图1所示为简易电压保持器电路,在用于测量线路(或线路板)的工作电压时,可使电压值长期保持在电压表上。这样既可避免测量时要照顾到表笔与测试点是否接触,又要读取电压表上的读数的麻烦,而且还可以避免出现一些不
过电压的产生与再生制动所谓变频器的过电压,是指由于种种原因造成的变频器电压超过额定电压,集中表现在变频器直流母线的直流电压上。正常工作时,变频器直流部电压为三相全波整流后的平均值。若以380V线电压计算,
利用Microchip电容式触摸感应解决方案有两种方式:张驰振荡器方式是通过检测触摸感应电容充放电的频率变化,来检测是否有键按下;或者通过Microchip单片机集成的片上充电时间检测单元(CTMU)实现。 简单RC振荡方式
0 引言 为保证无人值守的设备(比如考勤机等)在断电后仍能运行,通常要加入蓄电池作为后备电源。在电网断电后,后备电池开始对设备进行供电。这时,必须设置电池过放电保护电路。最简单的电池保护是设置一个电
国际电子商情讯 中国常州特种变压器有限公司(“常州特变”)日前正式宣布与印度 Supreme 公司签署公司之间的谅解备忘录。Supreme 公司将在国际市场为常州特变推广其生产的电压等级在33KV 以下的配电变压器及相关设备。
Maxim推出能够提供100mA电流的低成本、高输入电压、HB (高亮度) LED线性驱动器MAX16839。器件集成调整管和故障检测功能,极大地减少了外部元件数量。此外器件还支持多串LED应用中的多个驱动器协同工作。MAX16839具有
Maxim推出能够提供100mA电流的低成本、高输入电压、HB (高亮度) LED线性驱动器MAX16839。器件集成调整管和故障检测功能,极大地减少了外部元件数量。此外器件还支持多串LED应用中的多个驱动器协同工作。MAX16839具有
利用电压型变频调速系统的基本原理,对滤波电容参数进行计算和正确选择,打破了传统传动系统中工程人员的经验公式,引入逆变器开关策略和负荷特性进行计算,导出电容在工作过程中充放电电流的规律,并给出了工程计算公式,此公式简单,物理概念比较清楚。经实验证明,此工程计算公式可用于工程实际中的中小功率变频调速系统滤波电容参数的计算中。
输电线路电流保护和电压保护分别作为电力系统保护原理和手段之一,是十分重要的保护类型。该设计分别对电力线路的过压、欠压以及过流进行实时的监测与控制。同时采用相间短路的电流/电压保护和接地短路的零序电流/电压保护。这里利用计算机的高速处理能力性能,达到了对输电线路进行复杂多方式监测,复杂多方式控制与保护的目的。
Avago Technologies(安华高科技)宣布,推出两款新微型化电压/电流阀值检测光电耦合器,适合各种广泛的工业控制应用。ACPL-K370/K376光电耦合器在设计上可以检测直流和交流电压源,并通过光电耦合屏障将电压转换为逻辑
输电线路电流保护和电压保护分别作为电力系统保护原理和手段之一,是十分重要的保护类型。该设计分别对电力线路的过压、欠压以及过流进行实时的监测与控制。同时采用相间短路的电流/电压保护和接地短路的零序电流/电压保护。这里利用计算机的高速处理能力性能,达到了对输电线路进行复杂多方式监测,复杂多方式控制与保护的目的。
Avago Technologies(安华高科技)宣布,推出两款新微型化电压/电流阀值检测光电耦合器,适合各种广泛的工业控制应用。ACPL-K370/K376光电耦合器在设计上可以检测直流和交流电压源,并通过光电耦合屏障将电压转换为逻辑
一、 前 言: 变频器在调试与使用过程中经常会遇到各种各样的问题,其中过电压现象最为常见。 过电压产生后,变频器为了防止内部电路损坏,其过电压保护功能将动作,使变频器停止运行,导致设备无法正常工作。
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。但是,当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响,以及各个晶胞单元等效电路模型,就会发现,上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立,而在开关转化的瞬态过程中,上述理论并不成立,因此在实际的应用中会产生一些问题,本文将详细地论述这些问题,以纠正传统认识的局限性和片面性。
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。但是,当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响,以及各个晶胞单元等效电路模型,就会发现,上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立,而在