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降压转换器顶部FET Q1的典型开关波形和损耗
MOSFET 开关损耗,真正的晶体管需要时间才能打开或关闭。因此，在导通和关断瞬变期间存在电压和电流重叠，从而产生交流开关损耗。
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全新双向DC-DC转换器的设计与分析
本文主要介绍全新双向DC-DC转换器的设计与分析。这项全新的拓扑及其控制策略彻底解决了传统双向DC-DC转换器(电源容量及效率有限)中存在的电压尖峰问题。
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如何计算开关损耗？各环节开关损耗如何计算？
今天，小编将在这篇文章中为大家带来计算开关损耗的方法的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型入手
本文来源于面包板社区要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P...
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【世说芯品】Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合，MicrochipTechnologyInc.（美国微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运行并满足严格的运输要求。对于基于碳化硅的电源转换设备的设计人员来说，Microchip的AgileSwitch®2ASC-12A2HP1200V双通道数字栅极驱动器采用了AugmentedSwitching™技术，完全...
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MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型开始
▼点击下方名片，关注公众号▼❤MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。❤MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设...
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英飞凌推出全新采用TO-247-3-HCC封装的TRENCHSTOP 5 WR6系列，带来更佳的系统可靠性
近日，英飞凌科技股份公司推出了全新分立式封装的650 V TRENCHSTOP 5 WR6系列。
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你知道开关节点产生的开关损耗怎么计算吗？
伸缩门开关节点产生的开关损耗?应该如何计算?本文将探讨开关节点产生的开关损耗。
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大功率变频电源的技术应该如何创新
随着对功率的大小不断的追求，大功率变频电源的技术也必须要创新，让变频电源变得更安全。输出为纯正弦波，波形失真率小，没有干扰控制，精度高。能适应各种输出负载，像阻性负载，容性负载，感性负载都能适应，适用的环境很广。
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大功率变频电源的技术应该如何创新
随着对功率的大小不断的追求，大功率变频电源的技术也必须要创新，让变频电源变得更安全。输出为纯正弦波，波形失真率小，没有干扰控制，精度高。能适应各种输出负载，像阻性负载，容性负载，感性负载都能适应，适用的环境很广。
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一文学会开关电源的设计
对于开关电源的工作过程相当容易理解，在线性电源中，让功率晶体管工作在线性模式，与线性电源不同的是，PWM开关电源是让功率晶体管工作在导通和关断的状态，在这两种状态中，加在功率晶体管上的伏-安乘积是很小的(在导通时，电压低，电流大;关断时，电压高，电流小)/功率器件上的伏安乘积就是功率半导体器件上所产生的损耗。
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电源测量小贴士，泰克专家支招
电源测量小贴士，第1篇（共10篇）：元器件选择和特性分析 编者按：电源设计人员的需求正变得越来越高，他们面临着巨大的压力，需要改善效率，降低成本，缩短产品开发
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开关损耗和传导损耗测试(连载六):损耗测试步骤要点
我们将介绍测试电源开关损耗和传导损耗的各个步骤。 记住，经过电源开关和磁性器件的开关损耗和传导损耗对系统整体损耗有着巨大影响，正因如此，应尽可能精确地使这些损耗达到最小，这一点至关重要
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性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击
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一种基于UCC28600准谐振反激式开关电源的方案
本文提出了一种基于UCC28600控制器的准谐振反激式开关电源的设计方案，该方案分析了准谐振反激式开关电源的工作原理及实现方式，给出了电路及参数设计和选择过程，以及实际
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一种双晶体管正激有源钳位软开关电源的设计
引言 现在世界资源短缺，各国政府及社会各界越来越要求节能降耗。中国政府也正秉持这一国际化趋势的理念在不断迈进，这一趋势在未来几年还会加速，这势必为响应这一国际
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电源设计十日谈 | 第六日：开关损耗和传导损耗测试
电源设计人员的需求正变得越来越高，他们面临着巨大的压力，需要改善效率，降低成本，缩短产品开发周期。电源设计是一项复杂的工作，这一过程有许多校验点。在电源设计系列专题中，我们将向您介绍10个设
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MOSFET开关损耗分析
摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
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Diodes DFN2020封装P通道MOSFET 降低负载开关损耗
21ic电源网讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装，分别提供12V和20V的额定值。新产
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Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET
其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点：高效率和高功率密度21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适
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