电压
-
瑞萨 推出可在32nm及以上工艺实现SRAM的技术
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，开发出一种可在32 nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）中的片上SRAM。
-
瑞萨 推出可在32nm及以上工艺实现SRAM的技术
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，开发出一种可在32 nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）中的片上SRAM。
-
凌特上市在封装中内置参考电压D-A转换IC
美国凌特科技（LinearTechnology）上市了在2.1mm×2mm的6端子SC70封装中内置参考电压的D-A转换IC“LTC2630”。与内置参考电压的其它D-A转换IC相比，封装面积削减了约50％。分辨率为12bit、10bit及8bit。12bit产品的I
-
利用16位DAC实现20位分辨率的设计
本文提出一种创新的解决方案，即在精密DAC后端使用可编程增益放大器(PGA)。
-
利用16位DAC实现20位分辨率的设计
本文提出一种创新的解决方案，即在精密DAC后端使用可编程增益放大器(PGA)。
-
一种串联蓄电池组电压巡检仪的设计
对于单块电池的电压进行自动巡检，以便及时发现问题，就变得极为重要。而对电池组单块电池电压进行测量存在以下主要技术难点。
-
运算放大器电路中固有噪声的分析与测量(一)
本系列文章将介绍如何通过计算来预测电路的固有噪声大小，如何采用 SPICE模拟技术，以及噪声测量技术等。
-
Synopsys与联华电子 加强90纳米参考流程
Synopsys与台湾联华电子共同宣布，双方合作以Synopsys的Galaxy™ 设计解决方案平台为基础，针对联华电子的90纳米工艺，在参考设计流程中增添了新的功能。
-
预零交叉检波器的设计
本文介绍一种产生闭合或断开继电器的信号、使接触在铃声发生器的铃声信号处于零电位时合或开的方法。
-
电力线上网效法小灵通欲闯牌照关
10万用户会是一个标志，之后电力线上网会产生滚雪球效应。最终以既成事实获取话语权。就像当年的小灵通一样。 “由于电力线上网太不稳定，我们已经决定更换上网方式了。”家住北京通州的刘先生告诉《财经时报
-
一种新颖电压取样型电机保护器
本文描述了一种新颖电压取样型电机保护器的保护特性、以及过压、欠压、断相(或错相)等特性。
-
Onsemi 推出11个新型低饱和电压BJT
安森美半导体（Onsemi）宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管（BJT）产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。
-
Onsemi 推出11个新型低饱和电压BJT
安森美半导体（Onsemi）宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管（BJT）产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。
-
TI 推出高输入电压LDO稳压器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一系列可在恶劣环境下正常工作的高输入电压 LDO 线性稳压器。
-
Linear 推出承受高达80V输入电压的微功率LDO
凌力尔特公司（Linear）推出输入电压能力高达 80V 的微功率LDO LT3012 和LT3013。LT3012 和 LT3013 具有仅为 400mV 的低压差，同时提供高达 250mA 的负载电流。
