日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT1。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封装,可用于便携
集美电子(KEMET)推出了其先进U2J I类瓷介电容器。这种U2J表面贴装平台提供了超过两倍的C0G/NP0的可用容量。相比X7R、X8R和X5R,它还提供更好的温度性能,从而使其成为包括
德州仪器 (TI) 近日推出业内首款适合空间应用的双数据速率 (DDR)内存线性稳压器。TPS7H3301-SP是唯一一款不受每平方厘米高达65兆电子伏(MeV-cm2)单粒子效应影响的DDR稳压器
Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商,日前宣布推出了符合AEC-Q101标准的新系列瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门用于保护敏感的汽车电子设备不受负载突降和其他
专业的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器领先供应商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 发布了 TMR3004 隧道磁阻 (TMR) 角度感器。该产品具备超过10
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列高功率、表面贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出3颗采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封装的N沟道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E,扩充其600V和6
全球微电子工程公司——Melexis公司,通过发布MLX91210系列,基于尖端的霍尔效应技术实现,进一步扩展了其全面的电流传感器产品组合。MLX91210 IC采用5V电源供
全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适合在车载、工业设备以及通讯基础设施等易硫化的严苛环境下使用的新型抗硫化贴片电阻器“SFR系列”产品。 贴片电阻器的内部
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出5个新系列铝电容器---260 CLA-V、246 CTI-V、250 CRZ-V和246 RTI-V、250 RMI-V, 其耐振动能力优于标准器
Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商,日前宣布推出了两个新的微型表面贴装两端子气体放电管(GDT)系列产品,用于保护敏感型电子设备免受中低强度的雷击感应浪涌
产品简介:金升阳最新推出新一代3W三相四线电表专用AC/DC电源LS03-16BxxSS和LD03-16Bxx系列,该电源具备90~528VAC宽电压输入范围,符合额定电压:3×220VAC/380VAC、任
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,
e络盟日前宣布进一步扩充来自Multicomp的电缆组件和连接器产品系列。用户现可通过e络盟http://cn.element14.com/multicomp快速查看、比较并选购广泛适用于电子产品设计与制造的Multicomp全系列最新精选射频连接器产品,其中包括电缆组件和连接器,从而用于推动射频产品的制造及解决方案的开发。
德州仪器(TI)近日推出了一款可靠性最高、功耗最低、DC精度最高且总效率优于同类产品的增强型隔离放大器。AMC1301是TI增强型隔离系列的最新产品,拥有业界最高的工作电压规格
德州仪器(TI)近日推出了两款36-V, 2.1-MHz同步降压稳压器,可消除开关节点的振铃,以减少电磁干扰(EMI)、提高功率密度,并确保在高压降条件下正常运行。此次推出的2.5-A LM
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前推出IR1161L 和 IR11688S 二次侧同步整流(SSR)系列控制IC,进一步完善英飞凌面向SMPS应用的产品组合。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对通信、工业、安保系统和计量类应用,推出具有高可靠性和无噪声开关特性的3颗新器件---VOR1142B4、VOR21
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的采用铁粉材料的A11型无线充电发射线圈---IWTX-47R0BE-11 6.3μH。该线圈符合WPC(无线充电联盟)标准,适合5V应用,正在
具备优越特性的eGaN® FET与集成电路可以实现的低成本解决方案是在发射端采用单个功率放大器,而在接收端无论是采用什么标准,也可以实现无线充电。