低噪声放大器

MAX2634低噪声放大器（Maxim）

Maxim推出MAX2634低噪声放大器(LNA)，可理想用于工作在315MHz和433MHz波段的远端无线钥匙门禁(RKE)和胎压检测(TPM)系统。采用公司先进的SiGe BiCMOS工艺设计，这款完全集成的LNA具有1.25dB极低的噪声系数，有效改善接

两款新平衡低噪声放大器（Avago）

Avago Technologies(安华高科技)宣布，推出两款超低噪声、高增益并且高线性度的GaAs平衡低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)，非常适合移动网络基础设施应用。Avago的MGA-16516/17516为价格低廉、使用容易低噪声

利用Cadence设计COMS低噪声放大器

摘 要：结合一个2．4 GHz CMOS低噪声放大器(LNA)电路，介绍如何利用Cadence软件系列中的IC 5．1．41完成CMOS低噪声放大器设计。首先给出CMOS低噪声放大器设计的电路参数计算方法，然后结合计算结果，利用Cadence软件

用ADS实现一个2.38 GHz全集成化低噪声放大器设计

设计射频电路的LNA，在开始设计的时候就要考虑很多因素，例如为了提高增益，便要增加功率消耗，为了与下一级耦合，可能会影响整个LNA性能。通过综合的平衡，才能设计出满足不同性能需求的低噪声放大电路。本文设计的电路，在提供20 dB高增益的同时，只有1.5 dB的噪声系数，达到了设计要求。

GaAs低噪声放大器MMIC系列（Avago）

Avago Technologies(安华高科技)宣布，推出低成本并且使用容易的高性能GaAs低噪声放大器MMIC系列最新产品，适合各种广泛的无线移动通信应用。Avago的新微型化MGA-21108采用2.5 x 2.5 x 0.55mm的8-pin STSLP封装，是一

GaAs MMIC NJG1135MD7（新日本无线）

新日本无线开发完成了设有旁通电路低噪声放大器GaAs MMIC NJG1135MD7，并开始发放样品。该产品最适用于带有CMOS RF-IC※1的800MHz/1900MHz频段CDMA模式手机。近年来，为了降低手机成本，RF-IC的CMOS化在不断地进步。

宽带低噪声放大器GaAs MMIC（新日本无线）

新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。 近年来，手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加，因终端接收信号灵敏度不

CMOS低噪声放大器中的输入匹配研究与设计

RF2347构成的880MHz低噪声放大器应用电路图

如图所示为由RF2347构成的880MHz低噪声放大器应用电路。射频信号(RF)由3脚输入，经过放大器放大后由7脚输出。3脚与内部放大器是直接耦合，因此在3脚外加一个22pF隔直耦合电容，在836MHz工作时匹配阻抗为50Ω。7脚为集

WiMAX接收链使用集成旁路开关低噪声放大器的优势

基于网络分析仪提高低噪声放大器的测量精度

针对这样的LNA，要想准确地测量它的四个S参数，将变得十分困难。但是合理地设置网络分析仪每个输出端口的功率、中频带宽和衰减器以及高精度校准，就可以准确地测量LNA的四个S参数。这篇论文以安捷伦PNA-X网络分析仪为例，讲述如何提高LNA的测量精度。

CMOS多频段低噪声放大器设计

本设计中的并行式多频段LNA为单个LNA，但能同时工作在不同频段下且放大所需频段的信号。

CMOS多频段低噪声放大器设计

本设计中的并行式多频段LNA为单个LNA，但能同时工作在不同频段下且放大所需频段的信号。

1.5GHz BiCMOS级间电感匹配低噪声放大器设计

由于共源共栅级结构能同时满足噪声和功率匹配的要求，因此在LNA的设计中被广泛采用。但共源级和共栅级之间的匹配是个关键问题，笔者通过在其之间插入一个级间匹配电感，使得这个问题得以解决。