凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出的新型高性能正交调制器 LT5571 为 850MHz 至 965MHz GSM、CDMA2000、ISM 和 RFID 调制器应用进行了优化。
第一章电子元件行业发展特征研究 2005年,受我国宏观经济形势的影响和外需进一步加大的拉动,我国电子元件产业的利润总额以高出全行业平均水平的姿态继续保持快速增长,这对促进我国电子信息产业的发展起到了重要
第三章电子元件行业进出口情况分析 2005年,在“科技兴贸”战略的推动下,我国电子元件产品进出口继续保持高速增长势头,实现了三个突破: 一是全年进出口额首次突破五百亿美元,达到566.23亿美元,比上年
fabless半导体公司,宣布其Winpath接入处理器被大唐移动采用在大容量超级Node-B基站中。大唐移动是TD-SCDMA3G技术开发和设备制造的领导者,其超级Node-B基站正在参加中国TD-SCDMA的应用试验,为当前和将来的3G作部署
印度25.3亿美元的嵌入式软件产业在享受高速增长的同时,也面临大量与技术人员短缺相关的挑战。印度已把自身建立为一个低成本的嵌入式软件开发基地。开发嵌入式软件的超大规模集成电路(VLSI)公司以及由OEM外包的日益增
日本Asahi Kasei旗下Asahi Kasei Electronics(AKE)日前宣布,该公司一座新的镓化砷半导体晶圆厂已开始运作。AKE生产和销售霍耳效应器件(Hall Effect elements)、霍尔芯片和其他磁性传感器,这些是Asahi Kasei EMD Gr
Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存储器件FM25C160已经获得AEC-Q100标准认证 (汽车电子设备委员会针对集成电路而设的测试标准)。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布为其 TSOP1xxxx IR 收发器系列增添四款具有出色脉冲距离编码性能的新型模块。
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出业界最高性能的集成器件采样速率转换器—— SRC4392。
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瑞萨科技公司(Renesas)今天宣布,推出具有片上以太网控制器的32位SuperH系列SH7652微处理器。
国际整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET,采用 IR标准的 DirectFET 封装技术结合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技术,可实现 95% 的效率。
国际整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET,采用 IR标准的 DirectFET 封装技术结合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技术,可实现 95% 的效率。
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东南大学“长江学者奖励计划”特聘教授、射频与光电集成电路研究所副所长黄风义博士领导的研究小组,日前在电子和集成电路器件研究方面取得重大进展,其成果于今年10月在集成电路领域国际最权威的杂志IEEEJSSC(《固
飞兆半导体公司 (Fairchild) 宣布进一步扩展其智能功率模块 (SPM™) 产品系列,推出三款采用29mm x 12mm表面安装 (SMD) 封装的新型Motion-SPM™ 器件:FSB50325S (250V)、FSB50250S (500V) 和FSB50450S (500V)。
电声器件正在向着家庭娱乐中心的方向发展,其四大发展趋势———家电化、网络化、家居化、智能化正是技术融合的发展方向,同时也更好地满足了家庭娱乐的要求。可以说,IT技术、互联网技术与电声技术的结合是一个不可
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出两款新型 PurePath Digital™功率级器件。TAS5261 是业界功率最高的单芯片数字放大器功率级器件,能够以 300W 以上的功率驱动 4 欧姆扬声器。
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出两款新型 PurePath Digital™功率级器件。TAS5261 是业界功率最高的单芯片数字放大器功率级器件,能够以 300W 以上的功率驱动 4 欧姆扬声器。
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出两款新型 PurePath Digital™功率级器件。TAS5261 是业界功率最高的单芯片数字放大器功率级器件,能够以 300W 以上的功率驱动 4 欧姆扬声器。