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防止多次试探密码的单片机密码锁方案介绍
摘要：提出了一种能防止多次试探密码的基于单片机的密码锁设计方案，根据用户的１０条总体要求，给出了该单片机密码锁的硬件电路和软件程序，同时给出了单片机型号的选择、硬件设计、软件流程图、单片机存储单元的分
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IC测试原理解析(第二部分)
芯片测试原理讨论在芯片开发和生产过程中芯片测试的基本原理，一共分为四章，下面将要介绍的是第二章。我们在第一章介绍了芯片的基本测试原理，描述了影响芯片测试方案选择的基本因素，定义了芯片测试过程中的常用术
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一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计
摘要：为了减轻辐射环境中静态随机存储器(SRAM)受单粒子翻转(SEU)的影响以及解决低功耗和稳定性的问题，采用TSMC 90 nm工艺，设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器。该SRAM基于双互锁存储单元(
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延迟和错误率令固态硬盘前景蒙上阴影
加州大学和微软的研究发现，随着芯片尺寸缩小，NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的延迟会增加一倍。加州大学的研究生Laura Grupp说，他们测试了7家SSD供应商的45种不同
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延迟和错误率令SSD前景蒙上阴影
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CPU读/写存储器的步骤过程举例说明
1)存储器的读操作。例如，若要将存储器40H中的内容50H读出，其过程如下： ①CPU将地址码40H送到地址总线上，经存储器地址译码器选通地址为40H的存储单元： ②CPU发出“渎”信号，存储器读/写控制开
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蝶形、同址和变址计算方法及公式
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能防止多次试探密码的单片机密码锁
摘要：提出了一种能防止多次试探密码的基于单片机的密码锁设计方案，根据用户的１０条总体要求，给出了该单片机密码锁的硬件电路和软件程序，同时给出了单片机型号的选择、硬件设计、软件流程图、单片机存储单元的分
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铁电存储器的技术特点分析
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存储器数据的软误差率(SER)问题
存储器数据的软误差率(SER)问题
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SRAM特点及工作原理
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据. 基本简介 SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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双口RAM在嵌入式系统调试中的应用
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20nm之后将采取三维层叠技术
在今后的2年～3年内，NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度。具体来说，到2011年～2012年，通过采用2Xnm的制造工艺与3位/单元～4位/单元的多值技术，NAND闪存很有可能实现128Gb的容量。但是，如果要实现超过128Gb
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世界上首个22纳米节点静态存储单元研制成功
美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点静态存储单元（SRAM）研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下，制造出有效存储单元。
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FLASH存储器的测试方法研究
1．引言 随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。市场的需求催生了一大批FLASH芯片研发、
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给大学生就业支招3－－部分面试试题
看了我们历年来的部分招聘试题，大家一定会觉得太容易了，但大多数学生还是做不出来，包括研究生在内，比例达到98%以上，所以我不得不投入到创新教育实践活动之中去。我们每次出题之前都要翻看各种版本的教材与实验指
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SanDisk首席执行官称摩尔定律未来5年后失效
消息称,闪存产品厂商SanDisk首席执行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未来5年后摩尔定律将会失效.摩尔定律是英特尔联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)1965年提出的,内容是:芯片上集成的晶体管数量每两年
