4日,SK海力士位于无锡的DRAM(内存芯片)工厂发生爆炸,虽然火灾已于当天下午扑灭,但该工厂的DRAM生产线却被迫中断。受此影响,连续阴跌的国际DRAM颗粒现货价格昨日出现大涨,但业内人士表示,此次火灾对芯片市场不会
SK海力士周日表示,受火灾影响的中国工厂周六已部分恢复生产。该工厂产量占SK海力士DRAM存储芯片总产量的一半,SK海力士计划尽快恢复该工厂的全面生产。上周三,SK海力士位于中国无锡的工厂发生火灾。外界担心,该工
韩国DRAM大厂海力士(Hynix)位于江苏无锡DRAM厂昨天发生爆炸,由于火势猛烈、浓烟漫布,估计受创严重,牵动DRAM供应。全球DRAM大厂三星、美光及南科等相继暂停报价,并停止接单。业者指出,海力士无锡厂每月晶圆投片
2013年9月4日下午3点半左右,位于江苏无锡新区的韩资企业海力士-意法半导体(中国)有限公司一车间突然发生火灾,冒起的滚滚浓烟蔓延周边数公里。无锡海力士公司4日下午发生火灾,截至18时明火已全部扑灭,1人受轻微外
9月4日,SK海力士位于无锡的DRAM(内存芯片)工厂发生爆炸,虽然火灾已于当天下午扑灭,但该工厂的DRAM生产线却被迫中断。受此影响,连续阴跌的国际DRAM颗粒现货价格昨日出现大涨,但业内人士表示,此次火灾对芯片市场
【导读】据韩联社消息,韩国SK海力士21日表示,将在中国加强对数码相机核心部件——CMOS图像传感器(CIS)的推广工作。 摘要: 据韩联社消息,韩国SK海力士21日表示,将在中国加强对数码相机核心部件——CMOS图像传
三星电子率先量产了3D垂直堆叠的NAND闪存,并宣布了基于它的首款固态硬盘,而在日前的闪存峰会上,SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D闪存技术。 还是首先看看三星的吧。 现在已经能够做到24层堆叠
三星电子率先量产了3D垂直堆叠的NAND闪存,并宣布了基于它的首款固态硬盘,而在日前的闪存峰会上,SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D闪存技术。还是首先看看三星的吧。现在已经能够做到24层堆叠,单
【导读】NAND Flash大厂海力士积极建立芯片设计团队,继买下美系NAND Flash设计公司LAMD后,近期更出手买下USB 3.0设计厂银灿旗下内嵌式存储器(eMMC)部门,将成立新公司落脚台元科技园区,创下国际存储器大厂在台成立
手机晶片厂联发科上半年营收为19.32亿美元,年增33%,跃居全球第18大半导体厂;业绩成长幅度居全球前20大半导体厂中第3大。根据研调机构IC Insights调查,今年上半年全球前20大半导体厂中,有8家厂商总部位于美国,有
吞下日本尔必达之后,新的美光集团将在DRAM内存市场上占据更重要的地位,市场规模将一举超越SK海力士,并无限逼近三星电子。新美光的DRAM晶圆月产能将有最多35万块,相比之下SK海力士才27万块,三星电子也不过36万块
据韩国《朝鲜日报》7月4日消息,全球排名前两名的的芯片企业——三星电子和SK海力士签署了专利共享授权协议。业内预计,两家公司将通过专利共享取得数万亿韩元的经济利益。因为这样可以避免为专利纠纷进行
据韩国《朝鲜日报》7月4日消息,全球排名前两名的的芯片企业——三星电子和SK海力士签署了专利共享授权协议。业内预计,两家公司将通过专利共享取得数万亿韩元的经济利益。因为这样可以避免为专利纠纷进行
北京时间4月25日消息,据国外媒体报道,在过去两年里,三星投资高达240亿美元用于扩大该公司的移动内存芯片产能。但事实表明,三星的内存芯片仍无法满足该公司需求。三星是全球最大的移动DRAM芯片生产商,产量占
2月20日消息,据台湾媒体报道,据市场研究公司DRAMeXchange称,三星电子和SK海力士在2012年第四季度继续引领全球DRAM市场,它们两家公司在该领域的市场份额之和达到67%。 DRAMeXchange称,2012年第四季度,三星
2月20日消息,据台湾媒体报道,据市场研究公司DRAMeXchange称,三星电子和SK海力士在2012年第四季度继续引领全球DRAM市场,它们两家公司在该领域的市场份额之和达到67%。DRAMeXchange称,2012年第四季度,三星电子在
2月20日消息,据台湾媒体报道,据市场研究公司DRAMeXchange称,三星电子和SK海力士在2012年第四季度继续引领全球DRAM市场,它们两家公司在该领域的市场份额之和达到67%。DRAMeXchange称,2012年第四季度,三星电子在
韩国时报发布消息称,根据周二发布的一份报告显示,随着中国智能手机市场的不断增长,刺激了对于移动设备电子零件的众多需求,而韩国芯片制造商将会从中受益。韩国投资证券公司在报告中说道,存储芯片制造商,例如海
据业内消息人士透露,三星与海力士两家DRAM芯片厂商都已表示将加快向20nm制造工艺的产能转移速度。预计到2013年时,采用20nm工艺制造的DRAM芯片将会成为这俩家厂商的主要产品,同时市场中的30nm工艺DRAM芯片将逐渐退
台积电昨(12)日宣布,新世代的CoWoS测试芯片已设计定案、步入试产阶段;负责存储器的合作伙伴海力士(Hynix)证实,台积电与海力士进行技术结盟。 业界解读,台积电携手海力士对抗三星,可望加速争取到苹果行动处