根据计算机存储器中存储的控制程序,执行部分或全部数值控制功能,并配有接口电路和伺服驱动装置的专用计算机系统。
Nordic nRF54H20 和 nPM1300 被评为各自类别中最先进的低功耗物联网设备,其 nRF Cloud 被评为最佳云服务平台之一
全新SiWx917Y模块凭借全球射频认证提供即插即用的简便性
【2024年11月27日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出业界首款用于太空和极端环境应用的512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR闪存 。这款半导体器件采用快速四串行外设接口(133 MHz),具有极高的密度、辐射和单次事件效应(SEE)性能,是一款完全通过QML认证的非易失性存储器,可与太空级FPGA和微处理器配合使用。
荷兰菲尔德霍芬,2024年11月14日——在今日举办的2024 年投资者日会议上,ASML将更新其长期战略以及全球市场和技术趋势分析,确认其到2030年的年收入将达到约440 亿至 600 亿欧元,毛利率约为56%至 60%。
— 以业界首款采用 CXL 3.1 及 PCIe Gen6 并支持 LPDDR5 的 FPGA 器件扩展第二代 Versal 产品组合,助力快速连接、更高效数据迁移并释放更多内存—
在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下,市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测,2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%,达到1500亿美元。为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代,如铁电存储器FeRAM和ReRAM,以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。
新存储器兼备串行闪存的读取速度与EEPROM的字节级写操作灵活性,实现真正的两全其美
Oct. 9, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第三季之前,消费型产品终端需求依然疲软,由AI 服务器支撑起存储器主要需求,加上HBM排挤现有DRAM产品产能,供应商对合约价格涨幅保持一定的坚持。然而,近期虽有服务器OEM维持拉货动能,但智能手机品牌仍在观望,TrendForce集邦咨询预估第四季存储器均价涨幅将大幅缩减,其中,一般型DRAM (Conventional DRAM)涨幅为0%至5%之间,但由于HBM比重逐渐提高,DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%,较前一季涨幅明显收敛。
在现代电子设备中,存储器无疑扮演着至关重要的角色。无论是智能手机、平板电脑、笔记本电脑,还是大型服务器和数据中心,存储器都是这些设备能够高效、准确地执行各种任务的核心组件之一。本文将深入探讨存储器在现代电子设备中的功能和作用,以及其在技术进步中的演变和未来发展趋势。
软件定义汽车的设计初衷是在汽车整个生命周期内通过无线更新不断增强。基于云的虚拟化新技术允许开发始于芯片量产之前,并延续到汽车上路之后。
在快速发展的电子行业中,存储器技术作为支撑各类电子设备运行的核心组件,其性能与可靠性直接关系到产品的整体表现。在众多非易失性存储器中,铁电随机存取存储器(FRAM)以其独特的优势,特别是在代码存储器应用中的单芯片解决方案,正逐渐成为市场关注的焦点。本文将从FRAM的技术特点、作为代码存储器的优势、单芯片解决方案的应用实例以及未来发展趋势等方面进行深入探讨。
Aug. 29 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM(内存)库存,到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而,消费电子需求未如预期回温,如智能手机领域已出现整机库存过高的情况,笔电市场也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买,市场继续萎缩。这种情况下,以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱,第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩,但也暗示合约价的潜在趋势。
本届峰会以“AI驱动,存储复苏”为主题,将汇聚存储器产业链的终端厂商、原厂、平台厂商、主控厂商、模组厂商、封测厂商、设备厂商、材料厂商等头部企业、上市公司以及本土代表性企业,通过主题演讲、资本市场对接与策略分享、存储器品牌全球直播、展览等多种形式,围绕存储器市场复苏与AI新兴应用市场带动下的产业格局与趋势,分享前沿技术与最新产品,探讨产业链上下游如何协同创新,构建合作共赢的产业生态。
Jul. 22, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告,受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格,加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起,预估DRAM(内存)及NAND Flash(闪存)产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。而2025年产业营收将持续维持成长,DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%,营收将创历史新高,并且推动资本支出回温、带动上游原料需求,只是存储器买方成本压力将随之上升。
【2024年7月15日,德国慕尼黑讯】太空应用是英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的一个重要领域。英飞凌的产品被用于卫星、火星探测器仪器、太空望远镜等,即便在极端恶劣的条件下,这些应用也必须具备出色的可靠性。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射(rad hard)1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM(F-RAM)非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员,其特点是具有出色的可靠性和耐用性,在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年,并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。
DDR3,全称double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代双倍速率同步动态随机存储器。DDR3的设计特点包括:
随着嵌入式系统技术的不断发展,对存储器性能的要求也日益提高。i.MX RT 1024作为一款高性能的嵌入式微控制器,其内部集成的闪存(Flash Memory)为开发者提供了便捷且高效的存储解决方案。然而,在某些应用场景中,我们不仅需要从闪存中读取数据以运行程序,还需要在程序运行时对闪存进行写操作,即实现边读边写(Read-While-Write, RWW)的功能。本文将详细介绍如何在i.MX RT 1024上配置内部闪存以实现RWW功能。
May 20, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。
SAMD21RT采用64引脚陶瓷和塑料封装,基底面为10 mm × 10 mm