摘要:介绍了一种配网终端电池智能检测存储装置,其以可编辑控制器和控制电路为主体,以继电器、触摸屏、传感器为辅助,可同时对铅酸蓄电池、锂电池两种类型的电池进行电流/电压监测、浮充、核容、活化及储存,操作简便、界面整洁,一体化、智能化地解决了铅酸蓄电池与锂电池在日常维护和储存中存在的难题。
北京时间7月21日凌晨消息,苹果今日向iPhone用户推送了iOS 15.6更新,本次更新距离上次发布隔了65天。iOS 15.6大小525M,修复了设备仍有储存空间可用时,“设置”中也可能一直会显示储存空间已满的问题。
科学家正在努力,希望开发出下一代数据存储材料,以提高现有存储速度。 据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究,一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片,其厚度仅三个原子,其可
12月11日消息,据国外媒体报道,国际半导体设备与材料协会(SEMI)今日发布预测报告称,全球半导体设备销售额明年将重回增长,2021年将创新高。 SEMI预测,全球半导体设备2019年销售额将比上
看好高阶储存市场 全新3D NAND TLC SSD效能倍增 新一代闪存3TS5-P,主打DWPD2规格,首推高阶储存市场
为实现更高储存密度,NAND Flash的堆栈层数不断增加,单一晶胞内能储存的信息也越来越多。目前3D NAND 堆栈发展至 96 层,这是接下来一段时间内的市场主流。
内存技术的每一次创新都源于基础研究。IBM Research的研究团队最近开发出一种新技术,能够控制单个铜原子的磁性,从而为以单个原子核进行储存和处理信息的未来铺路。不过,该技术要能实现商业化还有很长的路要走。
联华电子表示,联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。简而言之,联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元,这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。这和美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象相反。
目前最广泛使用的数字储存装置是硬盘(HDD),但它受欢迎的程度正迅速下滑…数字数据储存正历经强大的成长态势,2016年即已增加到超过10,000艾位元组(Exabyte;EB)或10皆
韩国三星电子决定进一步投资半导体业务。 三星宣布向韩国2个工厂投资总额约2万亿日元,增产智能手机等终端使用的记忆卡。 三星不久前在中国也敲定了大型投资计划。 在东芝因经营问题陷入混乱的背景下,三星将通过巨额投资扩大与竞争对手的差距,巩固半导体领域的领跑地位。