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三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产
三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，为各种AI应用提供优质内存解决方案 深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布，三星首款1太比...
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基础篇：关于单片机的存储器结构介绍
存储器是单片机的又一个重要组成部分，存储容量为256个单元的存储器结构中每个存储单元对应一个地址，256个单元共有256个地址，用两位16进制数表示，即存储器的地址(00H～FFH)。存储器中每个存储单元可存放一个八位二进制信息，通常用两位16进制数来表示，这就是存储器的内容。存储器的存储单元地址和存储单元的内容是不同的两个概念，不能混淆。
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主存储器概述及优化
快速读写快速页式工作技术(动态存储器的快速读写技术)：读写动态存储器同一行的数据时，其行地址第一次读写时锁定后保持不变，以后读写该行多列中的数据时，仅锁存列地址即可，省去了锁存行地址的时间，加快了主存储器的读写速度。
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存储单元概述
存储单位：在存储器中有大量的存储元，把它们按相同的位划分为组，组内所有的存储元同时进行读出或写入操作，这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可以存放一个字节;存储单元是CPU访问存储器的基本单位。
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人工智能技术怎样去突破算力极限
高级人工智能所需算力每三个半月就会翻一番 算法、数据和算力被视为推动人工智能发展的三大要素，其中算力更是被形容为支撑人工智能走向应用的“发动机”。人工智能研究组织OpenAI最近指出，“
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新趋势！边缘存储助力物联网数据各尽其用
物联传媒本文作者：露西Gartner曾预测，到2021年，40%的大型企业会将边缘计算、存储与分析纳入项目范围，而2017年这一比例仅为不到1%。时代的变化让这两个数据差异如此之大。如今5G已至，新基建加持，未来将有数百亿的智能终端联网，全球存储空间恐将告急的担忧已经开始出现。但...
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1分钟看懂，你的硬盘是如何储存数据的？
这是你的个人电脑，里面的硬盘则是你的命根子，藏着你多年以来积累的文档、照片、视频和游戏。
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执行下列单片机指令后各有关存储单元内容填空
设内部RAM（30H）=5AH，（5AH）=40H，（40H）=00H，端口P1=7FH，问执行下列指令后，各有关存储单元（即R0，R1，A，B，P1，30H，40H及5AH单元）的内容如何？MOVR0,#30H;R0=30HMOVA,@R0;A=5AHMOVR1,A;R1=5AHMOVB,R1;B=
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嵌入式系统掉电保护的设计方案
在嵌入式系统设计过程中，系统的掉电保护越来越受到重视。本文介绍的方法是在用ARM7系列芯片S3C4510B和μClinux构建的嵌入式平台上实现的。整个掉电保护实现的基本思路是
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SDRAM电路设计详解
介绍SDRAM电路设计之前先了解下SDRAM的寻址原理。SDRAM内部是一个存储阵列，可以把它想象成一个表格，和表格的检索原理一样，先指定行，再指定列，就可以准确找到所需要的存储单元，这是内存芯片寻址
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三星电子宣布量产3bit 3D V-NAND闪存
近日消息，三星电子宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。 三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示：“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线，我们相信3bit V
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SSD前景因延迟和错误率蒙上阴影
加州大学和微软的研究发现，随着芯片尺寸缩小，NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的延迟会增加一倍。加州大学的研究生Laura
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基于FPGA低成本数字芯片自动测试仪的完整方案
项目背景及可行性分析项目名称：基于FPGA低成本数字芯片自动测试仪的研发研究目的：应用VertexⅡ Pro 开发板系统实现对Flash存储器的功能测试。研究背景：随着电路复杂程度
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铁电存储器的主要技术特点
电能表经过一个世纪多的演进：由机械式电表到今日的各种不同型式的电子电能表，包含新的预付费电能表 复费率电能表以及具有双向通讯能力的电子式电能表等，其提供的扩展功
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瑞萨电子推出全新的先进低功耗SRAM产品
进一步扩大先进低功耗 SRAM 产品阵营采用 110 纳米工艺技术实现高软错误免疫能力2013年9月24日，日本东京讯—全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE：
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宏力携手同方量产0.13微米闪存存储单元SIM卡
晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”）与国内主要的智能卡设计公司之一，北京同方微电子有限公司（以下简称“同方微电子”）共同宣布, 同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入
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浅析存储器数据的软误差率(SER)问题
软误差率(SER)问题是于上个世纪70年代后期作为一项存储器数据课题而受到人们的广泛关注的，当时DRAM开始呈现出随机故障的征兆。随着工艺几何尺寸的不断缩小，引起失调所需的临界电荷的减少速度要比存储单元中的电荷聚
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铁电存储器的技术特点简介
铁电存储器的技术特点简介
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ARM指令里几个特殊符号
ARM指令里几个特殊符号
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存储器数据的软误差率(SER)问题介绍
存储器数据的软误差率(SER)问题介绍
