在“IEDM 2010”开幕当天举行的研讨会上,韩国三星尖端技术研究所(SAIT)与美国IBM相继发布了截止频率突破200GHz的石墨烯FET。两公司均计划将其应用于高频RF元件。 SAIT总裁Kinam Kim上午发表了主题演讲,介绍了
石墨薄片──也就是石墨烯(graphene)──由于具备比传统硅芯片高出百万倍的导电性能,因此是颇具潜力的芯片上互连层(interconnectionlayers)替代材料。但若要用石墨烯制作半导体,需要开启让电子跳跃过的能隙(bandga
据美国物理学家组织网近日报道,美国科研人员制成了一种新型超级电容(DLC),只需不到1毫秒的时间即可完成充电,并在交流电路的测试中获得了成功。相关论文发表在近期出版的《科学》杂志上。 超级电容也称双电层电
美科学家设计出简便快速的纳米电线制造方法,只需加热即可将氧化石墨烯转为导电物质据美国物理学家组织网6月10日报道,美国一联合研究小组称,他们在利用石墨烯制造纳米电路领域获得了突破:设计出了简便、快速的纳米
有一种“石墨烯半导体量子点(graphene quantum dots)”能实现单分子传感器,也可能催生超小型晶体管或是利用半导体激光器所进行的芯片上通讯;美国莱斯大学(Rice University)日前即发表了该校进行这种技术研发的相关
美国IBM开发出了截止频率(fT)为100GHz的石墨烯(Graphene)FET。由此未来实现工作频率达到THz级FET的可能性变得更大。石墨烯是一种碳原子呈6角形网眼状连接的片状材料。借助石墨烯可将载流子迁移率提高到1万cm2/V
美国IBM开发出了截止频率(fT)为100GHz的石墨烯(Graphene)FET。由此未来实现工作频率达到THz级FET的可能性变得更大。石墨烯是一种碳原子呈6角形网眼状连接的片状材料。借助石墨烯可将载流子迁移率提高到1万cm2/V
在摩尔定律引领下的集成电路生产正在逼近物理定律的极限,芯片产业迫切需要替代技术。目前尚处于研发状态中的各种新的芯片生产技术—分子计算、生物计算、量子计算、石墨烯等技术中,谁将最终胜出?1965年,芯片
据国外媒体报道,周五IBM研究中心公布石墨烯薄片(graphene)研究成果,其晶体管射频最高可达100GHz。 石墨烯作为一种特殊形态的石墨,主要由一层蜂窝状格网结构的碳原子构成,可用于提高传导速度。 IBM的该篇研究报告
下一代的半导体组件可能是利用碳而非硅材料,美国宾州大学的研究人员声称,已成功制造出可生产纯碳半导体组件的4寸(100mm)石墨烯(graphene)晶圆。 宾州大学光电材料中心(EOC)的研究人员指出,他们所开发的制程能生产
德国研究人员表示,砷化镓(GaAs)晶圆片上的沉积石墨烯(graphene)的纯碳原子,可望催生新一代的高性能半导体组件。位于德国布朗斯威克(Braunschweig)之联邦物理技术研究院(Physikalisch-Technische Bundesanstalt,PT
碳-所有有机化合物的基本元素-有望代替硅成为未来半导体的可选材料。据研究人员介绍,基于元素周期表硅元素正上方元素的各种结构在热性能、频率范围甚至超导电特性方面都要超过硅。 “在所有的碳技术中,金刚石是目前
在谈及芯片技术进步时,除了不断缩小的技术节点,新材料的采用往往可以另辟蹊径。目前谈论较多的是高k介质、金属栅、低k材料等,其它一些较为冷门的材料,如碳纳米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也开始进入人们的视野。
在整个计算机行业的发展历程中,人们总是在不断追求更高的运算性能,提升处理器的运行频率无疑是最简单有效的方法。而我们知道,CPU的工作频率是由外频乘以倍频来得出的。因此,如果能够增大倍频的提升空间,就能够迅
石墨烯有望使CPU主频1000GHz成为可能
IBM宣布研发出号称全世界速度最快的石墨烯(graphene)场效晶体管(FET),可在26GHz频率下运作。该公司Thomas J. Watson研究中心的研究人员并预测,碳元素更高的电子迁移率,可望使该种材料超越硅的极限,达到100GHz以上
众所周知,根据半导体业著名的摩尔定律,芯片的集成度每18个月至2年提高一倍,即加工线宽缩小一半。人们普遍认为,这一定律还能延续10年。提出该定律的摩尔本人也曾公开表示,10年之后,摩尔定律将很难继续有效,因为