在科学技术高度发达的今天,各种各样的高科技出现在我们的生活中,为我们的生活带来便利,那么你知道这些高科技可能会含有的CoolSiC™ MOSFET模吗?
意法半导体发布了紧凑的高压栅极驱动器STGAP2HS,适用于栅极驱动侧与低压控制接口电路之间要求6kV电隔离的应用场景。
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列高功率、大电流栅极电阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作温度,以及稳健的设计,可直接替换竞争的解决方案。今天发布
栅极与源极之间加一个电阻,这个电阻起到什么作用?一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S;第一个作用好理解,这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S:场效应管的
摘要:分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性,以升压斩波电路为载体,通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响,以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时,以SiC MOSFET功率器件为核心搭建
1.是分压作用 2.下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止 3.防止栅极出现浪涌过压(栅极上并联的稳压管也是防止过压产生) 4.全桥栅极电阻也是同样机理,尽快泄放栅极电荷,将MOS管尽快截止。避免栅极悬空,悬
1.是分压作用2.下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止3.防止栅极出现浪涌过压(栅极上并联的稳压管也是防止过压产生)4.全桥栅极电阻也是同样机理,尽快泄放栅极电荷,
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(on
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
长久以来,散射技术已充分展示其精准测量简单结构的能力,例如对浅沟槽隔离结构(STI)和栅极模块的量测。但是,IC制造商现在需要监测和控制越来越复杂的结构。Spacer是目前散射技术正在处理的复杂结构之一。Spacer会
长久以来,散射技术已充分展示其精准测量简单结构的能力,例如对浅沟槽隔离结构(STI)和栅极模块的量测。但是,IC制造商现在需要监测和控制越来越复杂的结构。Spacer是目前散射技术正在处理的复杂结构之一。Spacer会