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海力士抢先展示UFS 4.1闪存：基于V9 TLC NAND颗粒打造
8月9日消息，在FMS 2024峰会上，SK海力士展示了其最新的存储产品，包括尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存。
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海力士和三星内存条是否兼容
内存条是计算机中非常重要的组件之一，它负责存储和访问计算机中的数据。在市场上，有很多不同品牌的内存条可供选择，其中三星和海力士是最著名的两个品牌之一。这两个品牌的内存条在技术、质量和性能方面都非常相似，因此它们之间的兼容性是一个备受关注的问题。
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闪存芯片市场韩国一家独大！市场占有率超50%
据统计，随着Intel闪存业务被SK海力士收购，韩国企业三星+SK海力士合计占市场份额已经超过50%。
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定了！今年第三季度SK海力士将正式开始为NVIDIA提供HBM3显存
早在去年，SK海力士就曾宣布，成功开发出业界首款HBM3内存，但却迟迟没有公布产品的量产时间。
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SK海力士首次公开与Solidigm的“合作产品”
（全球TMT2022年4月5日讯）SK海力士和Solidigm首次公开了两家公司共同开发的新企业级SSD（eSSD）产品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年底完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段后，在美国设立的SSD子公司。SK海力士收购英特尔NAN...
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三星、海力士等公司计划停产DDR3内存
从去年底的12代酷睿开始，内存进入了DDR5时代，这大半年来价格虽然还是很贵，但年底应该会继续降，未来几年各大内存厂商也会加大DDR5内存的生产，DDR4还会继续使用多年，不会被淘汰。
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SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM
（全球TMT2022年2月16日讯）SK海力士宣布，公司已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术“PIM（processing-in-memory，内存中处理）”。 SK海力士开发出基于PIM技术的首款样品GDDR6-AiM SK海力士还开发出了公司首款基于PI...
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SK海力士完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段
（全球TMT2021年12月30日讯）SK海力士宣布，已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准后，SK海力士完成了第一阶段的后续流程，包括从英特尔接管SSD业务及其位于中国大连NAND闪存制造厂的...
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美国阻挡EUV光刻机引入SK海力士无锡厂?；联发科发布全球首颗4nm SoC；东芝2022年1月调涨
关注星标公众号，不错过精彩内容来源|与非网美国阻挡EUV光刻机引入SK海力士无锡厂据外媒报道，韩国存储大厂SK海力士希望改造其在无锡的大型芯片代工厂，这座工厂占公司约半数DRAM芯片的产量，且占其全球产量达15％。SK海力士希望引入ASML最先进的EUV设备，升级无锡芯片厂的设备...
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无锡工厂引入EUV设备还有转机？SK海力士回应来了
行业新闻早知道，点赞关注不迷路！11月24日消息，据外媒报道，就SK海力士打算引入EUV光刻机到其中国无锡工厂被阻这一传言，SK海力士CEO李锡熙予以否认。此前，曾有消息称SK海力士希望引入ASML（阿斯麦）最先进的EUV设备，升级其无锡芯片厂的设备产品，以提高量产能力，控制成本...
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美国阻挠ASML卖EUV光刻机给无锡SK海力士
继美国反对英特尔在中国四川成都扩建工厂后，韩国存储器芯片大厂SKHynix恐怕也将成为美中科技战的新受害者。11月18日，路透社报道，SK海力士希望引入ASML（阿斯麦）最先进的EUV设备，升级其无锡芯片厂的设备产品，控制成本并加速生产效率。但是，美国对此持反对意见。美国此前不断...
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美国阻挡EUV光刻机引入SK海力士无锡厂?；联发科发布全球首颗4nm SoC；东芝2022年1月调涨
关注星标公众号，不错过精彩内容来源|与非网美国阻挡EUV光刻机引入SK海力士无锡厂据外媒报道，韩国存储大厂SK海力士希望改造其在无锡的大型芯片代工厂，这座工厂占公司约半数DRAM芯片的产量，且占其全球产量达15％。SK海力士希望引入ASML最先进的EUV设备，升级无锡芯片厂的设备...
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SK海力士为车用存储半导体获取功能安全国际标准ISO 26262:2018 FSM认证
（全球TMT2021年11月12日讯）SK海力士于11月12日表示，针对车用存储半导体公司获取了功能安全国际标准ISO 26262:2018 FSM（功能安全管理，Functional Safety Management）标准认证。ISO 26262认证是国际标准化组织（ISO...
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韩国芯片巨头三星、海力士已确认向美方提供商业数据
今天早上（11月9日）最新消息，有外媒报道称韩国芯片巨头三星电子和SK海力士于今天确认，在8日下午应美国方面的要求向美国政府提交了其芯片业务相关商业数据，但是，报道又称两家企业并未提交客户机密资料等敏感信息。 据报道称，三星提交的商业资料里，省略了库存信息，并将所有提交资料标记为...
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期限将至！传三星、SK海力士芯片机密将交美国
继前不久台积电宣布将会按照美国要求，在11月8日前提交供应链资料后，近日韩媒再传出消息，原本坚定持有反对态度的三星电子已决定配合美国的要求，此外SK海力士也将作出同样抉择，在11月8日期限内上交资料。三星电子副会长暨设备解决方案部（DS）负责人金奇南（KimKi－nam）在上周的...
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SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
10月20日，SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3DRAM内存芯片。该产品可以与CPU、GPU核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。目前HBMDRAM已经发展到了第四代，HBM3进一步提升了单片容量以及带宽。SK海力士表示，2020...
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三星、SK海力士将把芯片机密将交给美国
为解决全球芯片荒，美国政府要求芯片制造商自愿分享商业资料，引发业者担忧，此举恐泄漏商业机密。不过，原持犹豫态度的韩国芯片巨头三星电子（SamsungElectronics）和SK海力士（SKhynix），据传决定配合要求，将在期限前将资料提交给美国政府。韩联社报道，今年9月下旬，...
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4.92亿美元！SK海力士再收购晶圆厂
全球第二大内存芯片制造商SK海力士周五表示，将以5760亿韩元（4.92亿美元）收购韩国晶圆代工厂商KeyFoundry。资料显示，KeyFoundry在韩国忠清北道清州市拥有两座8英寸晶圆厂（FAB4和FAB5，已合并统称为FAB4）专门从事晶圆代工业务，月产能约为8.2万片，...
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SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
10月20日，SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。
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SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
（全球TMT2021年10月20日讯）SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。...
