存储器
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三星增资 台湾DRAM厂面临严峻考验
三星传出下半年将投入大笔资金发展存储器先进制程，对于台湾DRAM厂来说，又将面临一次严峻的考验。 DRAM厂目前最欠缺的就是金援，以现在全球DRAM业者来看，很难靠一己之力对外筹资。也因此，包括韩国、日本等国政府
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DRAM厂缩衣节食 资本支出大幅缩减
2009年DRAM产业景气从谷底爬出，各家DRAM厂盛行缩衣节食，日前也传出海力士(Hynix)大砍2009年的资本支出近一半，全年支出仅约16亿美元，但分析师预估，将海力士的自有厂房与意法半导体在大陆合资的无锡厂一并计算，
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智原低漏电存储器通过矽验证
联电旗下设计服务厂智原科技昨（14）日发表适用于联电90纳米制程的低漏电存储器解决方案，相较于一般存储器，智原方案最高可以降低90％以上的漏电率，让客户的芯片面积有效的限缩到更理想范围，一并满足客户对于耗电
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全球DRAM及NAND零售价推动毛利率上升
市调机构InSpectrum认为,尽管降低报价但是仍很难促进存储器的销售,本周6月22-26日期间,无论DRAM或者是NAND的零售价继续因市场需求疲软而下降。原因是目前正是传统的淡季,所以存储器模块的销售仍很弱,但己看到DRAM的零
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尔必达退出力晶董事会 再度引燃DRAM战火
尔必达(Elpida)与力晶在台湾DRAM产业整合赛过程中，双方关系让外界感到扑朔迷离，尤其近期适逢传出茂德与尔必达旧情重燃，双方将成为DRAM代工伙伴的敏感时机，尔必达却宣布退出力晶董事会，更引发外界揣测的声浪，惟
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恒忆与三星电子共同合作开发PCM
日前，恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而
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恒忆与三星电子共同合作开发PCM
恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co.) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能
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茂德、TMC、尔必达 金三角定调
茂德与台湾存储器公司(TMC)、尔必达(Elpida)三角关系逐渐拨云见日，茂德将以中科12寸厂为尔必达代工标准型DRAM产品，从65纳米制程技术开始，值得注意的是，茂德与海力士(Hynix)合作关系并未结束，为此三角关系埋下伏
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数字射频存储器模块电路设计
1 引言 电子对抗的最终目的之一是破坏敌方的无线电通信，最直接有效的手段是采用通信干扰方式，扰乱对方的通信。而雷达干扰机是根据雷达的工作原理发射适当的干扰信号进人雷达接收设备，利用雷达干扰设备破坏或
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市场前景看好，NXP潜心相变存储器技术
NXP公司，前身为飞利浦公司的芯片部门，正在研究专有的相变存储器（PCM），该公司的首席技术官Rene Penning de Vries表示该技术将十分“有希望”。 他表示，“我们已经看到了很好性能。下一个问题是是否继续生产。”
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2009年晶圆厂资本支出减少56% 回暖信号已现
根据SEMI World Fab Forecast的最新预测，晶圆厂建设支出自2008年来持续呈现季度负增长，2009年预计同比减少56%。从全球来看，建设支出达到10年来最低点。然而，该报告的最新数据显示，2009年下半年晶圆厂建设支出和设备支出将恢复增长，并将持续至2010年。2010年，晶圆厂建设支出预计成倍增长，设备支出也可能增长多达90%。
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存储器业或已过景气谷底，但前景仍未见光明
存储器芯片产业景气在历经两年来的大滑坡之後，看来似乎已经落底，但未来恐难重拾昔日科技业金鸡母的丰采。 更惨的是，部分分析师认为近期存储器芯片价格上涨，让迫切需要进行的产业重整工作受阻，使得产业仍呈现过度
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存储器业或已过景气谷底 但前景仍未见光明
存储器芯片产业景气在历经两年来的大滑坡之後，看来似乎已经落底，但未来恐难重拾昔日科技业金鸡母的丰采。 更惨的是，部分分析师认为近期存储器芯片价格上涨，让迫切需要进行的产业重整工作受阻，使得产业仍呈现过度
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存储器业或已过景气谷底 但前景仍未见光明
存储器芯片产业景气在历经两年来的大滑坡之後，看来似乎已经落底，但未来恐难重拾昔日科技业金鸡母的丰采。更惨的是，部分分析师认为近期存储器芯片价格上涨，让迫切需要进行的产业重整工作受阻，使得产业仍呈现过度
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两款低功耗SiP存储器（富士通微电子）
富士通微电子（上海）有限公司推出两款新型消费类FCRAM（*1）存储器芯片-512 Mb（MB81EDS516545）和256 Mb（MB81EDS256545）。这两款芯片支持DDR SDRAM接口，是业界首推的将工作温度范围扩大至125°C的芯片。富士通微
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美硅谷公司开发出数据存储新技术 有望取代NAND闪存
美国硅谷一家公司１９日宣布开发出一种新技术，并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说，新型存储器的单位存储密度有望达到现有ＮＡＮＤ型闪存芯
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应用材料：半导体、面板设备市况好转
半导体及面板设备大厂应用材料总裁麦可史宾林特（Mike Splinter）在昨（13）日新闻发布会上表示，科技产品需求似乎由谷底回升，且多受益于美国、中国的振兴经济方案，随著半导体厂及面板厂的利用率回升，设备需求
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恒忆、群联电子和海力士合作开发NAND存储器系统解决方案
近日，恒忆半导体（Numonyx）、群联电子（PhisonElectronicsCorp.）和海力士（Hynix）宣布三家公司签署一份合作开发协议，三方将按照JEDEC新发布的JEDECeMMC4.4产业标准，为下一代managed-NAND解决方案开发闪存控制器
