摘要 随着光纤通信、卫星通信向着宽频带方向发展,要求放大器的带宽也就越来越宽。文中设计了一种低噪声放大器,该放大器具有较低的噪声系数,同时工作频带较宽增益平坦度在工作频段内控制在约1dB,另外该低噪声放大
0 引言 在现代雷达接收机中,应用最广的结构是超外差结构。在该结构中,单片系统往往需要片外滤波器去除镜像信号,例如SAW滤波器,因而给系统的集成度带来影响。为了达到一定的镜像抑制比,而又不使用片外滤波器
标签:变频器 自振混频1 卫星电视下变频器(高频头)的作用卫星电视低噪声下变频器又称为高频头(也称卫星电视的室外单元),它是由微波低噪声放大器,微波混频器,第一本振和第一中频前置放大器组成,其框图如图1所示
摘要:应用E-PHEMT器件ATF-58143设计了一款增益约20 dB,噪声系数小于0.5 dB的低噪声放大器。采用负反馈保证系统的稳定性,利用匹配网络保证了低噪声系数和高增益。结合该实例介绍了借助ADS软件进行低噪声放大器的设
概述 MAX2640是一款低成本、低噪声放大器(LNA),专为400MHz至2500MHz频率范围的应用设计。该器件工作在+2.7至+5.5V宽电压范围,典型情况下仅消耗3.3mA电流,同时具有低噪声系数、高增益以及高输入IP3。
摘要:低噪声放大器是超宽带接收机系统中最重要的模块之一,设计了一种可应用于3.1~5.2 GHz频段超宽带可变增益低噪声放大器。电路输入级采用共栅结构实现超宽带输入匹配,并引入电流舵结构实现了放大器的可变增益
21ic讯 特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出采用CMOS工艺,适用于移动体终端、地面数字广播的LNA、XC2402系列产品。XC2402系列产品是使用于以移动体通信设备为主要目的的地面数字广播高频放大器LNA。使用频
摘要:低噪声放大器是超宽带接收机系统中最重要的模块之一,设计了一种可应用于3.1~5.2 GHz频段超宽带可变增益低噪声放大器。电路输入级采用共栅结构实现超宽带输入匹配,并引入电流舵结构实现了放大器的可变增益
超带宽UWB(Ultra-Wideband)技术具有抗干扰能力强、传输速率高、带宽极宽、功耗传输低等优势,近年来已成为国内外的研究热点,并在短距离传输、高速无线LAN和成像处理等领域得到了广泛应用[1]。不论在传统的无线接收结
移动通信技术是现代通信技术和计算机技术高度发展和相互结合的产物。随着数字化信息技术的广泛应用,现代通信技术正以前所未有的高速度发展,移动通信也正沿着多址通信的方向发展。CDMA(码分多址)与FDMA(频分多址)和
0 前言电磁环境测试是电磁频谱管理的一项基础性工作,它广泛应用于无线电台站选址、频率指配、无线电管制和电磁环境*估等电磁频谱管理的各个环节。掌握科学的测试方法并不断积累实践经验对微波电磁环境测试至关重要。
摘要 基于0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款C波段宽带单片集成低噪声放大器。电路由三级放大器级联而成,三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将
移动通信技术是现代通信技术和计算机技术高度发展和相互结合的产物。随着数字化信息技术的广泛应用,现代通信技术正以前所未有的高速度发展,移动通信也正沿着多址通信的方向发展。CDMA(码分多址)与FDMA(频分多址)
摘要:采用Lange耦合器的宽频带特性设计L/S波段平衡式低噪声放大器电路,并通过仿真设计软件对放大器的工作频带、噪声系数、增益及输入、输出驻波比等几个重要指标进行优化。最后设计的放大器在1.2~2.5 GHz频率范
电路的功能近年来,噪声及失真特性得到改进的低噪声放大器品种繁多,已无须用分立元件制作了。此外,也有为了使噪声减到最小而降低源极电阻,同时输入端的偏流IR又比通用OP放大器还大的OP放大器(如NE5534等)。但是
21ic讯 恩智浦半导体 NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出SiGe:C低噪声放大器(LNA),进一步提高了GPS信号的线性度、噪声系数以及GPS(包括GLONASS和伽利略卫星定位系统)的接收效果,同时继续保持恩智浦在此类产品
引言 低噪声放大器(LNA)是雷达、通信、电子对抗、遥测遥控等电子系统中关键的微波部件,有广泛的应用价值。由于微波系统的噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数,因此LNA噪声系数的优劣会直接影响整个系统性
NXP(恩智浦半导体)近期推出适用于移动通信领域的低噪声放大器系列,该系列产品可以全面覆盖现今移动通信的CDMA,GSM,CDMA2000,WCDMA,LTE,WIMAX等各种制式,能够为直放站,基站厂商提供更多的选择。低噪声放大器
接下来进行功率输出级的设计, 功率输出级选用的是Transcom 公司的TC1201。偏置方式采用的是自给偏置的方式, 将其偏置在4 V 25 mA, 做好偏置后生成它的S2P 文件, 建模并仿真, 仿真过程同第1 级一样。接好负反馈