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Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET
其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点：高效率和高功率密度21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适
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IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关
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Vishay推出新款超快二极管 优化系统开关损耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布11款新型Gen2 650V FRED Pt®超快二极管。“H”系列裸片器件适用于频率在40kHz以上的应用，具有极快的和软恢复
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Vishay新款超快二极管 优化开关损耗
Vishay 发布11款新型Gen2 650V FRED Pt超快二极管。“H”系列裸片器件适用于频率在40kHz以上的应用，具有极快的和软恢复的时间，以及低正向压降和反向峰值电流，可减少太阳能逆变器、UPS、电动汽车和混合动
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Vishay推出新款超快二极管 优化系统开关损耗
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布11款新型Gen2 650V FRED Pt®超快二极管。“H”系列裸片器件适用于频率在40kHz以上的应用，具有极快的和软恢复的时间，以及
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CEATEC 2012罗姆:开关损耗降低85% SiC功率半导体助建节能社会
21ic讯 10月2日-10月6日，CEATEC 2012如期召开，本届CEATEC主题重点关注：Smart Innovation-丰富多彩的生活和社会的创造当今世界随着个人生活、商务、行业、社会系统的全面网络技术活用已在逐步孕育构筑高效的智能社
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零待机功耗设计方案
在2011 IIC-China上，PI公司展示了两款零待机功耗解决方案，其中一款是基于其集成离线式开关IC - LinkZero-AX的零待机功耗方案，吸引了很多整机设计工程师。我们都知道，电子产品在待机时一般都是主电源不工作，而辅
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降低外置电源的能量消耗的方法
节能设计正在席卷整个电子行业。电子设备的广泛使用对电网的压力越来越大，因此节能就显得非常有必要了。 政府机构和公用事业公司提出了一系列的法规和措施，来鼓励工程师开发效率更高的产品，尤其是在使用外置电
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降低外置电源的能量消耗的方法
节能设计正在席卷整个电子行业。电子设备的广泛使用对电网的压力越来越大，因此节能就显得非常有必要了。 政府机构和公用事业公司提出了一系列的法规和措施，来鼓励工程师开发效率更高的产品，尤其是在使用外置电
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谐振电路升压转换器可降低超便携式应用开关损耗
最近，为了降低无源元件的尺寸并获得快速动态响应，驱动频率已被提高至MHz的数量级。但驱动频率越高，开关损耗就越大。随着开关频率不断增加，MOSFET的开关损耗将超过导通损耗。特别是由于功率器件是在最高电压电流条
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谐振电路升压转换器可降低超便携式应用开关损耗
最近，为了降低无源元件的尺寸并获得快速动态响应，驱动频率已被提高至MHz的数量级。但驱动频率越高，开关损耗就越大。随着开关频率不断增加，MOSFET的开关损耗将超过导通损耗。特别是由于功率器件是在最高电压电流条
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降低开关电源开关损耗的原理
基于电感的开关电源（SM-PS）包含一个功率开关，用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFET作开关（图1a中Q1），其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗。MOSFET完全打开时的导通电阻（
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计算大功率电源中MOSFET的功率耗散
中心议题： 计算大功率电源中MOSFET的功率耗散解决方案： 重新设定输入电压范围 改变开关频率 也许便携式电源设计工程师所面临的最大挑战在于向现代高性能CPU供电。最近，CPU供电电流每两年翻一倍。事实上
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开关电源的开关损耗
基于电感的开关电源（SM-PS）包含一个功率开关，用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFET作开关（图1a中Q1），其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗。 MOSFET完全打开时的导
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Diodes 40V闸极驱动器减少IGBT开关损耗
Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。当输入电流为 1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流，使其
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Diodes 40V 闸极驱动器减少 IGBT 开关损耗
21ic讯 Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器（gate driver） ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。当输入电流为 1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电
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FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法
摘要：详细分析了SVPWM的原理，介绍一种根据负载的功率因子来决定电压空间零矢量的分配与作用时间的SVPWM算法，使得桥臂开关在通过其电流最大时的一段连续时间内没有开关动作。这样在提高开关频率的同时减小了开关电
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FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法
摘要：详细分析了SVPWM的原理，介绍一种根据负载的功率因子来决定电压空间零矢量的分配与作用时间的SVPWM算法，使得桥臂开关在通过其电流最大时的一段连续时间内没有开关动作。这样在提高开关频率的同时减小了开关电
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利用屏蔽栅极功率 MOSFET 技术降低传导和开关损耗
本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
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利用屏蔽栅极功率 MOSFET 技术降低传导和开关损耗
本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
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