使用温度传感器为 PT100,这是一种稳定性和线性都比较好的铂丝热电阻传感器,可以工作在 -200℃ 至 650℃ 的范围.本电路选择其工作在 -19℃ 至 500℃ 范围.整个电路分为两部分,一是传感器前置放大电路,一是单片机 A/D
近年来,高亮度LED应用发展神速,特别是在指示牌、交通信号灯方面。而对汽车应用来说,LED亦有极大的吸引力,长寿命、抗震、高效、对光源良好的控制能力,都是它的优势。当然,相对于白炽灯,LED需要驱动电路,还有汽
大塚商会将上市韩国Fawoo Technology制造的“Lumidas-CL”系列LED灯泡。2009年12月22日开始通过大塚商会的邮购网站“P-tano”及网络商城“乐天市场”的店铺销售。预定售价为2380日元。该公司表示争取每年销售10万个。
针对某恒温箱控制系统中存在的非线性、时变等特点,结合传统PID与现代模糊控制理论,以EP1C12型FP-GA为核心控制器,采用模块化思想,设计并实现温度模糊自适应PID控制。实际运行结果表明,采用该方法可明显改善控制效果,在简化设计的同时,也可提高系统的运算速度和可靠性。
0 引 言 无线传感器网络是新近兴起的研究领域,它是由一个主机(网络接入点)和大量的无线传感器节点组成的分布式系统。由无线传感器节点负责对数据的感知和处理,并传送给主机;主机用户可通过公共网络(如Inte
日本Ecorica上市了亮度相当于60W白炽灯的LED灯泡“高功率LED灯泡60W级”。分别提供聚光型和漫射光型的白色(色温度为5000K)和灯泡色(色温度为2800K)共计4款产品。 1m的垂直照度方面,最亮的白色光聚光型为540lx,
基于FPGA的温度模糊自适应PID控制器的设计
以高性能单片机C8051F020为核心控制芯片的自动测控系统,能自动测温,到测温点自动输出线性电流、自动采集负载压力等,并进行计算、显示及打印测试数据,其可靠性、精度、效率都大大提高。 1 系统方案设计
以高性能单片机C8051F020为核心控制芯片的自动测控系统,能自动测温,到测温点自动输出线性电流、自动采集负载压力等,并进行计算、显示及打印测试数据,其可靠性、精度、效率都大大提高。 1 系统方案设计
针对高温表面的要求 在开始介绍新法规要求之前, 让我们先了解一下现有的法规:欧洲电工技术标准化委员会CENELE所发布的指导书29法规涉及到针对可能接触到的高温表面要求,该指导书在一年前提出, 其中几项要求已经确
在某些历史时刻,这个世界可以选择不同的道路走下去。哥本哈根举办的COP15气候大会是其中的一个决定性的时刻:我们可以选择走向绿色繁荣和更可持续发展未来的道路。或者我们可以选择另一条道路,那就是僵峙并对气候变
传统PID控制对于突然温度变化控制不够及时,因此加热效果不好,采用模糊控制能够很好解决各种工况干扰引起的温度波动问题,可以实现波动实时调节。文章对于轧钢加热控制有着很大参考和借鉴意义。
用户:滑雪场、冰球场 用途:利用数据记录仪8430-21设定温湿度,从而有效的控制冷冻机用户管理对于冰的控制有严格要求的滑雪场和冰球赛场。 若对于温湿度没有一个很好的控制和调整,则将影响冰的状态,有时会降低比
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。但是,当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响,以及各个晶胞单元等效电路模型,就会发现,上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立,而在开关转化的瞬态过程中,上述理论并不成立,因此在实际的应用中会产生一些问题,本文将详细地论述这些问题,以纠正传统认识的局限性和片面性。
目前主要有两种实现电阻型分压器的方式:通过将两个分立的片状电阻连接到公共端,或者通过使用分压器封装在内部的电阻网络进行连接。你所选择的类型可能会对分压器的性能有很大的影响。
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。但是,当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响,以及各个晶胞单元等效电路模型,就会发现,上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立,而在
据国外媒体报道,美国科学家已经研制出用另一种名叫镓的元素替代半导体芯片中硅的方法。这种元素可以产生更快的电流。将铟、镓和砷这三种金属混合而成的晶体管比半导体芯片的导电速度快10倍。 镓,尤其是砷化镓(