华虹
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中芯国际CEO张汝京离职 王宁国接任
中芯国际昨日宣布CEO张汝京离职，王宁国接任。此前中芯国际已连续十个季度出现亏损，上周在美国被判窃取台积电商业机密。中芯国际董事会昨日宣布委任王宁国为董事会执行董事、集团总裁兼CEO，委任即时生效。张汝京由
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【聚焦中芯国际】中芯国际CEO张汝京离职 华虹NEC前董事长王宁国接任
中芯国际昨日宣布CEO张汝京离职，王宁国接任。此前中芯国际已连续十个季度出现亏损，上周在美国被判窃取台积电商业机密。中芯国际董事会昨日宣布委任王宁国为董事会执行董事、集团总裁兼CEO，委任即时生效。张汝京由
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中芯国际CEO张汝京闪电离职 王宁国正式接任
11月10日上午消息（桑菊）中芯国际集成电路制造有限公司（下称“中芯国际”,0981.HK）董事会今日宣布委任王宁国博士为董事会的执行董事兼集团总裁兼首席执行官，委任即时生效。张汝京博士由于个人理由辞任
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华虹设计采用多种Cadence解决方案用于高级半导体设计
上海华虹集成电路有限责任公司（以下简称华虹设计）已经采用多种Cadence解决方案及服务，为中国快速发展的电子市场设计高级芯片。华虹设计此次与Cadence合作，是看中其技术实力，包括可制造性设计（DFM）的低功耗与模
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华虹NEC 0.162微米CIS工艺成功进入量产
晶圆代工企业上海华虹NEC电子有限公司日前宣布成功开发了0.162微米CMOS图像传感器(CIS162)工艺技术，已进入量产阶段。 华虹NEC和关键客户合作共同开发的CIS162工艺是基于标准0.162微米纯逻辑工艺，1.8V的核心器件
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华虹NEC 0.162微米CIS工艺成功进入量产
晶圆代工企业上海华虹NEC电子有限公司日前宣布成功开发了0.162微米CMOS图像传感器(CIS162)工艺技术，已进入量产阶段。 华虹NEC和关键客户合作共同开发的CIS162工艺是基于标准0.162微米纯逻辑工艺，1.8V的核心器件，
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华虹参加SCAN CHINA 2009荣获“新锐产品奖”
第十六届国际自动识别技术展览会SCAN CHINA 2009于2009年8月13－15日在北京展览馆召开。由科技部批准，中国物品编码中心、中国自动识别技术协会主办，北京源智天成科技有限公司承办的SCAN CHINA2009，是国际自动识别
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华虹NEC推出基于0.13um NVM平台的高ESD性能POC解决方案
上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）近日宣布，公司基于0.13um NVM工艺平台，针对智能卡应用，成功地开发出了高ESD性能（HBM 4KV）的POC（Pad on Circuit）解决方案，此方案有效减少了芯片面积，降低了成
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基于0.13um NVM平台的高ESD性能POC解决方案
关键字: NVM ESD 华虹NEC 上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）宣布，公司基于0.13um NVM工艺平台，针对智能卡应用，成功地开发出了高ESD性能（HBM 4KV）的POC（Pad on Circuit）解决方案，此方案有效减
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华虹NEC开发出0.13um NVM平台的高ESD性能POC方案
华虹NEC开发出0.13um NVM平台的高ESD性能POC方案
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华虹NEC 非外延0.35um BCD工艺进入量产
世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)19日宣布，公司非外延0.35um BCD工艺开始进入量产。华虹NEC在2008年成功研发并量产了BCD350 (0.35 微米Bipolar CMOS DMOS)工艺
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华虹NEC非外延0.35um BCD工艺进入量产
上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）近日宣布，公司非外延0.35um BCD工艺开始进入量产。 华虹NEC在2008年成功研发并量产了BCD350 (0.35 微米Bipolar CMOS DMOS)工艺。针对市场的不同需求，华虹NEC现又推
