLED显示屏驱动芯片。 经过多年的发展及积累，其已掌握了AMOLED显示驱动芯片设计的核心技术，产品主要用于手机和可穿戴产品的屏幕显示驱动。 为促进芯颖科技显示驱动芯片业务进一步做大做强，中颖电子导入产业与社会资本及资源，解决芯颖科技资金需求，加快其AMOLED 显示驱动芯片的研发及业务拓展。

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  • 意法半导体推出世界首款驱动芯片与GaN晶体管的集成化解决方案

    意法半导体(ST) 近日推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的 MasterGaN® 产品平台，对于400W以下轻便节能的消费电子、工业充电器以及电源适配器而言，意法半导体提出的这个集成化方案有助于加快开发速度。 GaN技术 使电子设备能够处理更大功率，同时设备本身变得更小、更轻、更节能，这些改进将会改变用于智能手机的超快充电器和 无线充电器 、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器，以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。 在当今的GaN市场上，通常采用分立 功率晶体管 和驱动IC的方案，这要求设计人员必须学习如何让它们协同工作，实现最佳性能。 意法半导体的MasterGaN方案绕过了这一挑战，缩短了产品上市时间，并能获得预期的性能，同时使封装变得更小、更简单，电路组件更少，系统可靠性更高。 凭借GaN技术和意法半导体集成产品的优势，采用新产品的充电器和适配器比普通硅基解决方案缩减尺寸80%，减重70%。 意法半导体执行副总裁、模拟产品分部总经理Matteo Lo Presti表示：“ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力，整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成，能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。” MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。 MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，厚度只有1mm。 意法半导体还提供一个产品评估板，帮助客户快速启动电源产品项目。 技术细节: MasterGaN平台借用意法半导体的STDRIVE 600V栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封装保证高功率密度，为高压应用设计，高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。 该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管，并以引脚兼容的半桥产品形式供货，方便工程师成功升级现有系统，并尽可能少地更改硬件。 在高端的高能效拓扑结构中，例如，带有源钳位的反激或正激式变换器、谐振变换器，无桥图腾柱PFC(功率因数校正器)，以及在 AC/DC 和 DC/DC变换器 和DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。 MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管，最大额定电流为10A，导通电阻(RDS(ON)) 为150mΩ。 逻辑输入引脚兼容3.3V至15V的信号，还配备全面的保护功能，包括高低边UVLO欠压保护、互锁功能、关闭专用引脚和过热保护。

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  • 半导体工艺（三）

    一、半导体工艺现状 根据《2019集成电路行业研究报告》中的数据显示，先进制程(28nm及以下工艺)占据市场份额48%，其它成熟工艺则占据了52%，成熟工艺才是半导体、芯片行业的主流。 诸多原因导致很早开始就导致晶体管的尺寸缩小进入了泥潭，越来越难，到了22-28nm之后，已经无法做大按比例缩小了，因此就没有再追求一定要缩小，反而是采用了更加优化的晶体管设计，配合上CPU架构上的多核多线程等一系列技术，继续为消费者提供相当于更新换代了的产品性能。 也就是制造工艺也越来越难做到那么小的尺寸了，而且在现有技术条件下并不能提高性能。以至于实际尺寸和节点已经两回事了。 那为什么做更小的尺寸那么困难? 决定制造工艺的最小尺寸的关键设备，叫做光刻机。 它的功能是，把预先印制好的电路设计，像洗照片一样洗到晶片表面上去，覆盖住需要保留的部分，然后把不需要的部分腐蚀掉，当然中间的具体工艺更复杂有多种工序。 由于目前的主流较新生产工艺采用荷兰艾斯摩尔生产的步进式光刻机，所使用的光源波长是193nm，所以更小的尺寸需要靠多重曝光来达到，有的需要几十张不同的设计模板，先后不断地曝光，才能完成整个处理器的设计的印制。光衍射，会导致精确度影响越来越严重，难度难以想象。 经过长时间(前后大约10年)的努力，使用了诸如浸入式光刻(把光程放在某种液体里，因为光的折射率更高，而最小尺寸反比于折射率)、相位掩模(通过180度反向的方式来让产生的衍射互相抵消，提高精确度)，终于可以生产60纳米以下的产品，不过这使新工艺的成本程几何级数提升，成品率下降，以至于难度和成本无法接受，这个能接受的极限大致在20纳米(intel 14nm工艺的尺寸)，7纳米(尺寸上看是假的)能做，但相对不经济而且有一些其他问题(性能下降、功率密度高等等)，相信你能理解intel万年14纳米了。 那为何不用更小波长的光刻机呢? 首先是光源太难，不过很难也做出来了，被称为极紫外(EUV)，波长13.4纳米。 但是这个波长，已经没有合适的介质可以用来折射光，构成必须的光路了，因此这个技术里面的光学设计，只能全部是反射，而在如此高的精度下，设计如此复杂的反射光路，本身就是难以想象的技术难题。 这个难关集全球顶尖企业也基本解决了，但是还有新的问题，那就是EUV光源的强度不足以维持高强度生产，做是可以做了，但是速度较慢，会赔钱!所以GF和中芯早早就放弃了，intel也苦熬中，只有只手遮天的台积电和财大气粗心气比天高的三星在坚持，而且三星的EUV7评价很差。 二、半导体工艺路在何方 半导体工艺按现有的机理，要么是改善晶体管的静电物理(electrostatics)，这是其中一项，要么改善沟道的输运性质(transport)，决定晶体管的基本性能(开关速度和导通电流)。 近年一方面通过材料、结构、工艺的革新继续推进，出现砷化镓(GaAs)与氮化镓(GaN)，以及一些改进的结构，另一方面科学家也在探索机理的改变，比如隧穿晶体管啦，负电容效应晶体管啦，碳纳米管以及近年热门的石墨烯晶体管，也就是把石墨烯作为沟道材料，但是因为存在关键问题没很大进展，这个问题就是石墨烯不能完全饱和。 而晶体管设计里面，除了考虑开关性能之外，还需要考虑另一个性能，就是饱和电流问题。能不能饱和导通很关键，其实电流能饱和才是晶体管能够有效工作的根本原因，因为不饱和的话，晶体管就不能保持信号的传递，因此无法携带负载，相当于你这个开关接触不良，放到电路里面去，还不能正常工作的。 砷化镓高电子迁移率已经应用于一些大功率器件，氮化镓具有很高的电子迁移率和热通量(通俗说就是导热能力)，理论上是一种有前途的材料。 结构和材料方面，以intel的SuperFin技术取得的进展最大，已经准备实用化。号称是Willow Cove，Tiger Lake应用的全新晶体管技术。 Intel公布的信息中看，10nm SuperFin技术(图一)就是Intel增强型FinFET晶体管(图二)与Super MIM(Metal-Insulator-Metal)电容器的结合。据其官方资料显示，Super MIM在同等的占位面积内电容增加了5倍，声称显著提高了产品性能。 这一行业领先的技术由一类新型的 Hi-K 电介质材料实现，该材料可以堆叠在厚度仅为几埃的超薄层中，从而形成重复的“超晶格”结构。还有新型薄势垒(Novel Thin Barriers)技术采用，可以将过孔电阻降低了 30%，从而提升互联性能表现。 实际上，从图中可以看出，SuperFin并不完全是一种全新的工艺，而是fin MosFET的扩展和改进，其机理是通过多层(折叠)来大幅度扩展栅极的面积，并进一步缩小体积，是现有工艺的发展。再配合新型绝缘材料，达到较大幅度的改善。 这些进展，让 10nm 芯片的性能大幅提升了约 20% 之多。约 20% 是什么概念呢? 在之前的 14nm 时代，英特尔经过四次技术更迭(14nm、14nm+、14nm++、14nm+++、14nm++++)才实现了约 20% 的性能提升。而这次通过 SuperFin，一次性就完成了约 20%，进步速度远超外界想象。 有媒体称，这意味着 SuperFin 已经成为速度更快、甚至可能是全球最快的晶体管。 发布了 SuperFin 之后，英特尔还畅想了再进一步的增强型 SuperFin 技术，有了这些技术intel10nm及以后的工艺会更具底气。 半导体工艺的发展主要动力是国家利益、科技发展(比如太空探测)以及利润，是集合几十年全球的人力财力逐步攻克的。

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  • 继NVIDIA收购ARM后，半导体行业进入整合期

    随着人工智能、5G和物联网行业的快速发展，对半导体的大量需求使得这个行业快速进入了繁荣期。2020年继英伟达400亿美元收购ARM后，AMD正在就收购可编程逻辑器生产商赛灵思深入谈判，这笔交易价值约在300亿美元左右。 1、AMD到底想得到什么? 赛灵思公司的主营业务是设计、开发和销售可编程平台。塞灵思是可编程逻辑门阵列(FPGA)的老大，其市场份额超过了50%。这家公司创立于1984年，是全球第一个无晶圆长半导体公司。 在2019年Q2中，全球无晶圆半导体厂排名中排名第六。只比AMD略微逊色一点。FPGA最大的优势就是设计开发周期都相对较短并且随着摩尔动律的失效。传统结构的处理器并不能够继续进行性能的稳定提升。这是FPGA的优势就体现出来。 赛灵思公司在眼下的时代成为一块“香饽饽”最重要的原因就是他可以生产用于数据中心的可编程芯片。在5G设施和人工智能芯片快速发展的今天。FPGA将会成为未来芯片发展的主流趋势。而赛灵思则会成为这领域中当之无愧的璞玉。 其实说到底，AMD之所以想要尽快完成这笔交易，最主要的目的就是想要通过生产可编程的芯片杀入由英特尔牢牢占领的服务器市场。能够占据服务器市场仅仅是第一步。更重要的是AMD想要通过收购赛灵思提前卡位未来的能够快速增长且行业潜力巨大的物联网市场、智能汽车等领域。 2、收购成功几率几何? 从消息中我们可以看出，AMD出手阔绰的豪掷300亿美元收购赛灵思。说明其自身财务状况处于非常乐观的状态。目前AMD公司市值975.64亿美元。赛思灵市值为295亿美元。从账面看来，收购成功几乎是手到擒来。 但是财务健康并不意味着收购成功。毕竟在行业中属于地震级别的交易，势必要遭到同行和反垄断法案的考验。就拿英伟达400亿收购ARM来说，英伟达公司不仅面对着来自监管部门的严格身缠。同时业内的一些竞争对手也表示反对。他们其中不乏英特尔、高通等巨头级的高科技企业。 监管部门严格监督、国家反垄断法案的坚决执行以及竞争对手在背后“痛下杀手”，各种各样的因素交织在一起让此次收购依旧扑朔迷离。更重要的是赛灵思公司并没有针对最近的收购消息发表官方态度。更是让人有些摸不到头脑。 对于全球半导体行业，不管是美国打压华为间接引起的新方向新发展，还是5G物联网等行业快速发展的催化，都使半导体行业迎来了为数不多的繁荣期。

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  • PS5的SSD焊死在主板上，好在很难写死

    Playstation 5 的一个鲜明特点是其搭载超快的 SSD，825 GB SSD 模块是焊接在主板上的，同时有一个单独的 M.2 2230/2242/2280 PCIe 4.0 插槽用于二次扩展。 索尼PS5、微软XSX两款新一代主机已经发布，价格也基本一致，PS5在性能上这次要输一点，但PS5的SSD性能是个亮点，5.5GB/s的速度比XSX的2.4GB/s高出一倍。 然而，大家有了新的担心。这两天天索尼公布了PS5的拆解，网友们发现PS5的SSD是焊死在主板上的，不能自行升级。 SSD焊死在PCB上可以缩小空间占用，但代价也不少，没了升级、替换的灵活性，这点上不如PS4。 另外，焊死的SSD还有个问题，万一闪存挂了岂不是整个主机都要完蛋了?这就是网友们担心的关键，毕竟主机升级周期至少要5年。 Noetbookcheck网站给大家吃了个定心丸，他们认为PS5的SSD不用担心写死，理由是其TBW寿命会很高。 目前索尼还没公布具体信息，但是他们对比1TB容量的西数黑盘SN750，后者具备600TBW的写入寿命，大多数玩家都不可能写入这么多数据。 另外，单独还要说一句，PS5的825GB空间是存游戏的，大部分游戏的数据在写入一次之后，实际使用中以读取为主，并不需要写入大量数据，这对焊死SSD来说也是个优势。 三星之前公布的实测数据显示，大部分人在5年内的写入数据量只有166TB，99%的玩家都是如此，99.7%的用户写入数据量都在600TB内，直接写死SSD的可能性几乎可以忽略。 如果 PS5 内部 SSD 最终出现了故障，索尼可以允许用户选择在上述二级 M.2 PCIe 4.0 插槽上安装操作系统，那么系统的其他部分将得到挽救，这样也能解决这个问题。

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  • 投入150亿后，中兴展示自研芯片与自主系统

    中兴与华为算国内通信企业的代表了，华为因为受到了第二轮制裁，麒麟高端芯片断供，而中兴早前也受到了制裁，历经两年艰难时期，中兴开始加大自主研发力度。 在芯片方面，能够自研、生产芯片的国内厂商并不多，几乎都是采用英特尔、ADM以及高通等美国企业的芯片，尤其是在高端芯片方面。 在系统方面，也是如此，PC等桌面设备采用微软的windows系统，在手机等移动设备上采用谷歌的安卓系统。 也就是因为芯片和系统依赖其它厂商，所以才容易被人卡脖子。 但现在不同了，因为华为已经正式发布了鸿蒙OS2.0系统，并宣布开源，而手机版的鸿蒙OS将会在今年12月发布上市。 据悉，已经发布的鸿蒙OS 2.0系统可以用在大屏、车机以及智能手表等设备上，后续版本还能用在手机、PC等设备上。 因为鸿蒙其采用的是微内核分布式设计，能够跨平台用，由于开源的特性，任何厂商都能免费使用鸿蒙OS，而华为也欲将鸿蒙OS打造成为全球都能用的系统。 芯片方面，华为能够自由各种芯片，这些芯片可以用在手机、PC、5G基带以及智能穿戴设备上。 日前，华为又正式宣布，全面扎根进入芯片半导体领域内，还要在新材料以及终端制造方面突破技术瓶颈。 为此，华为海思已经再次进行公开招聘，预计招聘40余博士，几乎全部与芯片半导体有关。 近日，中兴也正式官宣了，自主系统和芯片都来了。具体情况是这样。 在第三届数字中国峰会上，中兴通讯围绕自主知识产权、5G + 新基建、智慧城市三大板块展示了核心技术能力和最新成果。 在系统方面，中兴表示大量的人员在搞研发，仅成都有近 4000 人在研发自主操作系统。 在芯片方面，5G 无线基站、交换机等设备的主控芯片上，中兴自研的 7 纳米芯片已实现市场商用，5 纳米还在实验阶段。 其实，在今年早些时候，中兴就正式表示，自研7nm芯片已经交付量产，而自研5nm的芯片预计在2021年交付量产并商用。 如今，中兴方面再次官宣，无论是系统还是芯片，中兴都是基于自主创新，完全国产化。也就是说，中兴不仅在芯片方面实现自主可控，还在系统方面也将实现自主研发。 据了解，中兴加速自研芯片和系统的研发进度，这是150亿换来的结果。 因为在2018年，美国对中兴实施限制，禁止美国相关企业向中兴出口元器件等设备，这导致中兴一度处于停摆状态。 虽然最后中兴与美国和解，但中兴需要向美国缴纳23亿美元的费用。可以说，这件事成为中兴发展的转折点，让中兴加快自研系统和芯片的进度。 还有一点就是，美国不断修改芯片出口规则，从2019年到2020年，美国三次修改芯片规则，凡是采用美国芯片技术的厂商，在没有许可的情况下，不能自由出货。 我国在芯片、系统等核心技术方面，必须要实现自主研发，甚至自主生产。华为也宣布全面进入芯片半导体领域，要从芯片设计研发企业向IDM转型，目的是彻底掌握核心技术。

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