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28nm领先对手，台积电Q4产能难满载
各界对台积电（2330）第4季28纳米产能利用率疑虑提高，台积电代理发言人孙又文昨（25）日首度松口表示，第4季28纳米产能利用率可能不会满载，但她也强调，台积电28纳米制程的技术仍遥遥领先其它对手。台积电董事长张
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28nm领先对手，台积电Q4产能难满载
各界对台积电（2330）第4季28纳米产能利用率疑虑提高，台积电代理发言人孙又文昨（25）日首度松口表示，第4季28纳米产能利用率可能不会满载，但她也强调，台积电28纳米制程的技术仍遥遥领先其它对手。 台积电董事
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传联发科将28纳米订单转给格罗方德
美商格罗方德（Global Foundries）积极布局28纳米制程，企图以低价抢单的手段撼动晶圆代工龙头厂台积电的地位，格罗方德继日前抢下美商高通的手机芯片大单后，近期传 出已与国内手机芯片龙头厂联发科完成28纳米制程的
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14纳米：“六仙”过海 各显神通
摩尔定律即将敲响终止的音符，业界对于半导体业的前景也产生了各种看法，其中从大的方面，包括从工艺来看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的进程等。显然时至今日尚没有非常清楚的路线图，
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14纳米：“六仙”过海 各显神通
摩尔定律即将敲响终止的音符，业界对于半导体业的前景也产生了各种看法，其中从大的方面，包括从工艺来看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的进程等。显然时至今日尚没有非常清楚的路线图，
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14nm工艺制程竞赛：“六仙”过海 各显神通
摩尔定律即将敲响终止的音符，业界对于半导体业的前景也产生了各种看法，其中从大的方面，包括从工艺来看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的进程等。显然时至今日尚没有非常清楚的路线图，
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联发科 传转单格罗方德
美商格罗方德（GlobalFoundries）积极布局28纳米制程，企图以低价抢单的手段撼动晶圆代工龙头厂台积电的地位，格罗方德继日前抢下美商高通的手机芯片大单后，近期传出已与国内手机芯片龙头厂联发科（2454）完成28纳米
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联发科 传转单格罗方德
美商格罗方德（Global Foundries）积极布局28纳米制程，企图以低价抢单的手段撼动晶圆代工龙头厂台积电的地位，格罗方德继日前抢下美商高通的手机芯片大单后，近期传出已与国内手机芯片龙头厂联发科（2454）完成28纳
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台积/GF再战28nm 大陆IC设计市场
台积电与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程战火将扩大延烧。中国大陆IC设计业者为抢进行动装置市场，纷纷投入28奈米晶片开发。瞄准此一商机，台积电与格罗方德均积极展开扩产，并致力强化技术支援能力，以争取大
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锁定大陆IC设计市场 台积/GF再掀28nm热斗
台积电与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程战火将扩大延烧。中国大陆IC设计业者为抢进行动装置市场，纷纷投入28奈米晶片开发。瞄准此一商机，台积电与格罗方德均积极展开扩产，并致力强化技术支援能力，以争取大
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锁定大陆IC设计市场 台积/GF再掀28nm热斗
台积电与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米制程战火将扩大延烧。中国大陆IC设计业者为抢进行动装置市场，纷纷投入28奈米晶片开发。瞄准此一商机，台积电与格罗方德均积极展开扩产，并致力强化技术支援能力，以争取大
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台积电28纳米 格罗方德抢单
28纳米制程一向领先同业的晶圆代工龙头台积电，即将遭遇美商格罗方德（Global Foundries）的竞争。 业界传出，格罗方德降价逾一成，抢下美商高通的手机芯片大单，预定第4季投片，可能冲击台积电营运。 台积电发
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晶圆厂的FinFET混搭制程竞赛
一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米
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集中火力攻FinFET 联电确定不玩20奈米
联电将跳过20奈米(nm)制程节点，全力卡位14奈米鳍式电晶体(FinFET)市场。由于20奈米研发所费不赀，加上市场需求仍不明朗，因此联电已计划在量产28奈米后，直接跨过20奈米节点，加速挺进更具投资效益的14奈米FinFET世
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缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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晶圆厂的FinFET混搭制程竞赛
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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市场竞争激烈 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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台积电和格罗方德合作研发20nm ARM处理器
台积电和格罗方德半导体股份有限公司(GLOBALFOUNDRIES)正在研发基于 ARM 的 20nm 制程工艺处理器，预计明年可面世。据了解，当前 28nm 处理器的最快主频为 2.3GHz，主频达到 2.3GHz 的处理器有高通 Snapdragon 800 和
