误差放大器输入端可能是电源中最为敏感的节点,因为其通常具有最多的连接组件。如果将其与该级的极高增益和高阻抗相结合,后患无穷。在布局过程中,您必须最小化节点长度,并尽可能近地将反馈和输入组件靠近误差放大器放置。如果反馈网络中存在高频积分电容,那么您必须将其靠近放大器放置,其他反馈组件紧跟其后。
防止电路免受高浪涌电流、电压尖峰和热耗散的损害,性能和可靠性优于竞争对手,例如采用独特的3态使能/故障引脚,可并联eFuse以增强电流能力,IMON新特性可实现输出电流监控,热插拔启动延迟实现系统级增强等。
采用 LT6110 这类元件,就可以根据相应的负载电流来调节电源电压;不过,进行这种调节需要了解线路电阻相关信息。大多数应用都会提供此信息。如果在器件的使用寿命期间,将连接线更换成更长或更短的连接线,则还必须对采用 LT6110 实现的电压补偿进行相应调整。
通过使用BQ25619的升压功能,可以增强到所需的最低电压,以便在充电盒和耳机电池之间留出足够的净空高度。这减少了不必要的升压功率损失且还增加了耳机充电效率,因为降低了电压差。
性能卓越的SPICE软件工具能够分析工作温度变化如何影响RLC网络的输出。这对于PCB尤其重要,因为除非我们设计的电路板具有精密的热管理能力,否则PCB运行温度可能超过室温。
然而,这又导致了另一个问题:如何在消费者数量增加的同时控制需求?解决这个问题的方法是设计更高效的电源,其既可提供更多的能源,又能减少浪费。电源设计师当然不会无从下手,他们正在寻找可以帮助改善电源性能的“魔法”元素。
想了解更多电源知识吗?快来TI模拟专栏吧。这里整理汇集了一大批TI官方的参考设计和白皮书,海量技术文档更能让你快速武装自己。还在等什么?快来长本领,看自己有没有能力应聘任天堂的职位吧。
每个设计都有用于比较设计的复选框。此项新功能会生成一个表格,如图3所示,其中包含了其他信息,如集成电路(IC)参数和集成电路特性,这些信息支持对多个设计进行并列比较。
贸泽和Bourns 共同推出的这本电子书为具体的电路保护应用提供了详细的说明,包括用于以太网供电的电气瞬态保护、直流电源浪涌保护,以及外部以太网端口保护。此外,书中的多篇文章还重点介绍了以太网保护以及主要和次要保护标准,有助于读者深入了解国际电信联盟 (ITU-T) 和Telcordia法规。
在可预见的未来,使用Type-C连接器通过USB供电预计将主导电源适配器的设计,其在许多应用领域的采用已经非常突出,它的多功能性意味着它将成为制造商和消费者的首选方案。
支持SPI接口的Si834x8x隔离开关,采购量达10万片数量级时单价为2.09美元。为了简化开发并加快产品上市时间,Silicon Labs提供了Si834x评估套件,具有并行或SPI接口及漏型/源型输出选项。
XP Power正式宣布推出两款适配器电源系列,可满足符合医疗安规的家庭医疗应用及能效和国际安规认证至关重要的通讯应用。ALM150模块效率达到93%,ALM200模块则达到92%。所有产品均达到能效六级标准,待机时功耗小于0.15W。
USB 开发者论坛 (USB Implementers Forum) 总裁暨营运长 Jeff Ravencraft 表示:「USB Type-C® 接口的采用率迅速飙涨,促进业界朝着支持 SuperSpeed USB 20Gbps 的产品发展。
InnoSwitch-CE IC集成了一个具有精确输入过压/欠压监测功能的650 V MOSFET,可提供出色的输入浪涌和电压骤升保护。新器件支持多路输出的应用,同时具有精确的外部电流检测功能。
欧洲锂离子电池回收能力的开发,将有助于应对未来几年内欧洲电动汽车市场的强劲增长,并为欧洲能源转型所需的原材料供应提供保障。此外,通过减少原材料消耗,这一良性循环工艺将支持欧洲更好地应对来自可持续绩效领域的重要挑战。
日前发布的器件采用体积更小的 MicroSMP 封装,典型额定电流与 SMA 封装相当,具有更高功率密度,PCB 占用空间节省 57%。VS-1EQH02HM3和VS-2EQH02HM3采用非对称设计,大面积金属垫片有利于散热,热性能极为出色,FRED Pt 技术实现 13ns 超快恢复时间,Qrr 降至 11nC,在-55 °C至+175 °C整个工作温度范围内具有软恢复功能。
电源设计的工程师已经意识到SiC晶体管确实是新开关模式设计的最佳选择,虽然它们可能比替代品贵一点,但它们提供了更多优势。以下是SiC与MOSFET和IGBT相比的优势:
前瞻产业研究院分析指出,以iPhone为例,iPhone4S的单机MLCC需求量仅为496颗,到4G时代的iPhone X已增加至1100颗。未来5G通信将大大拉动MLCC用量,5G手机的MLCC需求量预计比4G手机增长50-200%。
该产品适用于工作频段为2.4 GHz的无限通信音频设备。由于其优化电容达到6.8 pF,该多层元件在此频段可快速衰减,且能够有效抑制所产生的TDMA噪声,从而提高接收器的灵敏度。
耗散钳位中的功率损耗与存储与电感的能量有关。当FET导通时,变压器初级绕组中的电流逐渐增加到峰值电流。当FET关断时,能量通过变压器的次级绕组传递到输出端,泄漏能量不通过变压器铁心耦合,因此它可以保留在初级侧并流入钳位。